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离子能对高功率脉冲磁控溅射沉积的氮化钛薄膜的微结构和性能的影响
摘要：氮化钛（Ti-n）薄膜是电导和导导的，具有高硬度和耐腐蚀性。致密和无缺陷的Ti-N薄膜已被广泛用于切割工具，耐磨性组件，医疗植入装置和微电子的表面修饰。在这项研究中，通过高功率脉冲磁控溅射（HPPM）沉积了Ti-N薄膜，并分析了其血浆特性。通过调节底物偏置电压以及其对微结构，残留应力和薄膜的粘附的影响来改变Ti物种的离子能量。结果表明，在引入氮气后，在Ti靶标表面形成了Ti-N化合物层，从而导致Ti目标放电峰功率增加。此外，Ti物种的总频量减少，Ti离子的比率增加。HPPM沉积的Ti-N薄膜密集且无缺陷。当Ti-ions的能量增加时，Ti-nfim的晶粒尺寸和表面粗糙度减少，残留应力增加，Ti-N Thin Fimflm的粘附强度降低。
具有血浆辅助分子束外延的外延SCN薄膜中的高迁移率和高热电学因子
1材料部的化学和物理单位，贾瓦哈拉尔·尼赫鲁（Jawaharlal Nehru）高级科学研究中心，班加拉罗尔560064，印度2，印度2国际材料科学中心，Jawaharlal Nehru先进科学研究中心，班加拉罗尔560064，印度560064，印度360064，印度材料3次高级材料学院。 IMN-CSIC，C/ISAAC NEWTON 8，TRES CANTOS，TRES CANTOS，28760 MADRID，MADRID 5澳大利亚州5澳大利亚州Microscopy and Microanalysis中心，NEW，新南威尔士州Camperdown，2006弗吉尼亚大学，夏洛茨维尔，弗吉尼亚22904，美国8物理系，弗吉尼亚大学夏洛茨维尔，弗吉尼亚州22904，美国
通过激光辅助等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅，用于下一代有机电子器件
利用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 在低温下无损伤、无应力地沉积化学计量的氮化硅是微电子、微机电系统 (MEMS) 等各种应用领域中的一个重要课题。本研究研究了氮化硅 PECVD (LAPECVD) 过程中激光辅助对沉积的 Si 3 N 4 薄膜的物理和化学特性的影响。由于反应气体的分解作用增强，在 80 ◦ C 下用 193 nm 激光辅助的 LAPECVD 显示出比 PECVD 更高的沉积速率。此外，沉积的氮化硅薄膜的 N/Si 化学计量比和残余应力也得到了改善。当氮化硅直接沉积在有机发光二极管 (OLED) 上进行薄膜钝化时，LAPECVD 没有观察到电气损坏，这可能是因为激光辅助沉积在 OLED 表面覆盖了一层薄薄的氮化硅层，而传统的 PECVD 则因直接暴露于等离子体而导致离子轰击导致器件损坏。我们相信 LAPECVD 系统可用于各种下一代微电子行业，这些行业需要在低温 PECVD 期间以最小的损坏进行高质量的薄膜沉积。
表格 1C 申请对测量图或平面图（存放平面图）、测量-分层平面图或租赁（测量-分层）平面图或社区所有权（土地）计划平面图进行批准
为了保持透明度，西澳大利亚规划委员会的会议议程和会议记录可能会出现在规划、土地和遗产部网站上，该网站是向公众开放的网站。因此，在签署此表格时，您承认，除了有关您的业务、专业、个人或商业和财务事务的信息外，您为支持您的申请而提供的信息可能会放在网站上。
Si衬底上沉积的HfO2栅极介电体界面陷阱密度和串联电阻的频率依赖性研究：50MeV Li3+离子辐照前后
我们首次报告了 50 MeV Li 3+ 离子辐照对串联电阻和界面态密度的频率依赖性影响的研究，这些影响是由射频溅射制备的 HfO 2 基 MOS 电容器的电容-电压 (C-V) 和电导-电压 (G-V) 特性确定的。样品在室温下用 50 MeV Li 3+ 离子辐照。测得的电容和电导已根据串联电阻进行校正。在辐照之前和之后，在 1 KHz 至 1 MHz 的不同频率下估算了串联电阻。观察到串联电阻在辐照前随频率从 6344.5 降低到 322 欧姆，在辐照后降低到 8954-134 欧姆。界面态密度D it 由辐照前的1.12×10 12 eV 1 cm 2 降至3.67×10 11 eV 1 cm 2
对2D层的钙钛矿微晶膜中X射线的超稳定和鲁棒响应，直接沉积在柔性基材上
过去十年。尤其是，光线和灵活设备的开发将代表该领域的重大突破，因为它允许新的检测器设计和应用程序，例如，便携式实时X射线测量器或弯曲的数字X射线成像仪。[1] Exposure to high doses of X-rays increases the risks of developing radiation-induced disorders such as can- cers [2] and enhancing the detection limit of detectors is a critical key issue for medical application, since it would help reducing the radiation dose delivered to the patient and therefore limit the radiation hazards linked to radiation therapy and diagnostics (e.g., mammography, X-ray tomography).上面引用的规格要求开发可处理的X射线直接检测材料与柔性塑料底物上的低温沉积兼容，并能够以低辐射剂量工作。不过，由于机械刚度低和高X射线吸收的双重必要性，所有这些要求都无法轻易满足单个材料，因此通常通过浓稠且沉重的吸收层来实现后者。的确，参与直接X射线检测的传统最先进材料包括硅（SI），无定形硒（α-SE）和锌锌锌醇锌（CZT）（CZT），它们因其高原子数（z）和密度而以其高X射线停止功率而闻名。柔性应用受到塑料基材及其机械刚度的高加工温度输入的阻碍。带有构图的3D ho最近，有机半导体似乎是直接X射线检测的传统无机半导体的有希望的替代品。[3,4]有机半导体具有吸引人的特性，尤其是通过基于大区域溶液的技术进行处理的可能性，例如钢筋涂层[5]或喷墨印刷[6]在柔性基板上。有机材料的低z然而，限制了其停止功率，从而限制了低辐射剂量以高能X射线的检测。机械刚性和大型X射线吸收之间的权衡是应对新型X射线检测材料的开发的有趣挑战。在过去的几年中，关于直接X射线检测材料的研究主要围绕混合有机/盐酸卤化物钙钛矿（HOIP）围绕。
工艺参数变化对激光定向能量沉积吹粉法 Inconel 718 薄壁微观结构的影响
在 Inconel 718 的激光定向能量沉积 (L-DED) 中，所制造部件的微观结构在很大程度上取决于所应用的工艺参数和由此产生的凝固条件。大量研究表明，工艺参数沉积速度和激光功率对微观结构特性（如枝晶形态和偏析行为）有重大影响。本研究调查了当线质量（从而导致的层高）保持不变时，这些工艺参数的变化如何影响微观结构和硬度。这使得能够对使用相同层数但工艺参数截然不同制造的几何相似样品进行微观结构比较。这种方法的好处是，所有样品的几何边界条件几乎相同，例如特定于层的构建高度和导热横截面。对于微观结构分析，应用了扫描电子显微镜和能量色散 X 射线光谱，并以定量方式评估结果。沿堆积方向测量了微观结构特征，包括一次枝晶臂间距、沉淀 Laves 相的分数和形态以及空间分辨的化学成分。使用半经验模型，根据一次枝晶臂间距计算发生的冷却速率。应用了其他研究人员使用的三种不同模型，并评估了它们对 L-DED 的适用性。最后，进行了显微硬度测量，以对材料机械性能的影响进行基线评估。
基于薄致密真空沉积 CH 3 NH 3 PbI 3膜的高效半透明钙钛矿太阳能电池
其高吸收系数使其在半透明太阳能电池应用方面具有吸引力。 [6] 然而，这些材料的高吸收系数使其难以在低带隙钙钛矿（≈带隙<1.7 eV）PSC 中获得高平均可见光透射率 (AVT) 值。虽然降低钙钛矿层厚度是增强任何半透明 PSC (ST-PSC) 中 AVT 的明显解决方案，但是，由于与使用溶液工艺制造亚 100 纳米、均匀、无针孔的钙钛矿薄膜相关的限制，该解决方案尚未可靠地实施。 [7] 因此，限制了 ST-PSC 可实现的最大 AVT。为了解决这个问题，据报道，替代性的钙钛矿层沉积和生长策略可以在不需要显著减少膜厚度的情况下提高钙钛矿层的透射率。[7] 例如，最初引入了脱湿和网格辅助沉积技术，使钙钛矿薄膜部分覆盖在基底上。脱湿技术导致随机生长的钙钛矿岛的形成，[8,9] 而网格辅助沉积导致钙钛矿在受控的网格结构中生长。[10,11] 虽然这两种方法显著提高了钙钛矿层的透射率，但由于在无钙钛矿区域空穴传输层和电子传输层直接接触导致分流通路的存在，相应的器件表现出有限的 PCE。[12] 需要在没有钙钛矿的区域额外选择性沉积绝缘分子，以减少上述泄漏损失。 [12,13] 随后，引入支架层和材料以生长有序的大孔 [14] 微结构 [15,16] 和纳米结构 [17] 钙钛矿层。虽然这些钙钛矿结构表现出增强的透射率和减少的分流通路，从而提高了 ST-PSC 的 AVT 和 PCE，但它们的制造相对复杂和繁琐得多，即与厚的不透明钙钛矿薄膜的溶液处理相比，它们需要额外的材料和合成工艺。此外，在大多数情况下，上述 ST-PSC 的开路电压 (V oc) 和填充因子 (FF) 分别低于 ≈ 1000 mV 和 ≈ 70%，这表明与不透明的对应物相比，这些器件中存在残余复合损失。因此，需要一种简单的替代方法来生长足够透明和致密的钙钛矿层
SEC-00256 Pinellas工厂技术概述
Target material deposited as vapor onto ceramic or metal target substrate Targets loaded in the neutron tubes Neutron tubes then attached to glass manifold vacuum system under exhaust hood Once the system reached vacuum, storage beds were heated to flood the system with deuterium or tritium gas A torch was used to melt the glass manifold connection, seal the neutron tubes, and cut them free of the歧管
吉特大学，古普尔-765022
如果被录取的候选人希望撤回将其转移到其他机构的录取，则不可退款。候选人必须从入学表中取出打印表（下面附有），并需要填写。The filled-up admission form along with the scan copy of all the mark sheets and certificates from matriculation/10 th onwards, copy of the TC, CC and Migration certificate, scan copy of Adhaar card, copy of GAT-B 24 Score and Rank card ( issued by RCB, Faridabad ) and money deposited slip should be mail to admission@giet.edu , CC to hodbiotech@giet.edu on or before the due date which如上所述。最初的TC，CC和迁移证书需要在确认后的15天内存放在大学的录取部分中。