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基于虚拟现实的医疗设备的凝视精度的重新测试可靠性
在虚拟现实（VR）系统中，使用红外摄像头跟踪眼动运动的系统，凝视测量的精度对于可靠检测眼运动障碍至关重要。评估基于HMD VR的医疗设备系统NEOS TM的凝视测量能力和凝视精度的一致性，在最佳条件下，我们使用了一种机器人设置，该设置提供了模仿人眼运动的优势，其运动可变性最小。，我们通过计算Intarclass Intarace相关系数（ICC），测量值（SEM）和Bland-Altman分析来评估NEOS™的凝视测试两次，以不同的噪声水平为13个模拟条件，然后评估了每个噪声水平。我们发现NEOS™的凝视精度具有出色的测试可靠性（ICC> 0.99，SEM = 0.04），并通过Bland-Altman分析观察到了第一和第二凝精度测量之间的良好协议。凝视所有九个基本方向的NeoS™的高ICC和低SEM均显示了其眼睛跟踪的可靠性和测量一致性。在临床设置中使用时，这是针对基于HMD的VR设备的眼睛跟踪应用的关键功能。使用机器人眼客观地验证基于VR的眼球跟踪器可以适用于其他设备。未来的研究将研究不同人口中测量值的纵向稳定性。
单个储能子模块分支，用于集成高压直流系统中的储能设备
储能系统 (ESS) 可以提高可再生能源占比较高的电力系统的服务可靠性。本文介绍了一种可以将 ESS 直接集成到 HVDC 系统中的转换器拓扑。该拓扑由一个储能子模块 (ES-SM) 分支和一个电感器组成。ES-SM 基于半桥，通过直流/直流转换器连接到超级电容器或电池。该拓扑可扩展到不同的电压水平，并且由于储能元件分布在所有子模块中，因此它提供了高度的冗余。在这项工作中，转换器拓扑使用平均模型建模，其控制旨在调节注入的直流功率和 ES-SM 的能量。还提供了拓扑主要元素的初步尺寸。模拟表明，ES-SM 既可以从 HVDC 系统注入和吸收功率，同时保持 ES-SM 电容器中的所需能量。
公司责任报告AI的破坏正在推动开发推理的创新
能够通过预测用户需求并主动执行设备和应用程序中的复杂工作流程来决策和任务管理。高通技术强调实时AI处理，使这些代理在设备中连续，安全地运行，同时依靠个人知识图，这些图表准确地定义了用户的偏好和需求，而无需任何云依赖性。随着时间的流逝，这些进步为AI奠定了基础，以自然语言和图像，基于视频和手势的互动简化了人们如何与技术互动。展望未来，高通技术也是体现AI时代的定位，其中AI功能被整合到机器人技术中。通过利用其在推理优化方面的专业知识，高通技术旨在为机器人，无人机和其他自主设备提供实时决策，从而在动态，真实世界的环境中进行精确的交互。
设计，模拟和优化硅基板上增强的垂直GAN纳米线晶体管用于电力电子应用
在高能量物理中使用的大探测器系统中相互作用点附近的像素阵列的发展需要像素及其读数的高辐射硬度。基于量子井的像素设备，称为dotpix使用带有控制门的传感N通道MOS设备。埋入的GE层充当当前的调制门，该栅极定位通过撞击颗粒而产生的孔。通过si上GE的低温外延生长获得了Dotpix埋入的GE门。我们已经开始研究实现这些先决条件的不同方法：需要低温预算来减少GE和SI相互混合，这可能对DotPix操作有害。使用Si热氧化物与沉积的氧化物（例如氧化物）一起研究，这与二氧化硅不同。在这项研究中，二氧化硅和沉积的氧化物结合的可能性为另一种可能性。
基于节能神经形态计算的超导循环的Fluxon Synapse设备的评估
由于CMOS技术的物理规模限制，摩尔定律接近终结，替代计算方法已引起了相当大的关注，这是改善计算性能的方法。在这里，我们评估了一种新方法的性能前景，基于与约瑟夫森 - 界面的无序超导循环进行节能神经形态计算。突触权重可以存储为与多个约瑟夫森 - 界面（JJ）相连的三个超导环的内部捕获式磁通状态，并以以控制方式以离散通量（量化的通量）施加的输入信号调节。稳定的捕获的磁通状态将传入通量通过不同的途径，其流量统计量代表不同的突触权重。我们使用这些Fluxon Synapse设备的阵列探讨了矩阵 - 矢量 - 义务（MVM）操作的实现。我们研究了MNIST数据集的在线学习的能源效率。我们的结果表明，与其他最先进的突触设备相比，Fluxon Synapse阵列可以减少100倍的能量消耗。这项工作提出了概念验证，该概念将为基于超导材料的高速和高能节能的神经形态计算系统铺平道路。
物联网设备与智能空间之间的语义桥梁
智能空间管理和应用程序开发之所以具有挑战性，部分原因是用户的高级需求与物联网设备的低级功能之间存在语义鸿沟。智能空间中的利益相关者需要处理与特定物联网设备的通信、捕获数据、处理数据并将其抽象出来以生成有用的推论。此外，由于智能空间应用程序是为特定传感器部署而开发的，因此这使得其可重用性变得困难。在本文中，我们介绍了一种物联网智能空间的整体方法，即 SemIoTic 生态系统，以促进应用程序开发、空间管理和向其居民提供服务。该生态系统基于一个集中式存储库，开发人员可以在其中宣传他们的与空间无关的应用程序；以及部署在每个智能空间中的 SemIoTic 系统，该系统与这些应用程序交互以向它们提供所需的信息。SemIoTic 应用程序是使用元模型开发的，该元模型定义了从智能空间中抽象出来的关于空间本身及其中的人员的高级概念。然后，可以用用户友好的高级概念来表达应用程序需求，这些概念由 SemIoTic 自动转换为适合每个空间中底层设备部署的传感器/执行器命令。我们介绍了已在加州大学欧文分校部署的生态系统的参考实现，该生态系统正在从空间中的数百个传感器中提取数据并向校园成员提供应用程序。
INAS - AL混合设备中的干涉测量学单拍测量
非阿布莱安人的融合是仅测量拓扑量子计算中的基本操作1。在一维拓扑超导体（1DTSS）2–4中，融合量相当于确定Majorana零模式（MZMS）的共享费米亚奇偶校验。在这里，我们介绍了与Fusion规则未来测试兼容的设备体系结构5。我们在砷氧化胺 - 铝 - 铝异源结构中实施了单次干涉测量，并具有栅极定义的超导纳米线12-14。干涉仪是通过将邻近的纳米线与量子点耦合形成的。纳米线导致这些量子点的量子电容的状态依赖性转移高达1 ff。我们的量子电气测量值显示了通量H /2 e - 周期性双峰性，其信噪比（SNR）在最佳通量值下为1.6μm。从量子电气压测量的时间迹线开始，我们在两个相关状态中提取了一个相关状态的停留时间，在大约2 t的平面磁场时长度超过1 ms。我们讨论了根据拓扑上的微不足道和非本质起源的测量的解释。较大的电容偏移和较长的中毒时间可实现奇偶校验测量，分配误差概率为1％。
（sub） - 毫米波电网校准和设备表征
摘要：精确度量在电子设备中起着至关重要的作用，特别是在使用BICMOS技术的设备中嵌入THZ应用中的硅具有异质结（HBT）的表征。由于最近在纳米范围内制造技术的创新，能够在亚毫升波区域运行的设备成为现实，并且必须满足对高频电路和系统的需求。将精确的模型达到此类频率，不再有可能限制参数以下的提取低于110 GHz，并且必须研究允许获得被动和主动设备的可终止测量的新技术。在本论文中，我们将研究不同无源测试结构的硅（磁力）上S参数的特征，而B55技术中的HBT SIGE从Stmicroelectronics（最高500 GHz）进行了SIGE的表征。我们将首先引入通常用于此类分析的测量设备，然后我们将转到IMS实验室中采用的各种测量台，最后我们将重点介绍校准和剥离技术（DE-DEMEDDIQUS（DE-EXED），通过审查高频率特征和两种效率上的校准劳ith钙的主要批评，以进行校准和剥离技术。 TRL）到WR-2.2条。在完成时，我们将提出一些测试结构，以评估对Miller Wave测量和新输电线设计解决方案的不良影响。将提出两个为IMS的磁力表征的光质产生的循环：我们将介绍一个新设计的浮球层设计，并评估其限制寄生效应以及其环境效果（底物，邻近的结构和diaphony）的能力。为了进行分析，我们将依靠紧凑型模型 +探针的电磁模拟和混合EM模拟，包括用于评估测量结果的探针模型，更接近实际条件。将仔细研究两个有希望的设计：“布局M3”，旨在以单个级别的校准表征DUT，而“曲折线”，通过避免在硅的测量过程中避免任何运动，从而保持两个恒定探测器之间的距离。关键字：表征，传输线，Terahertz，毫米波，校准，silicuim，tbh坐着
基于二氧化铪和二氧化锆的铁电材料和器件的发展路线图
1 米尼奥大学和波尔图大学物理中心 (CF-UM-UP)，米尼奥大学，Campus de Gualtar，4710-057 Braga，葡萄牙 2 材料和新兴技术物理实验室，LapMET，米尼奥大学，4710-057 Braga，葡萄牙 3 NaMLab gGmbH，Noethnitzer Str. 64a，01187 德累斯顿，德国 4 Components Research，英特尔公司，Hillsboro，OR，97124 美国 5 SPEC，CEA，CNRS，U niv ersit ´ e Paris-Saclay，CEA Saclay，91191 Gif-sur-Yvette，法国 6 IBM Research Zurich，S ¨ aumerstrasse 4，8803 Ru ¨ sc hlik on 瑞士 7 电气与信息技术，隆德大学，Box 118，隆德，22 100 瑞典 8 NanoLund，隆德大学，Box 118，隆德，22 100 瑞典 9 材料科学与工程系和校际半导体研究中心，首尔国立大学工程学院，首尔，08826 韩国 10 罗格斯新兴材料中心和物理与天文系，新泽西州皮斯卡塔韦08854，美国 11 三星先进技术学院 (SAIT) 设备研究中心，水原，16678 大韩民国 12 格勒诺布尔阿尔卑斯大学，CEA，LETI，F-38000 格勒诺布尔，法国 13 Helmholtz-Zentrum Berlin fu ě r Materialien und Energie，Hahn-Meitner-Platz 1，Berlin 14109，德国 14国家科学研究中心 DEMOKRITOS, 15341, 雅典, 希腊
阅读未出生婴儿脑发育的书
书籍标题：第四版电子材料和设备原理，本教科书提供了与当今工程师相关的电子材料属性的广泛覆盖。它符合固态物理和设备以及基本电子课程的课程要求。这本书通过了新主题，例如微电子学的扩散和互连，其中包括许多工作的例子，家庭作业问题和插图。第四版专为学习电气工程，材料科学和物理学的本科生而设计。它具有改进严格的修订，而不会损害原始方法。这本书包括一个带有颜色高架透明度图的CD-ROM，可以打印。Key Features: - Broad coverage of electronic materials properties - Meets course requirements for solid state physics and devices - Includes new topics such as diffusion and interconnects in microelectronics - Numerous worked examples, homework problems, and illustrations Edition Information: - 4th Edition (2018) - ISBN10: 0078028183 - ISBN13: 9780078028182 This textbook caters to电气工程和工程物理专业的学生，通过关注电子和光电设备，为材料科学提供全面的介绍。该内容旨在适合一个学期和两学期课程，提供了对一般材料科学教科书经常忽略的相关主题的深入探索。更新以反映当前知识，该书的应用程序对电子，材料科学和工程物理学的学生具有特殊的意义。第二版的解决方案手册可在各种平台上获得，包括发布者的网站和作者的网站。这本书是电气工程师和工程物理专业学生的材料科学的合适第一课程。