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艾瑞迪胺会使 DNA 扭曲吗？
摘要 我们报告了二氨基类固醇 irehdiamine A 与 DNA 复合物的平衡、松弛动力学和瞬态电二色性研究。结果与复合物在饱和状态下的 j# 扭结结构一致，每隔一个碱基对结合的类固醇会导致 DNA 结构扭结。支持这一假设的结果包括，当只有少量药物结合时，棒状细菌 DNA 分子的表观长度会减少，然后在饱和状态下表观长度会增加。极限二色性幅度意味着碱基相对于取向轴的倾斜度大幅增加；在饱和状态下，碱基 UV 跃迁矩与垂直于取向轴的平面倾斜约 310°。由于 260 纳米跃迁矩的偏振方向，结果表明碱基的倾斜度必须主要在碱基对的短轴而不是长轴上。复合物的显著增色与碱基堆积作用的丧失相一致，这是扭结结构所要求的。动力学结果暗示了一种双分子反应机理，其结合速率常数与温度有关，约为 108 M-' sec-1，解离速率常数约为 5 X 103 sec1I，几乎与温度无关。结合活化能和表观反应焓从 12 到 22 kcal mol-' 不等；正如碱基堆积作用丧失所预期的那样，复合物形成时会吸收热量。实验的一个异常结果是，两种真核 DNA 表现出更大的表观长度增加 (13%)，而三种原核 DNA 的长度增加仅为 6%。复合物的动力学性质也存在差异。
工程师显示钻石量子传感器的工业潜力用于电动电动电动电动电池监控
使用连续波的光学检测到的磁共振光谱在纤维顶传感器构型中，团队估计NV浓度和T₂*（DeCherence时间）分别为0.05 ppm和0.05μs。传感器的渐变计设置，两个传感器位于母线的两侧，在没有磁性屏蔽的情况下显示出小于20 nt/hz 0.5的噪声底。此外，磁场噪声的艾伦偏差保持在0.3μt以下，这使得在10 ms至100 s的累积时间内检测到低至10 mA的母线电流。
突破方法产生灵活的钻石膜
Zhiqin Chu受到启发，使用粘性胶带通过单层石墨烯发现故事从硅表面上删除钻石胶片。Konstantin Novoselov和Andre Geim赢得了2010年诺贝尔物理奖，因为您可以使用粘性胶带从石墨（铅笔线索中的材料）剥离一层石墨烯。
激光振动激发自由基的激发，以防止由钻石中的硼掺杂引起的结晶度降解
追求高水平的掺杂而不会恶化结晶度是非常困难的，但对于释放材料的隐藏力至关重要。这项研究证明了通过激光至关重要的自由基，硼龙二氢化合物（BH 2）的激光振动激发（BH 2）在燃烧化学蒸气期间保持晶格完整性的有效途径。改进的钻石结晶度归因于硼氢化硼（BH）的相对丰度的激光，热抑制的热抑制，其过度存在会诱导硼隔离并扰乱结晶。BDD的硼浓度为4.3×10 21 cm -3，膜电阻率为28.1毫米·CM，孔迁移率为55.6 cm 2 v -1 s -1，超过了商业BDD。高导电和结晶的BDD在传感葡萄糖方面具有提高的效率，证实了激光激发在产生高性能BDD传感器方面的优势。在掺杂过程中重新获得激光激发的结晶度可以消除半导体行业的长期瓶颈。
通过压电响应力显微镜和 FEM 模拟研究半导体 ZnO 纳米线的直径相关压电响应
半导体压电纳米线 (NW) 是开发由生物相容性和非关键材料制成的高效机械能传感器的有希望的候选材料。人们对机械能收集的兴趣日益浓厚，因此研究半导体 NW 中的压电性、自由载流子屏蔽和耗尽之间的竞争至关重要。到目前为止，由于表征这些纳米结构中的直接压电效应所带来的实验挑战，这一主题很少得到研究。在这里，我们使用 DataCube 模式下的 PFM 技术并通过逆压电效应测量有效压电系数来摆脱这些限制。我们证明了垂直排列的 ZnO NW 的有效压电系数随着半径的减小而急剧增加。我们还提出了一个数值模型，通过考虑掺杂剂和表面陷阱来定量解释这种行为。这些结果对基于垂直排列的半导体 NW 的机械能传感器的表征和优化有很大影响。
从激光减震石墨和碳氢化合物目标中恢复释放云：寻找钻石
1 Institute of Radiation Physics, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, 01328 Dresden, Germany 2 Institute of Solid State and Materials Physics, TU Dresden, Haeckelstraße 3, 01069 Dresden, Germany 3 Institute of Physical Chemistry, TU Dresden, Haeckelstraße 3, 01069 Dresden, Germany 4 SLAC National Accelerator美国孟洛克公园，美国孟洛公园，美国美国5物理研究所，阿尔伯特·恩斯坦 - 斯特林大学。
改进o 2等离子体蚀刻钻石功率MOSFET制造
为了最大程度地减少或消除沟槽，最好有利于蚀刻过程的化学成分。因此，我们决定继续使用ICP-RIE进行O 2等离子体蚀刻，这是因为在表面形态和各向异性蚀刻方面具有令人鼓舞的结果，因此我们已经研究了血浆参数的影响ICP和偏置功率，尤其是使用两种类型的口罩：铝和硅二氧化物（Sio-dioxide）（Sio 2）。3- O 2在Sentech Si500-Drie设备上进行了用铝面膜钻石蚀刻的等离子体蚀刻。测试样品是（100）方向的单晶CVD钻石底物和元素六的3 x 3 mm 2尺寸。第一步涉及溶剂和酸的化学清洁，以去除可能影响蚀刻和产生粗糙度的污染物。然后将钻石底物涂在光线器上，并用激光光刻降低，以定义掩模图案。然后通过热蒸发沉积700 nm厚的铝面膜。金属薄膜，例如铝，由于其在钻石上的良好粘附性[24]及其良好的蚀刻选择性[25]，因此将其用作单晶钻石蚀刻的硬面膜材料。此外，由于血浆中的寿命不足，尤其是在氧气中，因此与光致剂相比，金属面膜仍然是更好的选择。3.1 o 2等离子蚀刻的p icp = 500W和p偏见= 5W我们研究的第一个蚀刻条件是：p icp = 500 w，p sial = 5 w，压力= 5吨，气体流量= 25 sccm，温度= 18°C。每个蚀刻步骤都限制为30
中枢神经系统轴突的发育轴突直径的生长不取决于少突胶质细胞的出现或髓鞘形成
摘要髓鞘促进了沿轴突的动作电位的快速传导。在中枢神经系统（CNS）中，髓鞘轴突的直径超过100倍，传导速度随直径的增加线性缩放。轴突直径和髓鞘形成密切相互联系，轴突直径对髓鞘产生了强大的影响。相反，周围神经系统中的骨髓鞘裂细胞既可以正面和负面影响轴突直径。但是，轴突直径是否受到中枢神经系统少突胶质细胞的调节。在这里，我们研究了使用小鼠（MBP SHI/SHI和M YRF条件敲除）和斑马鱼（Olig2 morpholino）模型的CNS轴突直径生长。我们发现，CNS轴突无法实现适当和多样的直径，轴突的包裹也不是紧凑的髓磷脂的形成。这表明发育中心的轴突直径生长与髓鞘形成无关，并表明CNS和PNS的髓细胞细胞差异地影响了轴突形态。