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可调荧光发射，适用于多色发光二极管和声控智能照明应用
智能家居/城市是物联网的重要体现之一，2 涉及各种类型的电子设备，如智能照明系统、3、4 音频视频设备和安全系统。5 其中，语音激活智能照明可以翻译语音命令，实现对灯光的控制。目前，发光二极管 (LED) 和有机发光二极管 (OLED) 已成为智能家居/城市的流行照明系统，6 而具有可调色发射的有机荧光材料是 OLED、7 生物传感、生物成像、8、9 防伪等潜在应用的重要组成部分。 10 与无机荧光粉相比，有机材料具有精确的分子结构，且分子骨架易于修改，有利于获得具有奇妙光物理性质的各种荧光材料，例如稳定的发光自由基、11 颜色可调的发射，以及单线态裂变、12 室温磷光 13 等。14,15 因此，人们致力于开发新型有机荧光材料，以实现具有先进应用的高科技有机电子器件。此外，已经构建了许多用于多色发射以及白光发射的可调荧光发射有机分子，例如比率响应发光材料、16
屏障厚度对INGAN/GAN非对称多量子孔结构的光电特性的影响
gan/gainn非对称多量子发光二极管具有不同潜在的屏障厚度（5和15 nm），通过使用金属有机化学蒸气沉积来生长。狭窄的屏障结构改善了设备的性能，包括电致发光积分强度的超线性增加，高电流密度下效率下降的降低，波长漂移的降低，向前电压的降低以及壁插头效率的提高。这是由于量子屏障的厚度变窄，这会导致量子井之间的电场较小，量子限制性鲜明效应的弱化，跨设备活动区域的载体分布更均匀，以及电子泄漏的抑制。
基于Gan Schottky二极管对的频率三重频率的演示和建模
基于Gan Schottky屏障二极管（SBD），使用反行二极管对（APDP）的频率三副制作者以3.6 GHz的输出频率进行了建模和建模。此外，明确研究并比较了两种连接方案，即APDP系列APDP和Shunt APDP三倍器。与分流APDP三倍器相比，系列APDP三重序列的输出功率更高-0.14 dbm，最小转化率较小26.9 dB。提出了两种类型三级游戏的精确紧凑型模型，以验证三倍体的产生功率和性能的产生。在紧凑的模型中，从i - v特征和宽带小信号s参数中提取了SBD的非线性香料参数和二极管对的寄生参数。三元器的输入和输出网络被取消安装，以确保谐波模拟的准确性。APDP作为频率三倍器的出色性能和相应的模型为设计RF乘数提供了一种实用的选择。
二极管无环状液体染料激光器的时间动力学
据报道，垂直外部空腔中的高度稳定的二极管无环状液体染料激光。设计很简单（无需制造过程步骤，不需要流体电路），紧凑（〜cm尺寸）和具有成本效益。报道了18％的光学效率为18％，具有出色的光稳定性 - 在50 Hz处140万脉冲后，没有效率下降，该值与流动系统相当，并且远高于有机固态激光器可实现的值。我们表明，热效应在稳定性和该激光器的动力学上都是中心的。在不同的泵脉冲持续时间/重复速率上详细研究了激光堆积和关闭动力学；他们揭示了脉搏缩短，泵脉冲持续时间和重复速率增加，这被证明是由于热透镜衍射损耗引起的。此激光结构提供了一个非常方便，简单的平台，用于测试或收集解决方案可供处理的增益材料。
超流二极管效应、自旋扭矩和稳健零点
我们考虑三层 F 1 F 2 F 3 约瑟夫森结，它们在二维上是有限的，并且每个铁磁体 F i (i=1,2,3) 具有任意磁化强度。三层夹在两个 s 波超导体之间，它们具有宏观相位差∆ φ。我们的结果表明，当磁化具有三个正交分量时，超电流可以在∆ φ = 0 处流动。利用我们的广义理论和数值技术，我们研究了电荷超电流、自旋超电流、自旋扭矩和态密度的平面空间分布和∆ φ 依赖性。值得注意的是，当将中心铁磁层的磁化强度增加到半金属极限时，自偏置电流和感应二次谐波分量显著增强，而临界超电流达到其最大值。此外，对于很宽范围的交换场强度和方向，系统的基态可以调整为任意相位差 ϕ 0 。对于中间层 F 2 中的中等交换场强度，可以出现 ϕ 0 状态，从而产生超导二极管效应，从而可以调整 ∆ ϕ 以产生单向无耗散电流。自旋电流和有效磁矩揭示了半金属相中的长距离自旋扭矩。此外，态密度揭示了相互正交磁化配置的零能量峰的出现。我们的结果表明，这种简单的三层约瑟夫森结可以成为产生实验上可获得的长距离自偏置超电流和超流二极管效应特征的绝佳候选者。
根据CMOS技术的垂直P – N结光二极管的光学性能的文章仿真研究
摘要：CMOS光二极管已在微系统应用中广泛报道。本文使用COMSOL多物理学对P – N结光电二极管的设计和数值模拟，用于三种CMOS技术（0.18 µm，0.35 µm，0.35 µm和0.7 µm）和三个不同的P – N交界结构：N+/P-Substrate，P-Substrate，P+/N-N-Well/n-Well/n-Well/well/p-Subsulate。对于这些模拟，根据不同的技术设定了深度连接和掺杂剂浓度。然后，每个phodiode均在分光光度法上进行了分光光度法的特征，响应性和量子效率。获得的数值结果表明，当需要可见的光谱范围时，0.18和0.35 µM CMOS技术是具有效率最高峰的最高峰的技术，与0.7 µM技术相比。此外，比较了三个最常见的P – N垂直连接光电二极管结构。N+/p-Substrate Juints Photodiode似乎是可见范围内具有最高量子效率的一种，与文献一致。可以得出结论，光电二极管的特征曲线和暗电流值与文献中的报告一致。因此，这种数值方法允许预测光电二极管的性能，帮助在其微加工之前为每个必需的应用程序选择最佳的结构设计。
InP 衬底上随机合金厚度 AlGaAsSb 雪崩光电二极管
我们展示了与 InP 衬底几乎晶格匹配的低噪声随机合金 (RA) Al 0.85 Ga 0.15 AsSb（以下简称 AlGaAsSb）雪崩光电二极管 (APD)。与数字合金 (DA) 相比，RA 由于易于生长而易于制造。910 nm 厚的 RA AlGaAsSb 在 450 C 左右的低温下生长，通过抑制吸附原子的表面迁移率来减轻相分离。通过 X 射线衍射、Nomarski 和原子力显微镜图像验证了 RA AlGaAsSb 材料的高质量。电容-电压测量发现背景掺杂浓度为 6-7 10 14 cm 3，表明 RA AlGaAsSb 材料中的杂质密度非常低。电流-电压测量是在室温下黑暗条件和 455 nm 激光照射下进行的。击穿发生在 58 V 时。增益为 10 时，暗电流密度为 70 l A/cm 2 。该值比之前报道的 DA AlAs 0.56 Sb 0.44 APD [Yi 等人，Nat. Photonics 13, 683 (2019)] 低三个数量级，比 DA AlGaAsSb [Lee 等人，Appl. Phys. Lett. 118, 081106 (2021)] 低一个数量级，与 RA AlInAsSb APD [Kodati 等人，Appl. Phys. Lett. 118, 091101 (2021)] 相当。此外，测得的过量噪声显示 k（碰撞电离系数比）较低，为 0.01。这些噪声特性使 RA AlGaAsSb 倍增器适合商业应用，例如光通信和 LiDAR 系统。
使用注入锁定自旋电子二极管进行计算
图 2. (a) 对于 𝐼 𝑎𝑐,𝑀𝐴𝑋 = 70.7 μA 和 𝑓 𝑎𝑐 = 800 MHz，整流直流电压与施加到自旋转矩二极管的直流电流的关系图，蓝色圆圈是微磁模拟的结果，红线是抛物线拟合。 (b) 对于 (a) 中的相同 𝐼 𝑎𝑐,𝑀𝐴𝑋 和 𝑓 𝑎𝑐，固有相移 (空心方块) 和沿 x 轴的磁化幅度 (实心菱形) 与直流电流的关系。 (c) 固有相移与微波频率和直流电流的关系相位图，其中 𝐼 𝑎𝑐,𝑀𝐴𝑋 = 70.7 μA 。垂直线表示自振荡电流阈值 |𝐼 𝑡ℎ | = 0.056 mA 。水平线表示图 (a) 和 (b) 中使用的微波频率值。(d) 图 (c) 中用圆圈表示的工作点的施加电流 (左侧 y 轴) 和磁化强度 < 𝑚 𝑋 > 的空间平均 x 分量 (右侧 y 轴) 的时间轨迹。图中还标出了两个时间轨迹之间的时间偏移 Δ 𝑡。
在远程激光焊接铜到钢电池选项卡连接器远程激光焊接过程中，光电二极管的特征用于检测部分部分间隙和焊接渗透深度
本文介绍了传感器表征，以在电池选项卡连接器的远程激光焊接（RLW）期间使用基于光电二极管的信号来检测部分部分间隙和焊接渗透深度的变化。基于光电二极管的监测已大部分用于结构焊缝，因为其成本相对较低和易于自动化。但是，在电池选项卡连接器连接过程中，对传感器表征，监测和诊断焊缝缺陷的研究尚不确定，结果尚无定论。通过不同金属薄箔焊接过程中的高变异性进行了。 基于光电二极管的信号是在铜到钢薄层束接头的RLW期间（Ni-Plated Copper 300 µm到Ni-Plated Steel 300 µm）的收集信号。 提出的方法基于对信号的能量强度和散射水平的评估。 能量强度给出了有关焊接过程中发出的辐射量的信息，并且散射水平与累积和未控制的变化有关。 的发现表明，可以通过观察等离子体信号中的级别变化来诊断部分零件间隙的变化，而反射反射没有显着贡献。 结果进一步表明，过度渗透对应于传感器信号中散射水平的显着增量。 讨论了基于监督机器学习的自动隔离和诊断有缺陷焊缝的机会。。基于光电二极管的信号是在铜到钢薄层束接头的RLW期间（Ni-Plated Copper 300 µm到Ni-Plated Steel 300 µm）的收集信号。提出的方法基于对信号的能量强度和散射水平的评估。能量强度给出了有关焊接过程中发出的辐射量的信息，并且散射水平与累积和未控制的变化有关。的发现表明，可以通过观察等离子体信号中的级别变化来诊断部分零件间隙的变化，而反射反射没有显着贡献。结果进一步表明，过度渗透对应于传感器信号中散射水平的显着增量。讨论了基于监督机器学习的自动隔离和诊断有缺陷焊缝的机会。[doi：10.1115/1.4052725]