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问卷设计
市场研究协会 (MRS) 拥有来自 50 多个国家的 8,000 多名会员，是世界上最大的专业研究人员及从事（或感兴趣）市场、社会和舆论研究的人士的国际会员组织。其会员形式多样，包括来自机构、独立咨询公司、客户方组织和学术界的各个级别的研究人员，涵盖各个职位和职能。所有 MRS 会员均同意遵守 MRS 行为准则（见附录），该准则由 Codeline 咨询服务和一系列有关最佳实践的专业指南提供支持。MRS 提供各种资格和会员等级，以及支持这些资格的培训和专业发展资源。它是英国市场研究职业资格的官方颁发机构。MRS 是出版物和信息服务、会议和研讨会以及许多其他研究人员会议和交流机会的主要供应商。 MRS 代表专业研究从业者在媒体关系和公共事务活动中发出“专业的声音”，旨在为研究创造最有利的舆论氛围和立法环境。
心脏-2 的设计
本演示文稿包含《1995 年私人证券诉讼改革法案》所定义的“前瞻性陈述”，涉及重大风险和不确定性，包括有关 VERVE-102 的安全性、耐受性和潜在益处、公司招募患者参与其正在进行的 Heart-2 试验的时间和能力、Heart-2 试验初始数据的时间和可用性、公司的研发计划以及公司计划（包括其 PCSK9 计划）的潜在优势和治疗潜力的陈述。本演示文稿中包含的所有陈述（历史事实陈述除外）均为前瞻性陈述，包括有关公司战略、未来运营、未来财务状况、前景、计划和管理目标的陈述。 “预期”、“相信”、“继续”、“可能”、“估计”、“预计”、“打算”、“或许”、“计划”、“潜在”、“预测”、“预计”、“应该”、“目标”、“将”、“会”等词语和类似表述旨在识别前瞻性陈述，但并非所有前瞻性陈述都包含这些识别词。任何前瞻性陈述均基于管理层对未来事件的当前预期，并受多种风险和不确定因素的影响，这些风险和不确定因素可能导致实际结果与此类前瞻性陈述中所述或暗示的结果存在重大不利差异。这些风险和不确定性包括但不限于与公司有限的经营历史有关的风险；公司及时提交和获得其候选产品的监管申请批准的能力；推进其候选产品的临床试验；按照预期的时间表或完全启动、招募和完成其正在进行的和未来的临床试验；正确估计公司候选产品的潜在患者群体和/或市场；在临床试验中复制在 VERVE-101、VERVE-102 和 VERVE-201 的临床前研究和/或早期临床试验中发现的积极结果；在当前和未来临床试验中按照预期的时间表推进其候选产品的开发；获得、维护或保护与其候选产品相关的知识产权；管理费用；并筹集实现其业务目标所需的大量额外资金。有关其他风险和不确定性以及其他重要因素的讨论，其中任何因素都可能导致公司的实际结果与前瞻性陈述中的结果不同，请参阅“风险因素”部分，以及公司最近向美国证券交易委员会提交的文件和公司未来向美国证券交易委员会提交的其他文件中对潜在风险、不确定性和其他重要因素的讨论。此外，本演示文稿中包含的前瞻性陈述代表公司截至本新闻稿日期的观点，不应被视为代表公司截至本新闻稿日期之后任何日期的观点。公司预计后续事件和发展将导致公司的观点发生变化。然而，虽然公司可能会选择在未来某个时间点更新这些前瞻性陈述，但公司明确表示不承担任何更新义务。
室内设计
课程编写团队 2010 Melissa Buyce Burnt Hills-Ballston Lake 中央学区，Burnt Hills Ann Coleman Niskayuna 中央学区，Niskayuna（已退休） Penny Corlew Cohoes 市学区，Cohoes Kimberly DeHart 奥尔巴尼市学区，Albany Deborah Hall Cobleskill-Richmondville 中央学区，Cobleskill Karen Koeppel West Seneca 中央学区，West Seneca Danielle Manning Burnt Hills-Ballston Lake 中央学区，Burnt Hills Barbara Mikler-Crandon Newark 中央学区，Newark Catherine Moots Falconer 中央学区，Falconer Marta Roberts-Pekar Burnt Hills-Ballston Lake 中央学区，Burnt Hills Eleanor Sicluna 奥尔巴尼市学区，Albany Sally Taibe Warrensburg 中央学区，Warrensburg Dawn B. Scagnelli 纽约州教育部门，奥尔巴尼
设计注意事项
对于P通道MOSFET，vinVg + v th其中，v g = gate-wtwoltage v th =阈值电压v out =输出电压v in =输入电压以打开N通道设备，栅极量必须大于输出电压。这将需要额外的偏置电源，以使栅极电压高于输出电压。与此相比，对于P通道设备，最小输入电压必须大于P通道晶体管的阈值电压（通常是这种情况）。从中，P通道MOSFET比N通道MOSFET的优势显而易见。ON/OFF控制器或门驱动器电路更简单。对于低压驱动应用，N通道高侧开关的栅极驱动器需要一个引导电路，该电路在电动机电压轨或隔离电源上方创建栅极电压以将其打开。更大的设计复杂性导致设计工作增加和更大的空间利用。与负载开关应用程序类似，使用P通道MOSFET可以在此处减少资源的使用。ir Hirel具有最大的RAD硬P通道MOSFET的投资组合，具有不同的包装选项，并且在辐射环境中具有高性能。
