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木质纤维素和静电辅助压力（Bioleap）的生物催化
在附录A或B至10 CFR第1021部分中列出的一系列动作中， 适用于10 cfr part 1021中列出的行动中的第1021部分。安全，健康或DOE或行政命令的类似要求； （2）要求将废物存储，处置，恢复或治疗设施（包括焚化炉）进行选址和施工或重大扩展，但该提案可能包括分类排除的废物存储，处置，恢复或治疗措施或设施； （3）干扰危险物质，污染物，污染物或cercla排除的石油和天然气产品，这些石油和天然气产品在环境中已经存在，因此会有不受控制的或无法控制的释放； （4）有可能对环境敏感的资源产生重大影响，包括但不限于10 CFR第1021部分（第4）段中列出的资源，D部分（附录B部分）； （5）涉及基因工程的生物，合成生物学，政府指定的有害杂草或入侵物种，除非提出的活动以设计和操作的方式包含或限制，以防止未经授权释放到环境中并按照适用的要求进行，例如在10 cf（5）中列出的1021 cfr Part 1021 cfr part subpart 1021，subpart b。在附录A或B至10 CFR第1021部分中列出的一系列动作中， 适用于10 cfr part 1021中列出的行动中的第1021部分。安全，健康或DOE或行政命令的类似要求； （2）要求将废物存储，处置，恢复或治疗设施（包括焚化炉）进行选址和施工或重大扩展，但该提案可能包括分类排除的废物存储，处置，恢复或治疗措施或设施； （3）干扰危险物质，污染物，污染物或cercla排除的石油和天然气产品，这些石油和天然气产品在环境中已经存在，因此会有不受控制的或无法控制的释放； （4）有可能对环境敏感的资源产生重大影响，包括但不限于10 CFR第1021部分（第4）段中列出的资源，D部分（附录B部分）； （5）涉及基因工程的生物，合成生物学，政府指定的有害杂草或入侵物种，除非提出的活动以设计和操作的方式包含或限制，以防止未经授权释放到环境中并按照适用的要求进行，例如在10 cf（5）中列出的1021 cfr Part 1021 cfr part subpart 1021，subpart b。适用于10 cfr part 1021中列出的行动中的第1021部分。安全，健康或DOE或行政命令的类似要求； （2）要求将废物存储，处置，恢复或治疗设施（包括焚化炉）进行选址和施工或重大扩展，但该提案可能包括分类排除的废物存储，处置，恢复或治疗措施或设施； （3）干扰危险物质，污染物，污染物或cercla排除的石油和天然气产品，这些石油和天然气产品在环境中已经存在，因此会有不受控制的或无法控制的释放； （4）有可能对环境敏感的资源产生重大影响，包括但不限于10 CFR第1021部分（第4）段中列出的资源，D部分（附录B部分）； （5）涉及基因工程的生物，合成生物学，政府指定的有害杂草或入侵物种，除非提出的活动以设计和操作的方式包含或限制，以防止未经授权释放到环境中并按照适用的要求进行，例如在10 cf（5）中列出的1021 cfr Part 1021 cfr part subpart 1021，subpart b。适用于10 cfr part 1021中列出的行动中的第1021部分。安全，健康或DOE或行政命令的类似要求； （2）要求将废物存储，处置，恢复或治疗设施（包括焚化炉）进行选址和施工或重大扩展，但该提案可能包括分类排除的废物存储，处置，恢复或治疗措施或设施； （3）干扰危险物质，污染物，污染物或cercla排除的石油和天然气产品，这些石油和天然气产品在环境中已经存在，因此会有不受控制的或无法控制的释放； （4）有可能对环境敏感的资源产生重大影响，包括但不限于10 CFR第1021部分（第4）段中列出的资源，D部分（附录B部分）； （5）涉及基因工程的生物，合成生物学，政府指定的有害杂草或入侵物种，除非提出的活动以设计和操作的方式包含或限制，以防止未经授权释放到环境中并按照适用的要求进行，例如在10 cf（5）中列出的1021 cfr Part 1021 cfr part subpart 1021，subpart b。适用于10 cfr part 1021中列出的行动中的第1021部分。安全，健康或DOE或行政命令的类似要求； （2）要求将废物存储，处置，恢复或治疗设施（包括焚化炉）进行选址和施工或重大扩展，但该提案可能包括分类排除的废物存储，处置，恢复或治疗措施或设施； （3）干扰危险物质，污染物，污染物或cercla排除的石油和天然气产品，这些石油和天然气产品在环境中已经存在，因此会有不受控制的或无法控制的释放； （4）有可能对环境敏感的资源产生重大影响，包括但不限于10 CFR第1021部分（第4）段中列出的资源，D部分（附录B部分）； （5）涉及基因工程的生物，合成生物学，政府指定的有害杂草或入侵物种，除非提出的活动以设计和操作的方式包含或限制，以防止未经授权释放到环境中并按照适用的要求进行，例如在10 cf（5）中列出的1021 cfr Part 1021 cfr part subpart 1021，subpart b。适用于10 cfr part 1021中列出的行动中的第1021部分。安全，健康或DOE或行政命令的类似要求； （2）要求将废物存储，处置，恢复或治疗设施（包括焚化炉）进行选址和施工或重大扩展，但该提案可能包括分类排除的废物存储，处置，恢复或治疗措施或设施； （3）干扰危险物质，污染物，污染物或cercla排除的石油和天然气产品，这些石油和天然气产品在环境中已经存在，因此会有不受控制的或无法控制的释放； （4）有可能对环境敏感的资源产生重大影响，包括但不限于10 CFR第1021部分（第4）段中列出的资源，D部分（附录B部分）； （5）涉及基因工程的生物，合成生物学，政府指定的有害杂草或入侵物种，除非提出的活动以设计和操作的方式包含或限制，以防止未经授权释放到环境中并按照适用的要求进行，例如在10 cf（5）中列出的1021 cfr Part 1021 cfr part subpart 1021，subpart b。适用于10 cfr part 1021中列出的行动中的第1021部分。安全，健康或DOE或行政命令的类似要求； （2）要求将废物存储，处置，恢复或治疗设施（包括焚化炉）进行选址和施工或重大扩展，但该提案可能包括分类排除的废物存储，处置，恢复或治疗措施或设施； （3）干扰危险物质，污染物，污染物或cercla排除的石油和天然气产品，这些石油和天然气产品在环境中已经存在，因此会有不受控制的或无法控制的释放； （4）有可能对环境敏感的资源产生重大影响，包括但不限于10 CFR第1021部分（第4）段中列出的资源，D部分（附录B部分）； （5）涉及基因工程的生物，合成生物学，政府指定的有害杂草或入侵物种，除非提出的活动以设计和操作的方式包含或限制，以防止未经授权释放到环境中并按照适用的要求进行，例如在10 cf（5）中列出的1021 cfr Part 1021 cfr part subpart 1021，subpart b。适用于10 cfr part 1021中列出的行动中的第1021部分。安全，健康或DOE或行政命令的类似要求； （2）要求将废物存储，处置，恢复或治疗设施（包括焚化炉）进行选址和施工或重大扩展，但该提案可能包括分类排除的废物存储，处置，恢复或治疗措施或设施； （3）干扰危险物质，污染物，污染物或cercla排除的石油和天然气产品，这些石油和天然气产品在环境中已经存在，因此会有不受控制的或无法控制的释放； （4）有可能对环境敏感的资源产生重大影响，包括但不限于10 CFR第1021部分（第4）段中列出的资源，D部分（附录B部分）； （5）涉及基因工程的生物，合成生物学，政府指定的有害杂草或入侵物种，除非提出的活动以设计和操作的方式包含或限制，以防止未经授权释放到环境中并按照适用的要求进行，例如在10 cf（5）中列出的1021 cfr Part 1021 cfr part subpart 1021，subpart b。
由静电掺杂驱动的单层MOTE2中的结构相变
过渡金属二盐元化（TMDS）的单层表现出许多具有不同结构，对称性和物理特性1-3的晶体相。在二维4中探索这些不同的结构阶段之间的过渡物理学可能会提供一种切换材料特性的方法，这对潜在的应用有影响。由热或化学方法5,6诱导；最近提出，通过静电掺杂对晶体相纯粹的静电控制是一种理论上的可能性，但尚未实现7,8。在这里，我们报告了单层钼二硫代硫醇的六边形和单斜阶段之间静电掺杂驱动的相变的实验证明（Mote 2）。我们发现相变显示了拉曼光谱中的滞后环，并且可以通过增加或降低栅极电压来逆转。我们还将第二谐波生成光谱与极化分辨的拉曼光谱结合在一起，以表明诱导的单斜相保持原始六边形相的晶体取向。此外，这种结构相变于整个样品同时发生。这种结构相变的静电掺杂控制为基于原子薄膜开发相变设备的新可能性开辟了新的可能性。分层TMD中通常研究的晶体形式是最稳定的六边形（2H）相。在这种情况下，如图有趣的是，实验研究报道了另一种分层晶体结构，即单斜（1T'）相。1a，每个单层由一层六角形的过渡金属原子组成，并将其夹在两个层的chalcogen原子1之间。与散装形式不同，单层2H TMD成为直接带隙半导体和断裂反转对称性，在布里远区域9,10的角落形成了不等的山谷。这种山谷的自由度，以及在低维度中的强烈激子效应，使该阶段成为二维谷LeTronics和Optoelectronics 11-13的独特平台。在这里，在每个层中，丘脑原子在过渡金属原子周围形成一个八面体配位，沿y轴14的晶格失真（图1b）。与半导体2H相不同，半金属或金属1T'单层TMDS保留反转对称性，预计将表现出非平凡的拓扑状态2,3。2H和1T'相之间过渡的动态控制可以揭示不同晶体结构的竞争，共存和合作，以及不同的物理特性之间的相互作用15。这种控制还导致广泛的设备应用，例如记忆设备，可重新配置的电路和拓扑晶体管在原子上较薄的限制为2,16,17。到目前为止，通过在500°C下的热合成进行了实验报告TMD中的2H到1T'相变（参考5），通过元素取代18和激光照射19。但是，这些相变仅在几层或
离子纳米晶体管中功绩热电图的静电控制
半导体纳米结构对实施高性能热电发电机提出了很大的希望。的确，他们预计他们将提供降低的导热率，而不会在电导率上进行大量权衡，这是优化功绩热电图的关键要求。在这里，提出了一种新型的纳米式体系结构，其中用离子液体用作热构造栅极介电。这些设备允许在悬浮的半导体纳米线中对电运转运的现场效应控制，其中可以使用全电动设置同时测量热导率。可以合并有关在单个纳米版本上采用的电气和热传输特性的实验数据，以提取ZT，指导装置优化和热电性能的动态调整。
在原子薄的异质结构中的静电陷阱中受控的层间激子电离
原子上薄的半导体异质结构提供了一个二维（2D）设备平台，用于产生高密度的冷，可控制的激子。中间层激元（IES），绑定的电子和孔定位于分开的2D量子井层，具有永久的平面外偶极矩和长寿命，从而可以根据需要调整其空间分布。在这里，我们采用静电门来捕获并控制它们的密度。通过电气调节IE鲜明的偏移，可以实现2×10 12 cm-2以上的电子孔对浓度。在此高IE密度下，我们观察到指示了指示IE离子化过渡的线宽扩大，而与陷阱深度无关。该失控的阈值在低温下保持恒定，但增加了20 K，与退化IE气体的量子解离一致。我们在可调静电陷阱中对IE离子化的演示代表了朝着实现固态光电设备中偶极激子冷凝物实现的重要步骤。
利用静电和
摘要：随着空间碎片对卫星运行的威胁越来越大，迫切需要能够在低地球轨道上有效捕获碎片的先进机器人系统。本文介绍了配备静电粘附机制的机械臂的开发和优化，该机械臂专为微重力环境设计。主要目标是设计一种多功能、轻便的机械臂，可以安全地捕获和固定各种类型的碎片，包括非磁性和复合材料。主要特点包括用于适应性抓握的静电粘合垫、用于以最小的机械复杂性增加伸展范围的伸缩式延伸臂以及用于简化碎片检索和处理的可伸缩存储轮廓。通过详细的计算，我们确定了所需的粘合力，以抵消作用在碎片上的惯性和重力，确保即使在较小的卫星机动过程中也能安全捕获。静电充电系统旨在产生足够的粘合力，并计算了电荷要求和垫尺寸以实现安全粘合。本文详细介绍了设计、力计算和组件选择，使机械臂高效、轻便、适应性强，有助于更安全、更有效地清除空间碎片。
半导体中的静电效应和拓扑超导率⠍超导体⠍磁性隔热器混合导线
Majorana零模式（MZM）的成功实现 - 不代表大约的凝结物类似物[2，3]，为拓扑量子构成[4-7]的有前途的平台[4-7]，依赖于拓扑阶段的强大超级超级超级阶段[4-7]，这些阶段是他们[8-8]的固有阶段[8]。在没有天然发生的一维拓扑超导体的情况下，该研究集中在杂化结构[15-17]上，尤其是半导体（SM）电线，在存在磁性纤维相似的情况下，与S-波超导体（SCS）接近耦合，并耦合。即使在存在一些弱 /中度系统不均匀性的情况下，即使在存在某些弱 /中度系统的情况下，也可以确保出现拓扑超导阶段的出现。然而，除了抑制母体超导体的间隙外，轨道效应起着重要作用[25]，并且严重限制了可靠的拓扑超导性的实现，应用的磁性磁场对基于Majorana基于Majorana topolication Quological Qubits的可能的设备布局构成了严重的限制[26]。可能的解决方案是通过将半导体耦合到磁性内硫酸[16，27]来创建所需的Zeeman场。最近，使用INAS纳米线进行了实验性探索，具有超导Al和铁磁EUS的外延层[28-30]。关键的发现是1 t命令的有效Zeeman Field SC EFF（〜0。这些特征在没有重叠的Al和EUS覆盖的小面的杂化结构中不存在[28]。05 MeV）在没有施加的磁场的情况下出现在超导体中，但仅在具有超导体和铁磁绝缘子的壳壳中壳壳[28]。与超导体中有效的Zeeman场的出现相关的是，观察到零偏置电导峰，用于电荷隧穿到半导体线的末端，这与拓扑超导的存在一致。
重新评估惯性静电约束推力器的喷射模式及其在空间推进中的应用
惯性静电约束 (IEC) 利用强电场来产生和约束等离子体。它已广泛用于进行核聚变反应，并在商业上用作活化分析的中子源。本研究调查了 IEC 推进器的两种不同放电模式，即“喷射”模式和“喷雾”模式。本文比较了 IEC 系统在各种初步设计方案下的放电特性，例如阴极网格设计和阴极网格尺寸。高分辨率图像用于在多个操作点进行强度分析。基本法拉第探针用于定性记录等离子体电流密度的变化。结果表明，在更负的电位下偏置阴极会导致网格吸收的电流和可见等离子体的可见强度增加。电流和光强度逐渐增加，直到发生从“喷射”到“喷雾”的模式转变。换句话说，“喷射”模式始终先于“喷雾”模式。此外，背景压力和施加的阴极电位被证明是 IEC 设备的两个主要操作变量。最后，当设备以“喷雾”模式运行时，记录到更高的电流密度，然而，在“喷射”模式下，喷出的等离子体更加准直。
适用于 7 nm FinFET 工艺的可控硅整流器嵌入式二极管静电放电保护
静电放电 (ESD) 引起的损坏是集成电路的主要失效之一。在当今集成电路所采用的 7nm FinFET 工艺中，由于 FinFET 栅极氧化层的厚度减小以及高 k 电介质的可靠性较低，在静电放电 (ESD) 冲击下极其脆弱[1-3]，并且遭遇非致命的 ESD 冲击后，ESD 保护性能会逐渐下降[4,5]。一些 ESD 建模和仿真技术已被用于 FinFET 工艺，以帮助分析 ESD 冲击下的 ESD 保护特性[6-9]。ESD 保护二极管被认为是一种很有前途的 ESD 保护器件[6-8]。具有高鲁棒性的二极管串硅控整流器 (DSSCR) 也被认为是以前技术节点的 ESD 保护装置 [ 10 – 15 ]，但由于其高漏电和闩锁的较大回弹，它不再适用于 7 nm 技术。FinFET 工艺的 ESD 设计仍然是一个巨大的挑战。目前还没有一种具有足够低触发电压 (Vt) 和高故障电流 (It2) 的高鲁棒性 ESD 保护装置。在本文中，我们提出了一种基于 7 nm FinFET 工艺的新型硅控整流器嵌入式二极管 (SCR-D)。制造并分析了具有不同关键设计的这种保护的特性。
采用多目标遗传算法对静电电子透镜进行多标准优化
采用多目标遗传算法 (MOGA) 优化方法，对具有五个电极和两个目标函数的静电电子光学系统的设计进行了优化。考虑的两个目标函数是固定图像平面中一次电子束的最小探针尺寸和镜头内探测器平面上的最大二次电子检测效率。耗时的步骤是计算系统电位。有两种方法可以做到这一点。第一种是使用 COMSOL（有限元法），第二种是使用二阶电极法 (SOEM)。前者使优化过程非常缓慢但准确，而后者使其快速但准确性较低。提出了一种全自动优化策略，其中基于 SOEM 的 MOGA 为基于 COMSOL 的 MOGA 提供输入系统。这加速了优化过程并将优化时间缩短了至少约 10 倍，从几天缩短到几个小时。典型的优化系统的探针尺寸为 11.9 nm，二次电子检测效率为 80%。这种新方法可以在具有一个或多个目标函数和多个自由变量的静电透镜设计中实现，是一种非常高效、全自动的优化技术。
fflamentos噬菌体组装中DNA和外套蛋白之间的可变静电相互作用
从I级丝状噬菌体FD的DNA中切除带有主要外套蛋白基因（基因VIII）的限制片段，该片段感染了大肠杆菌。将此片段克隆到表达质粒PKK223-3中，在该质粒PKK223-3下，它属于TAC启动子的控制，产生质粒PKF8P。噬菌体FD基因VIII类似地克隆到质粒pembl9 +中，使其能够受到位置定向的诱变。通过这种方式，位于48位的带正电荷的赖氨酸残基是该蛋白质C末端附近的四个带电的残基之一，变成了带负电荷的谷氨酸残基。将突变的FD基因VIII从Pembl质粒克隆回表达质粒PKK223-3，从而产生质粒PKE48。在诱导剂的存在下，在大肠杆菌TG 1细胞中强烈表达野生型和突变的外套蛋白基因，分别用质粒PKF8P和PKE48转化，以及产物procoat Procoat Procoat Proceat Procein procoat Procein procoat Procein procoat Procein procein procein procein roceins roceation costance and Insertion to coli coli coli coli nistrane noteMbrane insbrane insbrane nistrane。在C末端区域的侧链上仅2个净正电荷在病毒组装过程的初始阶段显然足够。然而，当对大肠杆菌的非抑制剂菌株进行测试时，突变的外套蛋白无法封装噬菌体R252的DNA，该噬菌体R252是一种含有琥珀色突变的FD噬菌体。另一方面，可以产生细长的杂化噬菌体颗粒，其衣壳中包含野生型（K48）和突变体（E48）亚基的混合物。这表明组装中的缺陷可能发生在病毒组装中的启动而不是伸长步骤处。还发现，在外套蛋白的C末端区域中除去或反转了在该位置的正电荷的其他突变也导致相应更长的噬菌体颗粒的产生。总的来说，这些结果表明Capsid中DNA和外套蛋白之间的直接静电相互作用，并支持DNA和外套蛋白亚基之间的非特异性结合模型，并具有在组装过程中可以变化的stoicheiiemementry。