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Si衬底上沉积的HfO2栅极介电体界面陷阱密度和串联电阻的频率依赖性研究：50MeV Li3+离子辐照前后
我们首次报告了 50 MeV Li 3+ 离子辐照对串联电阻和界面态密度的频率依赖性影响的研究，这些影响是由射频溅射制备的 HfO 2 基 MOS 电容器的电容-电压 (C-V) 和电导-电压 (G-V) 特性确定的。样品在室温下用 50 MeV Li 3+ 离子辐照。测得的电容和电导已根据串联电阻进行校正。在辐照之前和之后，在 1 KHz 至 1 MHz 的不同频率下估算了串联电阻。观察到串联电阻在辐照前随频率从 6344.5 降低到 322 欧姆，在辐照后降低到 8954-134 欧姆。界面态密度D it 由辐照前的1.12×10 12 eV 1 cm 2 降至3.67×10 11 eV 1 cm 2
电子回旋共振等离子体法制备氮化硅薄膜的键合结构和氢含量
a 电子和计算机技术系，卡塔赫纳理工大学，30202 卡塔赫纳，西班牙 b 马德里康普顿斯大学 Física Aplicada III 系，28040 马德里，西班牙 c 萨里大学离子束中心，吉尔福德 GU2 7XH，英国 d 研究所Tecnológico e Nuclear, Estrada Nacional 10, 2686-953 Sacavém, 葡萄牙 e 南岸大学工程、科学和技术学院, 103 Borough Road, London SE1 0AA, United Kingdom