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含N,N-二甲基甲酰胺水溶液中电沉积铁铬合金薄膜的磁化强度和显微硬度
电沉积是制备合金的重要方法之一。利用电沉积合成合金的方法引起了广泛关注，因为它能够在室温下在金属基材上制备合金薄膜。到目前为止，含有六价铬（Cr 6 +）离子的电解槽已用于金属铬的电沉积。然而，众所周知，Cr 6 + 离子会引起有害的环境污染[4,5]。在欧盟，WEEE/RoHS（废弃电子电气设备/限制在电子电气设备中使用某些有害物质）指令限制使用Cr 6 + 离子[6]。因此，作为一种替代工艺，许多研究人员提出了从含三价铬（Cr 3 +）离子的电解槽中电沉积金属铬合金（例如 Co e Cr 和 Ni e Cr 合金 [7]、Fe e Cr 合金 [8] 和 Fe e Cr e Ni 合金 [9]）。然而，众所周知，电沉积的电流效率受到很大限制，因为 Cr/Cr 3 + 的标准电极电位为 0.937 V（vs. Ag/AgCl/饱和 KCl），远不如铁族金属（例如 Ni/Ni 2 +、Co/Co 2 + 和 Fe/Fe 2 +）的电位高 [10]。在从水溶液中电沉积次贵金属的过程中，随着电流密度的增加，阴极附近的pH值升高[11]。pH值升高的原因是高电流密度下氢气析出速率高，导致阴极附近的H+离子消耗速率高。因此，在简单的水溶液中，Cr3+离子在高电流密度下会与阴极附近的六个水分子形成复合物[Cr(H2O)6]3+。具体而言，这些[Cr(H2O)6]3+离子会在酸性pH区（pH > 4.5）通过羟桥反应形成羟基桥接胶体聚合物[12，13]。阴极附近的这种胶体聚合物会抑制金属铬的电沉积。因此，通常在水溶液中加入甘氨酸、尿素或 N,N-二甲基甲酰胺 (DMF) 等络合剂来抑制 [Cr(H 2 O) 6 ] 3 + 离子的形成。在这些络合剂中，DMF 是众所周知的在金属电沉积过程中减少氢析出的有效络合剂 [14]。之前有几种
高工作量飞行期间彩色编码平视飞行符号的工作量优势 Blundell, J., Scott, S., Harris, D., Huddlestone, J. & Richards, D. 作者后印本（已接受）存放在考文垂大学存储库原始引用和超链接：Blundell, J, Scott, S, Harris, D, Huddlestone, J & Richards, D 2020, '高工作量飞行期间彩色编码平视飞行符号的工作量优势', Displays, vol. 65, 101973。https://dx.doi.org/10.1016/j.displa.2020.101973 DOI 10.1016/j.displa.2020.101973 ISSN 0141-9382 出版商：Elsevier © 2020，Elsevier。根据 Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International 许可 http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ 版权所有 © 和道德权利归作者和/或其他版权所有者所有。无需事先许可或付费，即可下载副本用于个人非商业研究或学习。未经版权所有者事先书面许可，不得复制或大量引用本项目。未经版权持有者正式许可，不得以任何方式更改内容或以任何格式或媒介进行商业销售。本文档是作者的印刷后版本，包含同行评审过程中商定的任何修订。出版版本和此版本之间可能存在一些差异，如果您想引用出版版本，建议您参考出版版本。
高工作量飞行期间彩色编码平视飞行符号系统的工作量优势 Blundell, J., Scott, S., Harris, D., Huddlestone, J.& Richards, D. 作者印后 (已接受) 存放于考文垂大学资料库 原始引用和超链接：Blundell, J, Scott, S, Harris, D, Huddlestone, J & Richards, D 2020, '高工作量飞行期间彩色编码平视飞行符号系统的工作量优势', Displays, vol.65, 101973。https://dx.doi.org/10.1016/j.displa.2020.101973 DOI 10.1016/j.displa.2020.101973 ISSN 0141-9382 出版商：Elsevier © 2020，Elsevier。根据 Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International 许可 http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ 版权所有 © 和道德权利由作者和/或其他版权所有者保留。可以下载副本用于个人非商业研究或学习，无需事先许可或收费。未经版权持有人书面许可，不得复制或大量引用本项目。未经版权持有人正式许可，不得以任何方式更改内容或以任何格式或媒介进行商业销售。本文档是作者的印刷后版本，包含同行评审过程中商定的任何修订。已发布版本和此版本之间可能仍存在一些差异，如果您想引用已发布版本，建议您查阅已发布版本。
光热表征硅基退火薄金膜的热扩散率、载流子扩散和复合特性
CK Sheng*、MGM Sabri、MF Hassan、EAGE Ali 马来西亚登嘉楼大学科学与海洋环境学院，21030 瓜拉尼鲁斯，登嘉楼，马来西亚 这项工作首次实施了基于光声 (PA) 技术的光热波表征，以研究在不同温度下退火的 Si 晶片 (Au/Si) 上沉积的金薄膜层的热特性和载流子传输特性。XRD 图案表明，在退火温度为 330 o C 时追踪到了 Au81Si19 相的亚稳态金 (Au) 硅化物，当温度进一步升高到 370 o C 时，该结构消失。结果表明，获得 Au/Si 结构的 PA 信号低于纯 Si 晶片。通过拟合 PA 信号相位关系阐明了 Si 和 Au/Si 的热特性和载流子传输特性。结果表明，随着退火温度的升高，Au/Si 的热扩散率和表面复合速度增加，复合寿命缩短。然而，当温度接近 370 o C 时，表面复合和热传输过程减弱，这可能是由于硅化物团簇的断裂造成的。（2021 年 7 月 20 日收到；2021 年 10 月 29 日接受）关键词：金硅化物，热退火，光声，热扩散率，复合
化学蒸气中的异常重掺杂...
纳米级过渡金属三卡构基化金属元素（TMTC）（例如TIS 3）对基本研究和应用开发都显示出很大的潜力，但是他们的自下而上的合成策略仍应实现。在这里，我们探索了TIS 3的化学蒸气沉积（CVD）合成，其晶格各向异性使B轴的优先生长使矩形纳米片或纳米虫具有具有生长温度可调节的长宽比的矩形纳米片或纳米骨。获得的纳米结构，同时保持光谱和结构特性，如原始的半导体TIS 3的特性，表现出较高的电导率和超低载体激活屏障，这是纳米级导体。我们的实验和计算结果表明，CVD生长的TIS 3中存在S 2 2-空缺，导致重型N型掺杂到退化水平。此外，预计将半导体特性通过从环境中用氧原子钝化S 2 2-空位来恢复。这项工作因此预示着使用缺陷工程的三卡氏菌元素半导体构建纳米级电子的诱人可能性。
电沉积的羟基磷灰石/氧化石墨烯/氧化锆氧化物复合涂料：表征和抗菌活性
目前的研究旨在通过使用电泳沉积来表征钛底物上羟基磷灰石，锆和氧化石墨烯纳米复合材料。在第一阶段，除了表征创建的复合涂层外，通过使用扫描电子显微镜（SEM）评估了创建涂层的厚度和均匀性。另外，通过元素分析研究了纳米粉末颗粒的分布。在第二阶段，通过使用X射线衍射分析，绘制并研究了涂层中使用的材料的位置。在第三阶段，为了评估在向羟基磷灰石中添加纳米颗粒而导致的涂层腐蚀行为，并将其与非涂层样品进行了比较，对化学偏振形式的电化学分析进行了比较，并与绘制相关图表进行了分析。最后，在第四阶段，进行了涂层上大肠杆菌和葡萄球菌细菌的抗菌测试，并与未涂层的合金样品进行了比较。腐蚀测试结果表明，使用纳米复合涂层会导致表面耐腐蚀性的增加。抗菌测试结果表明，使用纳米复合涂料可有效地降低表面细菌的生长。
定量打击乐诊断，用于评估冷喷涂和激光沉积材料的孔隙率和表面粗糙度
定量打击乐诊断（QPD）是最近使用PerientoMeter®仪器（Curmetrics LLC，Los Angeles，CA）形成的最近开发的非破坏性测试（NDT）方法。这种测试方式已用于检测和定量分析整体迁移率以及细节缺陷的存在，例如与牙齿[1]和牙科植入物相关的裂纹[2，3]。QPD的有效性也已被证明可以检测到层压板结构中的弱“亲吻”键[4，5]。QPD测试系统由一个探针组成，该探针包含一个被启用的力传感器，该探针被启用以敲击规格。在探针对试样的打击乐后，杆中的压电传感器记录了力时间数据。这种相对较低的撞击会在标本中产生最大应力，而这种应力是无损的。在标本的特征上，每种打击乐的实力时间验证是在杆与试样接触的0.2 E 0.4 ms上记录的。与打击乐探针相连的计算机中的软件确定了每次进行测量时测量的力与10个打击乐器的时间返回到杆的机械能[4 E 6]。图1显示了当前QPD测试系统的示意图。归一化能量返回（NER），即将机械能返回到杆撞击前的杆的动能，作为QPD测试结果，将其绘制在撞击前的杆的动能。返回的机械能被定义为将力平方除以测量该力的打击乐杆中传感器的动态刚度。ner和时间可用于确定损失系数，一个阻尼参数，显示结构中的总能量耗散以及正常拟合误差（NFE），该参数表明裂纹的存在和严重程度和其他缺陷缺陷[1 E 4，6 E 9]。NER的较低振幅可以表明由于严重的缺陷或结构中有较高数量的特定缺陷（例如孔隙率）而导致结构的能量更多。
表1C-申请认可存款计划，调查 - 及以下的租赁（租赁阶段）或社区头衔（土地）计划计划
为了透明度的利益，西澳大利亚计划委员会的议程和会议会议可能会出现在规划，土地和遗产部网站上，该网站是一个可供公众使用的网站。因此，在签署此表格时，您承认，除了有关您的业务，专业，个人或商业或财务事务的信息外，您提供的支持申请的信息可以放在网站上。
氢含量对氮化硅薄膜介电强度的影响
为了制备高击穿电压薄膜，对高击穿电压材料有许多要求，[5，12]例如，介电常数要尽可能大，介电材料在硅衬底上必须是热力学稳定的。[6，8，13]目前对击穿强度的研究工作都是在PECVD/LPCVD上进行的，[10，14]但本实验采用ICP-CVD模型制备氮化硅薄膜，可以提供更多的能量，促进反应气体的分解，制备出击穿强度更大的薄膜。氮化硅薄膜中的氢含量对薄膜的击穿强度影响很大。[15]在薄膜的成分中，Si-H键在薄膜的组成中起着基础性的作用，随着薄膜中氢含量的变化，薄膜的电学性质将发生变化。 [6,16,17]当薄膜中氢含量较高时，硅的悬挂键会被H填充，会增加薄膜的稳定性，提高击穿强度。[18]但关于H含量与薄膜击穿电压的关系，在ICP-CVD机上进行的实验很少，结论也不完善，因此本实验采用ICP-CVD机进行薄膜沉积。[19,20]
定向能量沉积 316L 钢中纹理各向异性和硬度随构建参数和壁高的变化
定向能量沉积 (DED) 是一种新兴技术，可用于修复关键的航空航天部件。研究表明，DED 部件的机械性能在整个零件过程中变化很大，因此很难达到这些应用所需的过程控制水平。使用现场捕获的热数据，计算出冷却速率和熔池尺寸，并将其与 EBSD 捕获的最终晶粒结构关联起来。冷却速率的变化解释了不同加工参数之间以及构建高度的微观结构变化。实施了一种使用累积各向异性因子的新方法，将硬度变化与晶粒结构关联起来。根据 316L 中的线性热输入发现了两种情况，高线性热输入导致部件级别上大量的机械各向异性。热特征和机械性能之间的关系表明，可以通过使用同轴摄像机监测和控制熔池大小来实现对各向异性的严格控制。