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静电过程手册
静电现象在过去几千年来一直为人所知。1600 年，伊丽莎白一世女王的宫廷医师威廉·吉尔伯特爵士撰写了一本科学性很强的静电学描述书，名为《论磁》。然而，从静电过程在工业领域应用的早期开始，就没有一本全面的手册可供该领域的新手阅读，他们既需要入门知识，又需要足够的具体信息来解决眼前的问题。这本手册是由执业工程师和科学家编写的，他们都是各自专业领域的公认专家，旨在尽可能全面、详细地描述静电过程和相关现象，但只用一卷书的篇幅。在需要可靠信息以便立即应用特定主题的个人和希望将本书作为一般性、核心参考资料的人之间的相互竞争需求之间建立了平衡。因此，本书的组织方式是提供我们目前对该领域的理解和公认做法的汇编；方便查阅广泛的全球文献库；并介绍各个学科的专家，他们共同构成了一个独特的资源库。书中包含了足够的背景或“教程”材料，使初次遇到静电相关问题的技术培训人员能够理解这一领域。书中组织了各种主题区域，以帮助读者识别必要的资源材料
静电场计传感器
哪一款适合您？Monroe 1036E 专为工业应用而设计，在这些应用中，坚固性至关重要。该装置安装在重型 Crouse Hinds 1/2-FS1 电气开关盒中，配有不锈钢盖。Monroe 1036F 更小更轻，便于在不太恶劣的环境中使用。两种类型都内置了用过滤空气或惰性气体吹扫的装置，以防止漂移并在危险区域中提供额外的安全性。（两种 Monroe 1036 传感器均已获得 Factory Mutual 的批准，可用于危险场所。有关详细信息，请参阅规格。）较小的 1036F 中的气流仅通过敏感孔径。为了确保在较大的 1036E 中进行彻底吹扫，气流也会直接流过探头表面。
微机械硅静电Chuck
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酶静电优化研究进展...
图 4. 静电逆设计问题包括寻找反应周围带电残基或点电荷的最佳位置，以降低反应势垒。考虑围绕狄尔斯-阿尔德反应的分区球面，分区的每个斑块分配一个电荷密度（蓝色 - 带负电；红色 - 带正电），理论上可能的环境总数是无限的，因为任何一点的电荷都可以是任何实数值，并且分区可以无限精细。这产生了巨大的搜索空间。此外，由于静电环境的各种配置会产生类似的反应势垒，以及可能的解决方案完全改变反应途径，而这在蛋白质中不再可行，因此解决方案将不唯一。Hartke 和 Sokalski 试图通过使用机器学习或最小化给定反应的 𝐸 !"## 来确定最佳催化环境，从而减少这个搜索空间。
纳米管中栅极静电可控性的增强
近年来，随着半导体技术进入10nm以下技术节点，短沟道效应（SCE）和功耗耗散问题成为场效应晶体管进一步小型化面临的巨大挑战，需要采取强制性措施予以解决。从3nm技术节点开始，环绕栅极结构提高的SCE抑制能力使环绕栅极场效应晶体管登上了历史舞台。本文展示了双栅极纳米管环绕栅极场效应晶体管（DG NT GAAFET）的超强静电控制能力，并与具有相同器件参数设计的纳米管（NT GAAFET）和纳米线环绕栅极场效应晶体管（NW GAAFET）进行了比较。与NT GAAFET和NW GAAFET相比，DG NT GAAFET的I on 分别提升了62％和57％。此外，由于静电控制的增强，DG NT GAAFET 中的 SCE 得到了明显抑制，这可以通过改善 I off 、SS 和 I on /I off 比来证明。另一方面，NT GAAFET 的 I on 与 NW GAA-FET 相当，而与 NW GAA-FET 相比，它的 I off 小 1 个数量级，SS 小近 2 倍，体现了纳米管通道结构的优越性。最后，通过 TCAD 模拟研究验证了纳米管通道结构，特别是双栅极纳米管结构对 L g 缩放的稳健性。关键词：双栅极，纳米管，纳米线，短沟道效应，功耗耗散。
人体静电放电调查
一段时间以来，电子行业已经认识到静电放电 (ESD) 是潜在损坏源，尤其是对半导体器件而言。在此期间，人们一直在努力开发有意义的人体 ESD 脉冲和能够反复将不同电压水平的脉冲施加到半导体器件的设备。目的是确定部件承受特定电压水平的 ESD 脉冲的能力，并将该信息用作部件坚固性的指标。目前，可用设备能够施加在 MIL-STD 883C 等规范中经常描述的 ESD 脉冲作为人体脉冲；但这是正确的脉冲吗？最近的技术论文提出了一些关于 ESD 波形和捕获该波形的方法的有趣问题。IEC 801-2 等规范也导致了 ESD 波形的明显混乱，这些信息来源共同成为促进此项调查的催化剂。
通过静电自组装的DNA夹纳米颗粒
完整的作者清单：伊丽莎白的杰吉斯；俄亥俄州立大学，William G. Lowrie化学与生物分子工程系De Araujo Fernandes Jr.，Silvio；俄亥俄州立大学，William G. Lowrie化学与生物分子工程系；俄亥俄州立大学病理学系和医学院神经研究所；俄亥俄州立大学通过工程和科学研究（CCE-CURES）CUI，YIXIAO治愈癌症；俄亥俄州立大学，生物医学工程罗宾斯，阿里尔；俄亥俄州立大学，物理学；俄亥俄州立大学，生物物理学计划，卡洛斯卡斯特罗；俄亥俄州立大学，机械和航空工程；俄亥俄州立大学，生物物理学计划Poirier，迈克尔；俄亥俄州立大学，物理学；俄亥俄州立大学，生物物理学计划Gurcan，Metin； Wake Forest医学院生物医学信息学中心Otero，Jose；俄亥俄州立大学病理学系和医学院神经研究所；俄亥俄州立大学通过工程和科学研究（CCE-CURES）冬季治愈癌症；俄亥俄州立大学，William G. Lowrie化学与生物分子工程系；俄亥俄州立大学，生物医学工程；俄亥俄州立大学通过工程和科学研究（CCE-CURES）治愈癌症；俄亥俄州立大学生物物理学计划
静电掺杂的概念及相关装置
静电掺杂旨在用超薄 MOS 结构中栅极诱导的自由电子/空穴电荷取代施主/受主掺杂剂种类。高掺杂的 N + /P + 端子和虚拟 PN 结可以在未掺杂层中模拟，从而促进具有丰富功能的创新可重构设备。其独特优点是载流子浓度和极性（即静电掺杂）可通过栅极偏置进行调整。在介绍基础知识之后，我们将回顾采用新兴或成熟技术（纳米线、纳米管、2D 材料、FD-SOI）制造的静电掺杂设备系列。通过强调与传统物理二极管的区别，讨论了 Hocus Pocus 二极管的多个方面。静电掺杂产生了许多具有出色记忆性和锐切换能力的频带调制设备。详细描述了其概念、内在机制和典型应用。
