抽象目的与自体造血干细胞移植(AHSCT)和alemtuzumab(ALZ)相比,在复发性多发性硬化症患者中进行了结局。用AHSCT治疗的方法(n = 69)接受了环磷酰胺(200 mg/ kg)和兔抗thymocypypyte globulinerg(6.0 mg/ kg)的条件方案。接受ALZ治疗的患者(n = 75)在5天内接受了60毫克的剂量,在1年后3天内重复剂量为36 mg,然后根据需要。随访访问,评估扩大的残疾状态量表评分,不良事件和MR调查至少每年进行。结果,主要结局指标的Kaplan-Meier估计值“没有疾病活动的证据”为88%,而ALZ为3年时为37%,p <0.0001。AHSCT年度复发率的次要终点为0.04,而ALZ为0.1,p = 0.03。在最后随访中,稳定或恶化的患者比例为57%/41%/1%(AHSCT)和45%/43%/12%(ALZ),P = 0.06 p = 0.06不良事件,在接受AHSCT治疗的48/69例患者中,在48/69例患者中出现了3级或更高级别的ALZ和0/75患者,并在Alz接受了100天的治疗。最常见的长期不良事件是甲状腺疾病,AHSCT的甲状腺疾病为3年,为21%,ALZ为46%,p = 0.005。在这项观察性队列研究中得出的结论,AHSCT治疗与维持“没有疾病活动的证据”的可能性更高。在最初的100天内,AHSCT的不良事件更为频繁,但此后在接受ALZ治疗的患者中更常见。
摘要 背景 HER2 是转移性结直肠癌 (mCRC) 的治疗靶点,这一点在曲妥珠单抗和拉帕替尼的关键性 HERACLES-A(结肠直肠癌增强分层的 HER2 扩增)试验中得到证实。HERACLES-B 试验的目的是评估帕妥珠单抗和曲妥珠单抗-美坦辛 (T-DM1) 联合治疗在这种情况下的疗效。 方法 HERACLES-B 是一项单组 II 期试验,试验对象为经组织学证实的 RAS/BRAF 野生型和对标准治疗有耐药性的 HER2+ mCRC 患者。根据 HERACLES 标准,通过免疫组织化学和原位杂交评估 HER2 阳性。患者接受帕妥珠单抗(静脉注射 840 mg,随后每 3 周静脉注射 420 mg)和 T-DM1(每 3 周 3.6 mg/kg)治疗,直至疾病进展或出现毒性。主要和次要终点是客观缓解率 (ORR) 和无进展生存期 (PFS)。采用 Fleming/Hern 设计(H0=ORR 10%;α =0.05;功效=0.85),需要 7/30 缓解才能证明 ORR ≥30% (H1)。结果 31 名患者接受治疗并可评估,其中 48% 接受过 ≥4 线先前治疗。ORR 为 9.7%(95% CI:0 至 28),疾病稳定 (SD) 为 67.7%(95% CI:50 至 85)。 OR/SD ≥4 个月与更高的 HER2 免疫组织化学评分相关(3+ vs 2+)(p = 0.03)。中位 PFS 为 4.1 个月(95% CI:3.6 至 5.9)。在两例患者(血小板减少症)中观察到与药物相关的 3 级(G)不良事件;84% 的周期(n = 296)出现 G≤2 AE,主要是恶心和疲劳。结论 HERACLES-B 试验未达到其主要终点 ORR;然而,基于高疾病控制率、与其他抗 HER2 方案相似的 PFS 和低毒性,帕妥珠单抗联合 T-DM1 可被视为 HER2+mCRC 的潜在治疗资源。试验注册号 2012-002128-33 和 NCT03225937。
读取单光子的量子信息通常是通过量子断层扫描或直接(弱)测量方法来实现的。然而,由于严格的时间模式匹配要求,这些方法在表征超快光源的单个光子方面表征单个光子时面临巨大的挑战。在这里,我们使用自我引用干涉仪从连续波源和飞秒光源中从连续波源和飞秒光源中检索了无法区分的单个光子的空间波函数。我们的方法仅需要九个合奏平均测量。该技术简化了单光子波函数的测量过程,并自动模式与每个自身纠正单个光子匹配,从而可以从超快光源中测量单个光子的空间波函数。
摘要 首次在高压、低温条件下表征了选择性双光子吸收共振飞秒激光电子激发标记 (STARFLEET) 测速技术。研究在美国宇航局兰利研究中心的 0.3 米跨音速低温风洞中进行,流动条件涵盖了该设施的整个运行范围;总压力范围从 100 kPa 到 517 kPa,总温度从 80 K 到 327 K,马赫数从 0.2 到 0.85。检查了 STARFLEET 信号强度和寿命测量的热力学依赖性,因为强度和寿命都会影响测量精度。发现信号强度与密度成反比,而寿命与密度几乎成线性关系,直到接近氮的液汽饱和点。速度测量的准确度和精度是在整个条件范围内评估的,标准误差确定为 1.6%,而精度范围约为自由流速度的 1.5% 至 10%。还观察到精度具有温度依赖性,这可能是由于在较高密度下寿命较长所致。
激光剥离 (LLO) 通常用于将功能薄膜与下面的基板分离,特别是将基于氮化镓 (GaN) 的发光二极管 (LED) 从蓝宝石中分离出来。通过将 LED 层堆栈转移到具有定制特性的外来载体(例如高反射表面),可以显著提高光电器件的性能。传统上,LLO 是使用纳秒级的紫外激光脉冲进行的。当指向晶圆的蓝宝石侧时,蓝宝石/GaN 界面处的第一层 GaN 层吸收脉冲会导致分离。在这项工作中,首次展示了一种基于 520 nm 波长的飞秒脉冲的 LLO 新方法。尽管依赖于亚带隙激发的双光子吸收,但与传统的 LLO 相比,超短脉冲宽度可以减少结构损伤。在详细研究激光影响与工艺参数的关系后,我们开发了两步工艺方案,以制造边长可达 1.2 毫米、厚度可达 5 微米的独立 InGaN/GaN LED 芯片。通过扫描电子显微镜和阴极发光对分离的芯片进行评估,结果显示 LLO 前后的发射特性相似。
图2 LIDT测量的实验设置:λ /2-半波长相板,p-偏振器,w-楔子,l-镜头,镜头,pm -power仪。在这里:红色箭头 - 泵辐射(1.03 µm),绿色箭头 - 泵的第二个谐波(0.515 µm); b)YB的自相关轨迹:kgw(Pharos)辐射,通过自相关器(GECO,Light Conversion Co,Ltd)和C)571 kHz和298 fs的LIDT测量测量(P OUT-输出功率,P IN- IN -ID IND -ID型泵送功率)。
老材料在微电子领域的重要性日益凸显,不仅体现在二级封装(即印刷电路板组装层面),也体现在一级封装(例如,图 1 a 所示的倒装芯片组装)中。1 在这些应用中,各种类型、不同尺寸的焊料凸块用于三维集成电路 (3D-IC) 的复杂互连。1a 典型焊料凸块的构建示意图如图 1 b 所示。当今 300 毫米晶圆级焊料凸块应用技术上最相关的合金材料是电沉积共晶 SnAg。1b 然而,由于 Sn 2+ 和 Ag + 离子的标准还原电位差异很大(ΔE0≈0.94V),通过电化学沉积制造 SnAg 合金是一项艰巨的任务。为了解决这个问题,通常会在 SnAg 电镀液中添加络合剂和螯合剂,这些络合剂和螯合剂选择性地作用于较惰性的 Ag + 离子,从而减慢其沉积速度以与 Sn 2+ 相兼容,并促进两种金属的共沉积。2 这是实现所需合金成分的关键先决条件。3 此类络合剂和螯合剂的另一个补充功能是稳定含 Sn 电解质中的 Ag + 离子,防止其还原为金属 Ag 以及随之而来的 Sn 2+ 氧化
* 计算 Semtive 每千瓦时平均成本时,不包括税收优惠和国家补贴。 * 电网成本基于日间等级。 * Semtive LCOE 是根据低性能阵列和 PPA 模型估算的。
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