XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemdepinning
甘露模型中的超均匀性，保守的定向渗透和渗透
超均匀性是一种新兴的特性，其密度n量表的结构因子为sðqÞ〜Qα，具有α> 0。我们表明，对于甘露模型所属的保守定向渗透（CDP）类，CDP中的密度n与depinning的界面位置U之间存在精确的映射，nðxÞ¼n0Þ¼n0Þ∇2u2 u - ，其中n 0是保守的粒子密度。因此，超均匀性指数等于α¼4 -d -2ζζ，ζ在depinning时的粗糙度指数和d尺寸为d。在d¼1中，α¼1= 2，而0。6>α≥0对于其他d。我们的结果非常适合文献中的模拟，除了在D¼1中，我们自己执行自己的模拟以确认这一结果。在两个看似不同的领域之间存在如此确切的关系令人惊讶，并且铺平了思考超均匀性和倒闭的新途径。作为推论，我们在所有维度上获得了前所未有的精度的结果，在d¼1中精确。这纠正了较早的CDP中超均匀性的工作。
准二维 1T- TaS 2 器件中电荷密度波的室温脱钉
1 加州大学河滨分校伯恩斯工程学院电气与计算机工程系纳米器件实验室，加利福尼亚州河滨市 92521，美国 2 波兰科学院高压物理研究所 CENTERA 实验室，波兰华沙 01-142 3 加州大学河滨分校伯恩斯工程学院材料科学与工程项目声子优化工程材料中心，加利福尼亚州河滨市 92521，美国 4 格但斯克理工大学计量与光电子系，波兰格但斯克 80-233 5 华沙理工大学 CEZAMAT 先进材料与技术中心，波兰华沙 02-822 6 蒙彼利埃大学和法国国家科研中心查尔斯库仑实验室，法国蒙彼利埃 34950美国加利福尼亚州里弗赛德市 92521
二维涡流运动在FESE0.5TE0.5中的Picsecond轨迹，由Terahertz Second Harmonic Generation
超导体中的量子涡流从几十年来的实际观点和基本观点中都引起了人们的持续关注。强化研究已致力于表征超导体的大电流和高磁场应用的默认电流密度[1,2]和静置频率[3]的行为。涡流也引起了人们的注意，因为它被预测可容纳拓扑超振动器表面的主要构粒粒子[4,5]，并且最近在基于铁的超导体中提出了它的存在[6-13]。还认为涡流参与了最近公认的非跨脑电图超导体的微观机制，该反应表现出非近代电动传输现象[14-19]和非近代关键电流或磁场[20,21]。已经开发了有关机制的广泛理论研究[22-29]。最近，发现源自涡旋运动的非偏射反应出现在准式，特别是terahertz，频率以肮脏的极限超级导体NBN NBN在超高电的注入下。在这里，超电流充当了反转和时间反向的象征破裂领域，从而产生了巨大的第二季型生成（SHG）[30]。在如此高的频率下，涡流的动力学被证明是由单个涡流核心的运动所主导的，无论涡旋 - 涡流相互作用如何。
![arxiv：2408.11818v2 [cond-mat.str-el] 8月8日2024](/simg/e\ea760e5ba9e09d8960bf9cc0e1a21ea771fb3ebf.webp)
arxiv：2408.11818v2 [cond-mat.str-el] 8月8日2024
在多层菱形石墨烯上进行的最新实验在该制度中发现了许多有趣的现象，在该制度中，整数和分数量子异常的霍尔现象先前被报道。特别是在低温（T）和低施加电流下，在广泛的相图范围内可以看到“扩展”整数量子异常大厅（EIQAH）。随着电流的增加，在低t时，eiqah在通用填充物处向金属状态进行过渡，并在Ja那教填充物处向分数量子异常大厅（FQAH）状态。在Ja那教填充物处的温度升高也导致Eiqah到Ja那教状态的演变。在这里，我们提供了许多这些观察结果的解释。我们将EIQAH描述为一种结晶状态（掺杂到ν= 1状态的孔中的孔，或者是电子的异常大厅晶体），它破坏了Moir´e翻译对称性。在通用填充物上，我们展示了电流诱导的晶体顺序的繁殖转变导致与实验一致的特殊非线性电流曲线。在Ja那教填充物中，我们建议默认过渡是通过Eiqah和Jain FQAH国家之间的平衡过渡来抢占的。这种转变是由于Ja那教fQAH状态的极度极化而发生的，这使其能够在与晶体状态相比在应用的电场中有效降低其能量。我们还讨论了晶体和FQAH状态的相对熵的有限温度演变。
铁电铪-氧化锆基金属-氧化物-半导体结构中界面氧化物层的远程除氧
摘要：HfO 2 中铁电性的发现引起了人们对其在存储器和逻辑中的应用的极大兴趣，因为它具有 CMOS 兼容性和可扩展性。使用铁电 HfO 2 的器件正在被研究；例如，铁电场效应晶体管 (FEFET) 是下一代存储器技术的主要候选者之一，因为它具有面积小、能效高和运行速度快等优点。在 FEFET 中，铁电层沉积在 Si 上，界面处不可避免地会形成厚度约为 1 nm 的 SiO 2 层。该界面层 (IL) 增加了切换极化和写入存储器所需的栅极电压，从而增加了操作 FEFET 所需的能量，并使该技术与逻辑电路不兼容。本研究结果表明，铁电 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 基金属氧化物半导体 (MOS) 结构中的 Pt/Ti/薄 TiN 栅极电极可以远程清除 IL 中的氧气，将其减薄至约 0.5 纳米。IL 的减少显著降低了铁电极化切换电压，同时剩余极化强度增加约 2 倍，极化切换突变度增加约 3 倍，这与密度泛函理论 (DFT) 计算结果一致，该计算模拟了 IL 层在栅极堆栈静电中的作用。剩余极化强度和极化切换突变度的大幅增加与清除过程中的氧扩散相一致，氧扩散减少了 HZO 层中的氧空位，从而使部分 HZO 晶粒的极化脱钉扎。关键词：铁电性、远程清除、夹层、EOT 减少、极化■ 介绍
铁电铪-氧化锆基金属-氧化物-半导体结构中界面氧化物层的远程除氧
摘要：HfO 2 中铁电性的发现引起了人们对其在存储器和逻辑中的应用的极大兴趣，因为它具有 CMOS 兼容性和可扩展性。使用铁电 HfO 2 的器件正在被研究；例如，铁电场效应晶体管 (FEFET) 是下一代存储器技术的主要候选者之一，因为它具有面积小、能效高和运行速度快等优点。在 FEFET 中，铁电层沉积在 Si 上，界面处不可避免地会形成厚度约为 1 nm 的 SiO 2 层。该界面层 (IL) 增加了切换极化和写入存储器所需的栅极电压，从而增加了操作 FEFET 所需的能量，并使该技术与逻辑电路不兼容。本研究结果表明，铁电 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 基金属氧化物半导体 (MOS) 结构中的 Pt/Ti/薄 TiN 栅极电极可以远程清除 IL 中的氧气，将其减薄至约 0.5 纳米。IL 的减少显著降低了铁电极化切换电压，同时剩余极化强度增加约 2 倍，极化切换突变度增加约 3 倍，这与密度泛函理论 (DFT) 计算结果一致，该计算模拟了 IL 层在栅极堆栈静电中的作用。剩余极化强度和极化切换突变度的大幅增加与清除过程中的氧扩散相一致，氧扩散减少了 HZO 层中的氧空位，从而使部分 HZO 晶粒的极化脱钉扎。关键词：铁电性、远程清除、夹层、EOT 减少、极化■ 介绍