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开发包装的光电二极管用于Intra- ...
尺寸：MMIC启用宽带和复杂的窄带匹配在小占地面内。绩效：较高的积分水平和较低的性能变化。成本：完全自动化的子组件批量处理过程降低了制造成本。自定义：用于特定频率应用程序的MMIC替换。
偶极-偶极相互作用辅助量子点自组装用于高效发光二极管
当前最先进的量子点发光二极管的外部量子效率受限于较低的光子输出耦合效率。采用纳米棒、纳米片和点盘纳米晶体等取向纳米结构的发光二极管有利于光子输出耦合；然而，它们的内部量子效率往往会受到影响，因此实现净增益一直颇具挑战性。本文报道了各向同性形状的量子点，其特征是由纤锌矿相和闪锌矿相组成的混合晶体结构。纤锌矿相促进偶极-偶极相互作用，从而使溶液处理薄膜中的量子点定向，而闪锌矿相则有助于提升电子态简并度，从而实现定向光发射。这些特性的结合在不影响内部量子效率的情况下改善了光子输出耦合。制备的发光二极管的外部量子效率为 35.6%，并且可以在初始亮度为 1,000 cd m –2 的情况下连续运行 4.5 年，性能损失最小约为 5%。
用于量子 PNT、量子传感和
1）TopGaN Ltd.，ul。波兰华沙，Sokolowska 29/37，01-142。 2) 巴基斯坦科学院高压物理研究所，ul。波兰华沙，Sokolowska 29/37，01-142。 3) 格拉斯哥大学工程学院，格拉斯哥 G12 8LT，英国 4) 国家物理实验室，泰丁顿，米德尔塞克斯，TW11 OLW，英国，
基于SIC平台上Fermi级托管障碍二极管的300 GHz频段的低噪声平衡搅拌机
复杂的编码方案，例如正交相移键合和正交振幅调制，由于其较高的频谱效率而被广泛用于宽带无线通信系统中[1，2，3，4]。在这些方案中，正交混合器是向下转换接收到的信号（i）和正交相（q）中间频率（if）信号的关键元素。使用半导体设备[5,6,7,7,8,9]制造此类接收器电路，预计当载体频率较高时，例如在Terahertz（THZ）波范围内，由于在半导体底物上制造的平面波导在thz-Wave范围内变得相当损失和分配。一个基于半导体的设备还需要接线或翻转芯片键[6，13]，通常用石英底物制造的波导耦合器，这些连接可能会导致反射和/或损失高频
Philip 1550nm DFB 激光二极管模块的空间验证 ...
在欧洲航天局资助的一项计划下，一种新型激光二极管模块已经创建并按照符合 ESCC-23201 的空间标准进行了测试。该模块由 Gooch & Housego 制造，即将进入欧洲航天市场，用于光信号处理和电信系统。发射来自 1550nm DFB 半导体激光二极管，该二极管以恒定的标称电流和温度驱动。结合优于 ±0.1nm 的波长稳定性和高达 3.2GHz 的内部数据速率，创新的子设计和封装提供了独特的功率能力，包括初始光纤功率 >90mW，典型电功耗 <4.1W，降至同类产品的 25%。AdvEOTec（法国）的验证测试表明，该产品符合一系列全面的航天标准，例如质子辐照、湿度、热/冷存储、快速减压、振动和 1,000g 冲击，以及对 ±8kV ESD、10 -5 mbar 真空和 100krad 伽马辐照的免疫力。Thales Alenia Space（法国）建立的寿命测试建模和生产筛选独特方法暂时确认了 15 年的航天标准使用寿命。所展示的航天标准产品旨在至少供应 5 年。
钙钛矿发光二极管迈向商业化全...
金属卤化物钙钛矿发光二极管 (PeLED) 具有宽色域、高发光效率和低成本合成等特点，是下一代显示应用的有前途的光子源。自 2014 年首次展示室温发射的 PeLED 以来，其性能在几年内迅速提高，引起了学术界和工业界的广泛关注。在这篇综述中，我们讨论了 PeLED 在商业显示应用中的主要技术瓶颈，包括大面积 PeLED 制备、图案化策略和柔性 PeLED 设备。我们回顾了实现这些目标的技术方法，并强调了当前的挑战，同时对这些钙钛矿材料和 PeLED 设备进行了展望，以满足下一代高色纯度全彩显示器市场的需求。
大面积β-Ga2O3肖特基势垒二极管及其...
在过去的十几年中，β-Ga 2 O 3 器件特别是肖特基势垒二极管（SBD）发展迅速，性能得到显著提高，目前已接近SiC和GaN的性能[7−12]。目前大面积器件的研究主要集中在与边缘终端的结合[13−16]，用于大电流应用的基线器件或称无终端SBD很少研究。我们最近的工作表明，通过界面工程可以大大提高小面积SBD的性能[11]，这为大面积器件的发展带来了机会。具有无终端的高性能SBD或许更能体现Ga 2 O 3 SBD的应用潜力。总之，Ga 2 O 3 SBD的应用更为成熟，其应用潜力有待进一步论证。
功率肖特基二极管的 SEE 测试
PIST 失败 STPS20100 (QPL) 75% 80% 100% STPS1045 (QPL) 100% STPS6045 (QPL) 100% 75% STPS40100 (QPL) 70%* 75% 100% STPS3045 (NEW) < 50%** 50% 78% 78% 100% STPS20200 (NEW) 50% 75% 75% 100% STPS61170C (NEW) 40% 50% 76% 44% 59% STPS40H100 (NEW) 50% 65% 80% 75% 100% *2 部件通过 75% **未经测试
对深缺陷的研究及其对NiO/B-GA2O3 HeteroJuncion Diodes
诺丁汉大学的物理与天文学学院，诺丁汉NG7 2rd，英国B物理学系，国王Khalid Rd的Taibah University-Yanbu科学系。Al Amoedi, 46423, Yanbu El-Bahr, 51000, Saudi Arabia c Department of Intelligent Mechatronics Engineering, Sejong University, 209 Neungdong-ro, Gwangjin-gu, Seoul 05006, Republic of Korea d Laboratory of Semiconducting and Metallic Materials (LMSM), University of Biskra 07000, Algeria e Physics Department, College of科学，乔夫大学，P.O。盒子：2014年，沙特阿拉伯萨卡卡，萨卡卡，物理系，科学与人文学院，萨克拉大学，萨克拉大学，11911年，沙特阿里比亚艾里比亚g物理系，阿尔巴哈大学，65931，65931，萨特阿拉伯，萨特阿拉伯，阿拉伯，大学 Riyadh 11671, Saudi Aribia i Departamento de Engenharia Elétrica, Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR), 13560-905 São Carlos, SP, Brazil j Departamento de Física, Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR), 13560-905 São Carlos, SP, Brazil,联邦联邦ESãoCarlosK-SãoCarlos物理研究所，圣保罗大学，PO Box 369，SãoCarlos，SéCarlos，SP 13560-970，巴西LectionalmodeciênciasbausbásicasBásicas-faculdadede Zootecnia e Engenharia e Engenharia deAlimentos，sep.5 dea pauliment，sucliendss secepta caudo sesp ando caudo caudo caudo souncyidide caudo caudo， Pirassununga，SP，巴西M微电学学院，西迪安大学，西安，中国北部，电力电子系统中心，弗吉尼亚理工学院和州大学，弗吉尼亚州布莱克斯堡，弗吉尼亚州，弗吉尼亚州24060，美国O物理学，美国联邦大学，欧罗大学联邦大学
UV-C使用UV-C发光二极管设备
使用在279 nm波长下运行的近填充光束。大肠杆菌对UV-C光的敏感性较低，并遵循第一阶动力学。大肠杆菌和鼠伤寒沙门氏菌的最大紫外线剂量为12 mJ cm-2。相比之下，单核细胞增生李斯特菌遵循了Weibull模型，最初剂量的肩膀明显。在最高的暴露水平上实现了4.4-LOG 10的最大降低。这项研究表明，UV-C LED设备代表了液滴中食源性微生物失活的绝佳选择。的结果清楚地表明，UV-C LED设备可以作为常规清洁实践的另一种卫生方法，该方法通常在食品行业中使用。