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微电子行业的安全与健康指南-DTIC
摘要微电子行业在全国范围内雇用约18万名工人。在半导体组件和集成电路的制造中使用了约95,000个；大约有60,000名用于电容器，电阻和冷凝器的生产；余额生产其他电子产品。这个高科技行业的流行印象是，穿着白色西服的员工在干净，明亮的工作场所穿着白色西装。尽管在许多情况下是准确的，但该行业中的许多高科技工人风险可能会暴露于各种各样的危险物质。科学研究已经确定了该行业内部的许多危险状况和最高的职业疾病率。
定量测量微电子设备中的电场，位于原位的STEM Victor Boureeau 1，Lucas Bruas 2，Matthew Bryan 2
定量测量微电子设备中电场的定量测量由位于原位的STEM Victor Boureeau 1，Lucas Bruas 2，Matthew Bryan 2，Matthew Bryan 2，Jean-LucRouvière3和David David Cooper 2** 1* 1。电子显微镜跨学科中心，EPFL，洛桑，瑞士。2。大学。Grenoble Alpes，CEA，Leti，Grenoble，法国。3。大学。Grenoble Alpes，CEA，Irig-Mem，Grenoble，法国。*通讯作者：David.cooper@cea.fr纳米尺度上字段的定量映射对于了解设备的行为并提高其性能至关重要。从历史上看，这是通过过轴电子全息图执行的，因为该技术已经成熟并提供了可靠的定量测量[1]。近年来，硬件的改进使扫描传输电子显微镜（STEM）实验期间的衍射模式的记录成为可能，从而生成所谓的4D-STEM数据集。越来越多的数据处理方法与特定的采集设置相结合，导致了广泛的像素化词干技术[2]。在这里，我们探讨了以像素化的茎构型进行的差异相位对比度（DPC）技术[3] [4]。它允许根据衍射平面中发射光束的强度位移对电场进行定量测量。我们将展示如何受显微镜和数据处理的配置影响类似DPC的像素化的茎测量值。结果将与电子全息图和仿真进行比较。样品在图1和图2中显示。1（c）。开始，我们将在掺杂的硅P -N结上进行工作，并以对称1 E 19 cm -3的浓度掺杂，在-1.3 V的反向偏置下进行检查。使用此样品，平均内部电位（组合电位）没有变化，偏置电压会增加内置电场。通过聚焦的离子束制备了连接的横截面，并在FEI Titan显微镜中使用Protochips Aduro 500样品支架附着在芯片上进行原位偏置实验，该实验在200 kV下运行。1（a，b），晶体厚度为390 nm，如收敛束电子衍射测量。使用二级离子质谱掺杂剂测量作为输入，用Silvaco软件对结中的电场进行建模。整个连接处的轮廓如图通过离轴电子全息图测量了偏置连接的电场，请参见图。1（c，d），并在除去非活动厚度后与建模很好地一致[1]。反向偏见的P-N连接的电场的大小约为0.65 mV.cm -1，耗尽宽度约为60 nm。已经研究了不同的像素化的茎构和处理方法，以测量连接处的电场。当探针大小大于特征场变化长度时，导致射击梁内部强度重新分布时，使用了一种算法（COM）算法。当传输梁小于场变化并经历刚性变速时，使用模板匹配（TM）算法[5]。2（a）。电场图如图首先，使用低磁化（LM）茎构型，使用的一半收敛角为270 µRAD，相机长度为18 m。连接处的衍射图显示了传输梁边缘处强度的重新分布，因此使用COM加工，请参见图。2（e）和图中绘制了一个轮廓。2（i）。连接点的耗尽宽度似乎约为100 nm，这表明由于LM茎配置的探针大小较大，
可穿戴和可植入软生物电子器件
能够实时记录生理信号并提供适当治疗的高性能可穿戴和植入设备在个性化医疗改革中发挥着关键作用。然而，刚性无机设备与柔软有机人体组织之间的机械和生化不匹配会造成严重问题，包括皮肤刺激、组织损伤、信噪比降低以及使用时间有限。因此，人们投入了大量研究精力，通过使用灵活、可拉伸的设备设计和软材料来克服这些问题。在这里，我们总结了软生物电子学的最新代表性研究和技术进展，包括可变形和可拉伸的设备设计、各种类型的软电子材料以及表面涂层和处理方法。我们还重点介绍了这些策略在新兴软可穿戴和植入设备中的应用。我们最后总结了目前的一些局限性，并对这一蓬勃发展的领域的未来前景进行了展望。
硅芯CX1084微电子5A低压差...
CX1084 系列可调和固定电压调节器旨在提供 5A 输出电流，输入输出差压低至 1V。器件的压差在最大输出电流时保证最大为 1.5V，在较低负载电流时降低。片上微调可将参考电压调整至 1%。电流限制也经过微调，最大限度地减少过载条件下调节器和电源电路的应力。CX1084 器件与较旧的三端调节器引脚兼容，采用 3 引线 TO-220、2 引线 TO-252 封装以及 3 和 2 引线 TO-263（塑料 DD）封装。
EE6009-可再生能源系统IV ...
1。rashid .m。h“电力电子手册”，学术出版社，2001年。2。ion boldea，“可变速度发生器”，泰勒和弗朗西斯集团，2006年。3。rai。G.D，“非传统能源”，Khanna出版，1993年。4。Gray，L。Johnson，“风能系统”，Prentice Hall Linc，1995年。5。Andrzej M. Trzynnadlowski，“对现代电力电子产品”，第二版，
回顾了对生物启发的优化算法的全面综述，包括微电子和纳米光学的应用
摘要：人工智能在日常生活中的应用变得无处不在且不可避免。在那个广阔的领域，一个特殊的位置属于用于多参数优化的仿生/生物启发的算法，该算法在许多区域中找到了它们的使用。新颖的方法和进步正在以加速速度发表。因此，尽管事实上有很多调查和评论，但它们很快就变得过时了。因此，与当前的发展保持同步非常重要。在这篇综述中，我们首先考虑了生物启发的多参数优化方法的可能分类，因为专门针对该领域的论文相对较少，而且通常是矛盾的。我们通过详细描述一些更突出的方法以及最近发表的方法来进行。最后，我们考虑在两个相关的宽域中使用仿生算法的使用，即微电子（包括电路设计优化）和纳米光子学（包括诸如光子晶体，纳米质体的构造和水流的结构的逆设计（包括逆设计）。我们试图保持这项广泛的调查独立，以便不仅可以使用相关领域的学者，还可以使用对这个有吸引力领域的最新发展感兴趣的所有人。
全集成拓扑电子器件
拓扑绝缘体 (TI) 因其独特的物理特性和广阔的应用前景而在光子学和声学领域引起了广泛关注。由于电子学在构建复杂拓扑结构方面具有优势，它最近成为研究各种拓扑现象的一个令人兴奋的领域。在这里，我们利用标准的互补金属氧化物半导体技术在集成电路 (IC) 平台上探索 TI。基于 Su–Schrieffer–Heeger 模型，我们设计了一个完全集成的拓扑电路链，该电路链使用多个电容耦合电感电容谐振器。我们对其物理布局进行了全面的布局后模拟，以观察和评估显着的拓扑特征。我们的结果证明了拓扑边缘状态的存在以及边缘状态对各种缺陷的显着鲁棒性。我们的工作展示了使用 IC 技术研究 TI 的可行性和前景，为未来在可扩展 IC 平台上探索大规模拓扑电子学铺平了道路。
半导体和微电子标准
这份由标准政策跨部门委员会 (ICSP) 半导体和微电子工作组编写的报告概述了联邦政府半导体和微电子标准活动，并推荐了 ICSP 考虑的标准重点领域和优先事项。报告的“向 ICSP 提出的战略标准重点领域的建议”部分列出了联邦政府目前参与的与半导体和微电子相关的标准制定组织，确定了五个重点领域和优先事项，并确定了未来可能产生影响的差距和机会。概况回顾部分概述了每个参与机构的相关半导体和微电子标准活动，包括其使命、半导体和微电子目标、参与标准制定组织、半导体和微电子重点领域和优先事项以及半导体和微电子差距和机会。国家关键新兴技术标准战略表明了半导体和微电子工作组如何与国家关键新兴技术标准战略保持一致。
微电子行业概况
两种最常见的微芯片架构类型是专用集成电路 (ASIC) 和现场可编程门阵列 (FPGA)。ASIC 是量身定制的，专为特定目的而设计和优化，具有优化该应用的性能和效率的优势。GPU 是一个常见的例子。另一方面，FPGA 则更为通用，它牺牲了对任何一种应用的优化，以在更广泛的应用中获得更大的规模经济。正如“现场可编程”所暗示的那样，FPGA 更适合需要不断更新算法的应用，例如无线通信和驾驶辅助系统。2 在国防领域，FPGA 常见于声纳和雷达等应用的信号处理板上。3 然而，这种明确的区别在实践中往往很模糊，因为 FPGA 越来越多地针对人工智能 (AI) 或 5G 等更具体的应用进行量身定制，并且这两种芯片架构在复杂性和精密性方面都涵盖了广泛的产品。