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电子
摘要：电子，认知计算和传感的大规模现代技术革命为当今物联网（IoT）的开发提供了关键的基础架构，以用于广泛的应用。但是，由于端点设备的计算，存储和通信功能有限，因此物联网基础架构暴露于广泛的网络攻击中。因此，darknet或黑洞（污水坑）攻击很大，并且最近针对多种物联网通信服务发射的攻击向量。由于DarkNet地址空间是作为保留的Internet地址空间演变而来的，在全球合法的主机上不考虑使用，因此任何通信运输IC都被推测为未经请求的，并且独特地认为是探测器，反向散射或错误概括。因此，在本文中，我们在物联网网络中开发，调查和评估基于机器学习的DarkNet流量检测系统（DTD）的性能。主要是，我们使用六种监督的机器学习技术，包括行李决策树的合奏（BAG-DT），ADABOOST决策树共制（ADA-DT），RUSBOOSTED决策树组合（RUS-DT），可优化的决策树（O-DT），可优化的k-nearest k-nearest Inloes noest（O-nearest ofignize k-nearest nearp-egrigheat（o-o-knn）和Optim optig optig optim difcs和optigs ivciminant（Outigizigriminant（O-DSC））和DSC。我们在最近且全面的数据集上评估了已实施的DTD模型，称为CIC-Darknet-2020数据集，该数据集由当代实际的实际IoT通信流量组成，其中涉及四个差异类别，这些类别在一个数据集中结合了VPN和Tor Trapl IC，其中涵盖了涵盖广泛捕获的Cyber-Attacts和Deampersshide Serpect Service的单个数据集。我们的经验绩效分析表明，与其他实施的监督学习技术相比，Bagging集成技术（BAG-DT）更高的准确性和更低的错误率，得分为99.50％的分类精度，低推断开销为9.09 µ秒。最后，我们还与其他现有的DTDS型号进行了对比，并证明我们的最佳结果比以前的最新模型改善了（1.9〜27％）。
电子产品
单元 1：放大器 16 小时 多级放大器：多级放大器的需求和使用、总增益、级联与共源共栅。RC 耦合放大器。达林顿放大器 - 电路、电流增益、Zi、Zo、优点。功率放大器：电压与功率放大器、功率放大器的需求、分类 A 类、C 类（仅提及）B 类：推挽放大器、工作、效率（推导）、交叉失真、谐波失真、互补对称（无变压器）。比较。调谐放大器：需要单调谐和双调谐、工作、频率响应曲线、优点和缺点、耦合说明。JFET - 类型 - p 沟道和 n 沟道、工作和 IV 特性 - n 沟道 JFET、参数及其关系、BJT 和 JFET 的比较。共源放大器、MOSFET：E&D、MOSFET – n 沟道和 p 沟道、构造、工作、符号、偏置、漏极和传输特性、CMOS 逻辑、CMOS 反相器 - 电路、工作和特性。单元 2：反馈放大器和振荡器 10 小时反馈：反馈类型正反馈和负反馈、框图、反馈对 Av、BW、Zi 和 Zo 的影响（仅适用于电压串联反馈放大器电路）。振荡器的需求；正反馈、储能电路 – 振荡、谐振频率。巴克豪森振荡准则、LC 调谐振荡器 - Colpitts 和 Hartley 振荡器、振荡频率（无推导）、最小增益、优点和缺点、RC 振荡器 - 相移和 Wein 桥振荡器（无推导）、频率和最小增益、晶体振荡器、压电效应、等效电路、串联和并联谐振电路、Q 因子。非正弦振荡器：非稳态多谐振荡器，工作波形，频率公式（仅提及），单稳态多谐振荡器，双稳态多谐振荡器（触发器概念）。 单元 3：集成电路 04 小时 IC555 框图和引脚图。 IC555 应用 - 非稳态（推导）和单稳态多谐振荡器，压控振荡器。 施密特触发器。 IC 稳压器：LM317，IC78XX，79XX 系列（框图） 单元 4：运算放大器（Op-Amp） - 理论与应用 11 小时 Op-Amp 框图，引脚图 IC741，规格，理想和实际运算放大器参数的特性 - 输入偏置电流，输入失调电压，输出失调电压，CMRR，斜率 SVRR，失调零，开环运算放大器限制，闭环运算放大器。负串联反馈放大器的框图，反相和非反相反馈电路，增益，R if ，R of 。虚拟接地，单位增益带宽积。应用：加法器 - 反相和非反相，减法器，比例变换器，缓冲器，积分器，微分器（理想和实用）。比较器，过零检测器，有源滤波器 - 巴特沃斯一阶低通、高通、带通、带阻、全通滤波器。二阶滤波器（仅提及）。自学：04 小时 IC 制造技术。推荐教科书 1、运算放大器和线性电路，Ramakanth Gayakwad PHI，第 5 版，2015 年。2. 应用电子学教科书，RS Sedha
2.4.2 先进电子技术 先进电子技术
• 半导体材料的特性 • 半导体二极管 • 双极晶体管（npn 和 pnp） • 双极晶体管的特性 • Ebers-Moll 和 Gummel-Poon 模型 • 双极晶体管的 Spice 参数 • 用作开关的晶体管、有源区和反向区、饱和度 • 用作小信号放大器的晶体管、小信号参数和工作点的计算 • 频率响应的计算 • 米勒定理 • 谐波和失真的评估 • 电流源和电流镜 • JFET • n-MOS 和 p-MOS FET • FET 工作点的计算 • FET 作为小信号放大器 • 集成基础 • CMOS 反相器 • 集成电路中的寄生效应
基准电子
本文件包含《1933 年证券法》第 27A 条（经修订）和《1934 年证券交易法》第 21E 条（经修订）所定义的前瞻性陈述。这些前瞻性陈述是指任何与历史或当前事实不严格相关的陈述，可能包括“预期”、“相信”、“打算”、“计划”、“项目”、“预测”、“战略”、“立场”、“继续”、“估计”、“期望”、“可能”、“将”、“可能”、“预测”等词语，以及类似的否定或其他变体表达。尤其是，有关公司对 2024 年第一季度和财年业绩的展望和指导、未来经营业绩或利润率、创造销售额和收入或现金流的能力、预期收入组合、公司业务战略和战略计划、公司回购普通股、公司对重组费用和无形资产摊销的预期以及公司支付股息的意图等明示或暗示的陈述都是前瞻性陈述。尽管公司认为这些陈述是基于合理的假设并源自合理的假设，但它们涉及公司无法控制或预测的风险、不确定性和假设，涉及运营、市场和一般商业环境，包括公司截至 2022 年 12 月 31 日的 10-K 表年度报告第 I 部分第 1A 项以及公司向美国证券交易委员会提交的任何后续报告中讨论的内容。与客户需求波动、供应链限制、持续通胀压力、外汇波动和高利率的影响、地缘政治不确定性（包括持续的敌对和紧张局势）、贸易限制或利用公司制造设施来支付固定运营成本的能力相关的事件可能会对公司的业务、财务状况、经营业绩以及公司执行计划的能力（或无力）产生影响。如果这些风险或不确定性中的一个或多个成为现实，或者基本假设被证明不正确，实际结果（包括我们未来的经营结果）可能会与所示结果存在重大差异。不应过分依赖任何前瞻性陈述。前瞻性陈述不是业绩保证。本文件中包含的所有前瞻性陈述均基于公司截至本文件日期可获得的信息，公司不承担更新的义务。