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硫化氢钝化P型钝化
摘要 - 这项工作报告了硫的应用 - 钝化发射极和后接触（PERC）太阳能电池的应用。发射极表面被硫化氢（H 2 s）气相反应钝化，并用氢化的非晶硅（A-SIN X：H）层盖住。在对称的N+扩散的发射极上的硫钝化显示导致发射极饱和电流密度（J 0N+）在R板，n+≈100Ω/sq处的30 fa/cm 2。在PERC细胞结构中，S-钝化在发射极表面上的应用，后表面被氧化铝（Al 2 O 3）/A-Sin X：H堆栈钝化，在金属化前显示了有希望的隐含敞开电压（IV OC）为686 mV。该IV OC高于A-SIN X：H或SIO 2 /A-SIN X：H钝的发射极表面（分别为675和674 mV），在同一运行中处理的PERC细胞上。然而，在用激光图案，屏幕打印的金属接触沉积和射击的设备制造后，观察到S-Papsiviving Perc细胞的细胞V OC显着下降。尽管如此，用硫的发射极表面实现了〜20％的效率和〜650 mV的V OC。我们确定760 O C接触触发过程降低了S-抑制质量。研究了表面形态，并进行了详细的表面分析以研究S-PASSITITIVIVITINED表面降解的原因。索引项 - N +扩散的发射极，硫化氢反应，丝网印刷金属接触射击，X射线光电子光谱，P-PERC细胞。
具有强系统 - 环境耦合的耗散拓扑相变
研究拓扑问题的主要动机是对拓扑顺序侵害环境的保护。在这项工作中，我们研究了与电磁环境耦合的拓扑发射器阵列。光子发射极耦合会在发射器之间产生非局部相互作用。使用周期性的边界条件为环境诱导的相互作用的所有范围，保留了发射极阵列固有的手性对称性。这种手性对称性保护了哈密顿量，并在林德布拉德操作员中诱导了平等。拓扑相变发生在与发射极阵列的能谱宽度相关的临界光子发射极耦合处。有趣的是，临界点非试图改变边缘状态的耗散速率，从而产生耗散性拓扑相变。在受保护的拓扑阶段，边缘状态从环境诱导的耗散范围内，用于弱光子发射极耦合。然而，强耦合可在发射极间距处的窗口带来稳健的无耗散状态。我们的工作显示了通过电磁环境操纵拓扑量子物质的潜力。
RTV 566 作为“弹簧”应用的可靠性研究
I. 介绍 Zr/O/W(100) 肖特基电子发射体以其高亮度和良好的发射稳定性而闻名 [1]，广泛应用于电子显微镜和电子束光刻系统。肖特基发射体由单晶钨 (100) 尖端组成，该尖端点焊在钨加热丝上，可加热至 1800 K。我们正在为并行电子光刻系统开发直径为 1 毫米的肖特基发射体的微型版本。发射体尖端相对于电子柱中各个电极的对准非常关键。由于热机械原因，尖端在 x − y − z 方向上的位置会随时间而变化，这也会改变电子发射和电子光学。对于数百个发射器的阵列，必须将阵列中各个发射器之间的电子光学特性差异降至最低。在标准肖特基发射器中，尖端在其使用寿命期间在 z 方向上位移 50 µ m。为了补偿这种位移，我们建议使用硅橡胶室温硫化 (RTV) 566 对尖端进行原位位置对准。RTV 566 在 − 115 ◦ C–260 ◦ C 范围内具有良好的热稳定性、低排气性以及与不同材料组良好的粘合性 [2]。RTV 566 广泛应用于各种机械和电子工程应用，如汽车加热软管、芯片键合、太阳能电池、空间应用和火花塞帽。控制 z 轴运动的拟议设计示意图如图所示。1.在
用光子增强大区域闪烁体检测...
A.介电介质中闪烁偶极子排放过程的分析..................................................................................................................................................................................................................提取内部发射光谱𝑌𝑌（𝜔𝜔）和有效的偶极矩方| 𝝁𝝁 | 2 of dipole emitter .......................................................................................................... 7 C. Purcell effect in layered medium ............................................................................................ 9 II.Influence of dipole distribution on the scintillator performance ............................... 17 III.Influence of the loss of the scintillator on the Purcell factor and scintillator performance ........................................................................................................................... 18 IV.Photonic band structure calculation of one-dimensional photonic crystal .............. 20 V. Designs with realistic materials ..................................................................................... 22 VI.Influence of the fabrication error on the scintillation performance ........................ 25 VII.光电探测器的量子效率.......................................................................................................................................................................................................
一项关于在软件pestesting中使用大语言模型的初步研究
原子发射机夫妇集体汇总到辐射场。尽管对单个发射极的激发可能是短暂的，但是它们的集合可以包含一个比单个发射极寿命长几个数量级的光子。我们提供了最佳吸收，长寿命和分散储存和释放的确切条件，该光子在两级发射器的次波长一维晶格中提供了单个光子的释放。特别是我们详细介绍了两个存储方案。第一个是基于单光子谱中近似平坦截面的揭开，因此可以将单个光子存储为具有有效零组速度的波数据包。对于第二个方案，我们利用发射器之间诱导的相互作用的角度依赖性，并通过交换虚拟光子进行介导，这在环上产生了光子的有效捕获电位。在这两种情况下，我们都能在当前可访问的参数中获得高保真光子存储的时间比单个发射极寿命长数百倍。
隧道结钝化接触概念在柔性 CIGS 太阳能电池中的实现
在众多可再生能源技术中，铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）、有机和钙钛矿太阳能电池是技术成熟且经过现场验证的技术。[1–6] 这些技术用于各种场合，如光伏发电厂、光伏建筑一体化、室内能源、电动汽车和小型移动电源。[7–11] 自20世纪50年代初以来，c-Si一直是全球光伏产业的主流产品。[12–14] c-Si太阳能电池的核心结构是在p（或n）型硅衬底上扩散n（或p）型发射极形成的pn同质结。 [15] 在 c-Si 太阳能电池中，这种 pn 同质结至今仍在使用，并且可以通过众所周知的钝化发射极和背面电池及相关架构（例如钝化发射极局部扩散电池和钝化发射极背面全扩散电池）实现约 25% 的高功率转换效率 (PCE)。[16–18] 与 c-Si 太阳能电池不同，CIGS 太阳能电池器件基于 p 型 CIGS 和 n 型 CdS 层之间形成的 pn 异质结。[19–22]
英国排放交易计划：二氧化碳咨询的非二线运输：分析附件
1 DESNZ分析基于DESNZ（2023），“临时英国温室气体进出国家统计数据2022”，https://www.gov.uk/government/statistics/statistics/provisional-provisiality-uk-uk-uk-greenhouse-greenhouse-greenhouse-gas-gas-gas-missions-missions-national-national-national-national-statistics-national-statistics-20222 2 2023: https://reports.view-emissions-trading-registry.service.gov.uk/ets-reports.html 3 See published list Hospital and Small Emitter list here: https://www.gov.uk/guidance/opt-out-of-the-uk-ets-if-your- installation-is-a-hospital-or-small-emitter ;请参阅此处的已发布的UltraMall发射器列表：https：//www.gov.uk/guidance/guidance/opt-uck-o------------------------------------------------------- your-installation-installation-installation-is-is-an-ultra-small-emitter 4 desnz，威尔士政府，威尔士政府，苏格兰政府，苏格兰政府，苏格兰政府和北部环境和北部的事务（北部地区）响应'，https://www.gov.uk/government/consultations/developing-the--uk-emissions-trading-scheme-uk-est
改善了具有内在血浆治疗的ALD ALD AL2O3/SIO2多层的硅表面钝化
总固定负电荷密度q tot≈1×10 13 cm - 2结合使用，低界面缺陷密度D IT为≈1×10 11 ev -1 cm -2。[4-9]虽然低d表示相当好的化学表面钝化，但高负q tot会导致表面上的电子密度降低，从而导致重要的田间效应对C-SI表面钝化产生了贡献。因此，这种高负q TOT诱导n型Si表面上的反转层，而在P型表面上形成了积累层。n型Si表面上的内部层使其易于使用n型金属触点处的寄生分流作用。[10] There- fore, Al 2 O 3 is predominantly applied to p -type c-Si surfaces, such as the rear surface of passivated emitter and rear cell (PERC) passivated emitter and rear cell solar cells – the current mainstream cell design in high-volume production [11,12] – or the front-side boron-doped p + emitter of n -type c-Si tunneling oxide passivating接触（TopCon）太阳能电池，由于其效率更高，目前变得越来越有吸引力。[11,13–15] Al 2 O 3对于高级细胞设计的效率也非常相关，范围为26％，例如后部发射极（TopCon）细胞[16]或在氧化物相互作用的背部接触（polo-ibc）细胞（Polo-ibc）细胞上的聚晶体中的多层si，但有效的效果（均为有效的）（未经跨度） - 未经有效的态度（未经） - 未经有效的态度 - 不及格（Untercive）。 必需的。与单层相比，厚度只有几个纳米层的多层层为在纳米尺度上修改材料特性的机会。[19]最近，对不同表面钝化方案的直接比较表明，Al 2 O 3 [3]仍然有改进的余地，随着设备的效果的改善，这变得越来越重要。一个有趣的例子是所谓的界面偶极层，目前对其进行了强烈的侵略，尤其是用于在金属 - 氧化物 - 氧化导管现场效应晶体管（MOSFET）中的应用以调整所需的平板电压。[18-20]它们是由两个或三个不同的介电层组成的多层，可以简单地通过改变双层或三层的数量来提供增加平坦电压的可能性。这种平流电压偏移的起源是偶极子，仅在该多层的特定接口处形成，仅具有一个极性。例如，已经报道了SIO 2 /Al 2 O 3堆栈，其中仅在一个极性的SiO 2 /Al 2 O 3接口处形成偶极子，但在Al 2 O 3 /SiO 2界面上却没有相反的极性。