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“用于内存计算和加密应用的 RRAM 设备电气特性”博士职位（男/女/其他）
作为“材料研究”部门“自适应材料”研究团队的博士生，您将为 RRAM 设备领域做出贡献。您的任务将包括单个 RRAM 设备以及更复杂的基于 RRAM 的矢量矩阵乘法电路的特性描述。这种特性描述将侧重于寻找最佳技术和最佳编程方法，以通过使用内存计算范例优化 RRAM 设备在加密应用中的使用。在您的工作中，您必须大量使用电气特性实验室的设备和不同的软件工具来实现数据的自动化和分析。一个由 10 名科学家组成的国际团队期待着您的加入，其中包括经验丰富的科学家和几名博士生。扁平层级和相互支持对我们很重要。我们认为观点的多样性是我们团队的一大优势。
元素柜及其设备的最新进展
摘要：信息技术的快速进步增强了人们对互补设备和电路的兴趣。常规的P型半导体通常缺乏足够的电性能，从而促使人们寻找具有高孔迁移率和长期稳定性的新材料。元素柜（TE）具有一维手性原子结构，由于其狭窄的带隙，高孔迁移率和在工业应用中的多功能性，尤其是在电子产品和可再生能源方面，因此出现了有前途的候选人。本评论重点介绍了纳米结构和相关设备的最新进展，重点是合成方法，包括蒸气沉积和水热合成，它们产生了纳米线，纳米棒和其他纳米结构。在光电探测器，气体传感器和能源收集设备中的关键应用被引起了人们的注意，并特别强调了它们在物联网（IoT）框架（IoT）框架中的作用，这是一个快速增长的领域，正在重塑我们的技术环境。也突出显示了基于TE的技术的前景和潜在应用。
我们学到多少？测量通过选择与贝叶斯更新的对称和不对称偏差
ilke aydogan：i.aydogan@ieseg.fraurélienbaillon：baillon@em-lyon.com emmanuel kemel：emmanuel.kemel@gemel@greg-hec.com chen li：c.li@ese@ese.eur.nl，我们感谢Peter Wakker和Han Bleichrodt和Han Bleichrodt的帮助和讨论。Baillon承认NWO Vidi Grant 452-13-013的财务支持。Aydogan承认该地区Haut-De-France（2021.00865 Clam）和欧盟的Horizon Horizon Europe Research and Innovation计划，根据Grant协议（101056891具有能力）。li感谢NWO Veni Grant VI.Veni.191E.024的财务支持。1 See, for instance, Phillips and Edwards ( 1966 ), Edwards ( 1968 ), Tversky and Kahneman ( 1974 ), El-Gamal and Grether ( 1995 ), Oswald and Grosjean ( 2004 ), Möbius, Niederle, Niehaus, and Rosenblat ( 2022 ), Bén- abou and Tirole ( 2016 ), Ambuehl and Li ( 2018 ).
附录1-曼德维尔市
此附录是对Mandeville Seawall维修项目第1部分的以下更新的正式通知（城市项目号100.21.019）：1。由于天气问题引起的竞标前会议的推迟，包括该地区的冬季风暴警告，这是最初定于2025年1月23日（星期四）上午10:00举行的招标前会议。在曼德维尔的公共工程大楼已被推迟。新日期和时间如下：新日期和时间：2025年1月30日，星期四，上午10:00位置：Mandeville公共工程大楼1100 Mandeville High Boulevard Mandeville，LA 70471 2。修订的查询截止日期截止日期，现在必须在2025年2月4日星期二之前提交所有与该项目有关的查询。3。出价截止日期确认
功能化纳米粒子自组装纳米器件的分子光开关中的高电导率
摘要：自组装功能化纳米粒子是多种潜在应用的焦点，特别是用于分子级电子设备。这里，我们对 10 纳米金纳米粒子 (NPs) 进行了自组装实验，这些粒子由一层致密的偶氮苯-联噻吩 (AzBT) 分子功能化，目的是构建具有忆阻特性的光可切换设备。我们制造了由 NP 自组装网络 (NPSAN) 组成的平面纳米设备，这些纳米电极与纳米电极接触，纳米电极之间的电极间隙从 30 到 100 纳米不等。我们展示了这些 AzBT-NPSAN 中光诱导的电导可逆切换，创下了高达 620 的“开/关”电导比记录，平均值约为。 30，85% 的器件的比例超过 10。对纳米颗粒表面化学吸附的分子单层之间的界面结构和动力学进行了分子动力学模拟，并将其与实验结果进行了比较。结果表明，接触界面的性质与分子构象密切相关，对于 AzBT 分子，可以通过明确定义波长的光照射在顺式和反式之间可逆地切换。与通过导电 c-AFM 尖端接触的平面自组装单层上进行的实验相比，分子动力学模拟为实验观察到的两个异构体之间开/关电流比降低提供了微观解释。
针对物联网设备和配件的简单、可扩展、安全的身份验证
当用于满足欧盟 DPP 法规时，EdgeLock A30 可简化开发。例如，对于电池，IC 可用于检查电池组的真实性，利用存储在安全认证器内存中的预配置 OEM 证书，从而防止使用克隆和假冒产品。安全认证器内存还可用于存储可信的电池护照数据，并且与再制造、可修复性、重复使用/转售/二次生命和可回收性相关的生命周期数据也可以添加到内存中。
深低温下 FDSOI 器件的 TCAD 模拟
摘要 — 本文证明了在深低温下 FDSOI 器件 TCAD 模拟的可行性。为此，麦克斯韦-玻尔兹曼载流子统计被具有 3D 态密度的费米-狄拉克积分的解析近似所取代。通过求解二维泊松方程来研究器件静电，而使用漂移扩散模型模拟传输。我们探讨了温度对线性和饱和区器件性能的影响以及短沟道效应的影响，这些影响考虑了各种栅极和间隔物长度、室温和深低温。最后，将得到的结果与一些实验数据进行了比较，强调了 TCAD 模拟在提供器件物理和性能见解方面的作用。关键词 — 低温电子学、FDSOI、TCAD 模拟
封装器件 SiC 结的参数纳米电分析
摘要 — 在晶圆级上对电力电子器件芯片结构进行精确而准确的电气特性分析对于将器件操作与设计进行比较以及对可靠性问题进行建模至关重要。本文介绍了一种分立封装商用碳化硅 MOSFET 的二维局部电气特性参数分析。在横截面样品上，使用扫描电子显微镜 (SEM) 中的电子束感应电流 (EBIC) 来定位体二极管的 pn 结，评估电子束能量对该区域成像的影响。采用基于原子力显微镜 (AFM) 的扫描电容显微镜 (SCM) 分析封装碳化硅 MOSFET 器件的结区。提出了一种参数方法来揭示 MOSFET 中所有层的局部电气特性（n 型、p 型、掺杂 SiC 外延层的低、中、高掺杂水平以及 SiC 衬底和硅栅极）。本文的目的是揭示 EBIC 和 SCM 对 SiC 封装器件进行全面特性分析的潜力。研究了 SCM 采集期间施加的电压（V DC 和 V AC ）的影响，以量化它们对 MOSFET SiC 掺杂层分析的影响。尖端/样品纳米 MOS 接触的 TCAD 模拟支持纳米电气实验，以确认碳化硅芯片 AFM 图的掺杂水平解释。
对物联网应用和微电器设备的压电能量收割机的设计
几年前电子设备的功率要求很高。但是，随着基于Internet的系统的技术发展，低功率的微电子设备的设计，WSN和IoT设备的设计变得必要。在这些系统中，大小和功率要求很低，在大多数情况下，电池的替代是具有挑战性的。对于这些微电子和物联网设备，丰富的能量收割机非常有用。在不同的丰富能源资源中，用压电悬臂束能量收割机收集振动能量。这项研究工作介绍了能量收割机（EH）的设计和分析，该功能收割机（EH）中包含一个单个压电悬臂梁，该悬挂式横梁捕获了悬架桥的振动能量。这种方法通过将压电能量收获构建为解决低功率设备面临的力量挑战的解决方案，将两件事联系在一起，从而使过渡变得更加自然和连接。设计中的主要挑战是将桥梁的共振频率与压电EH相匹配，该压电EH约为2.5Hz，以提取最大功率。为了克服Comsol多物理学中的特征频率分析。单光束压电EH的3D几何形状是在Comsol多物理固体作品中设计和分析的。在这项研究工作中，基于COMSOL多物理学中的第一个六种特征频率分析，单光束压电频率的几何参数与特征频率之间建立了关系。选择（0.98 m/s²）的力是因为它避免了与关键系统组件共鸣。对于有限元分析（FEA），通过在悬架桥中施加等于振动力（0.98m/ s2）的力来振动压电单光束收割机。收割机的输出的共振频率为2.5Hz。压电的输出为2.5Hz的800毫米伏特非常低。还将压电EH的输出结果与具有单分支结构的悬臂梁进行了比较。
设计的半导体网络随机激光器
这项工作报告了开发用于操作中子表征的缩小尺寸的激光粉末融合装置。描述了设计注意事项，设备配置和详细的设置。该设备已针对中子衍射的安装和工具进行了优化，用于对印刷过程中金属组件的结构和微观结构演变和构成的多种研究。与设备的介绍结合使用，我们提供了操作中性中子衍射的示例，用于应变分析和操作中子成像，以进行缺陷表征和温度映射在瑞士散布中子源的两个不同光束线上。通过获取可易受裂纹材料的衍射模式并跟踪衍射峰的变化，可以在处理过程中挖掘出固定体积内弹性菌株的热贡献的演变。散装缺陷表征。中子束衰减的变化与最终的微观结构相关，它证实了该技术在操作中表征了探测器内部缺陷形成的能力。我们进一步证明了如何使用铍过滤器，因此如何使用冷中子光谱的长波长部分，可以在打印双金属复合材料时在空间和时间分辨的温度图中获得。