“ LLM的最重要属性很快将是他们推理的能力,做出决定,遵循说明并应用工具来创建出色的AI代理。今天,在AI代理商中使用的两个最佳LLM是SONNET 3.5和GPT-4O。”
我们研究了在受不确定性影响的经济中,纳入自然资本动态对最优配置的影响。我们对气候对自然资本的损害以及自然资本与其他生产投入之间的替代弹性给出了新的估计。利用这些估计,我们研究了影子价格如何随模型规范和参数校准而变化。我们的研究结果表明,与标准 DICE 型模型相比,纳入自然资本的模型中碳的社会成本高出 12%。此外,碳的社会成本对最终产出生产函数中的替代弹性高度敏感。考虑到生产力的随机性,碳的社会成本进一步增加了 0.13% 至 39%,具体取决于习惯养成的纳入。
我们调查了将自然资本动态纳入不确定性的经济中最佳分配的影响。我们提出了关于自然资本的气候损害以及自然资本和其他生产投入之间替代弹性的新估计。使用这些估计值,我们检查了阴影价格在模型规格和参数c校准之间的变化。我们的发现表明,与标准骰子类型模型相比,在包含天然资本的模型中,碳的社会成本高12%。此外,碳的社会成本对替代的弹性高度敏感。生产力的随机性质进一步将碳的社会成本提高了0.13%至39%,具体取决于习惯形成。
2025 年 1 月 30 日星期四至 2 月 1 日星期六,佐治亚州档案馆和非裔美国人历史和家谱学会 (AAHGS) 亚特兰大都市区分会将举办 2025 年非裔美国人历史和家谱研讨会。为期三天的活动将重点讨论佐治亚州的非裔美国人,重点介绍民权运动和家谱。这项免费活动将在佐治亚州档案馆举行,地址为 5800 Jonesboro Rd., Morrow, GA 30260,很大程度上得益于克莱顿县旅游局的慷慨资助。每天上午 8:45 开门。某些会议的座位有限,每天都需要注册。注册将于 2025 年 1 月 29 日晚上 11:59 截止。请在此处注册:https://forms.office.com/r/4zQxJ5D3VZ。如对注册有任何疑问,请发送电子邮件至 Robin Klemm(robin.klemm@usg.edu)。
Belcamp,马里兰州,2025年1月6日 - 哈福德县公共图书馆1月27日至30日通过主持三个虚拟程序庆祝家谱周。特色节目是:DNA:超出基础知识 - 1月27日下午6:30-8为您的坚实基础增加了基础。佩吉·裘德(Peggy Jude)将分享如何有效使用DNA,可以进一步进行家谱研究。在基础知识上构建,本次会议将涵盖包括使用匹配列表的主题,确定匹配如何相关,优先级匹配,用于进一步研究的工具以及内婚和血统崩溃对DNA匹配的影响。需要在https://programs.hcplonline.org/event/12107486上进行高级注册。您的祖先步行:1月28日下午6:30至8点,使用AI和在线资源的虚拟遗产旅行。主持人丽莎·莱森(Lisa Lisson)将带参与者前往祖先居住的地方。参与者将步行走路的地方,看看他们看到了什么。虚拟遗产旅行增加了对祖先围绕文化,政治和经济状况的理解,这些文化,政治和经济环境帮助家庭历史学家找到祖先并更深入地与他们建立联系。需要在https://programs.hcplonline.org/event/12107494上进行高级注册。使用FamilySearch:免费的家谱网站,1月30日下午6:30-8:00此程序概述了familysearch.org上可用的功能和资源。参与者将考虑建立一棵家谱,搜索历史记录,保存照片和其他记忆以及FamilySearch及其当地会员库和中心提供的独特实时帮助服务。(可以从哈福德县公共图书馆的网站hcplonline.org/genealogy.php。访问FamilySearch)需要在https://programs.hcplonline.org/event/12107498上进行高级注册。除了虚拟程序外,家谱讨论小组在
港口特征 位于麦基诺海峡、德拉蒙德岛和北水道区域之间休伦湖北岸的 36 个岛屿组成的群岛 授权:根据 1960 年《河流与港口法》第 107 条,由总工程师于 1967 年 3 月 15 日授权 浅吃水休闲港口 项目深度 7 英尺 超过 7.5 英里的维护联邦水道和多个港口 主要利益相关者:美国海岸警卫队、当地船厂和码头、密歇根州划船工业协会、美国森林服务局(政府岛)、密歇根州 DNR(州土地-岛屿财产)、土地保护区(TNC、LTC Leopold 等)、海洋历史财产、包租船、渡轮运营、部落/商业/休闲垂钓者以及岛上居民 为从麦基诺岛到圣玛丽斯河的旅客提供安全通道,并为部落成员、航海者、垂钓者、渡轮、水上船只和休闲船只
微电子设备的微型化要求制造技术达到原子级精度,特别是在薄膜沉积方面。原子层沉积 (ALD) 因其在控制复杂三维结构上的薄膜厚度和成分方面的精度而受到认可。本研究重点研究了钌 (Ru) 的 ALD 成核和生长机制,钌是一种对未来微电子学具有重大影响的金属。尽管具有诸多优势,但将高表面自由能材料(如 Ru)沉积在低表面自由能材料(如氧化物)上通常面临成核延迟大和生长不均匀的挑战。为了应对这些挑战,我们探索了使用三甲基铝 (TMA) 或二乙基锌 (DEZ) 进行有机金属表面预处理以增强 Ru 薄膜成核和生长的有效性。我们的研究采用了一种研究较少的 Ru 前体,环戊二烯基乙基(二羰基)钌 [RuCpEt(CO) 2 ],它在减少成核延迟和增加薄膜连续性方面表现出良好的效果。 Ru ALD 在具有天然氧化物的硅基板上进行,使用 RuCpEt(CO) 2 和 O 2 作为共反应物。我们的研究结果表明,表面预处理显著提高了最初 60 个 ALD 循环内的成核密度和膜厚度,与未经预处理的基板相比,Ru 表面覆盖率提高了 3.2 倍。在密度泛函理论计算的支持下,我们提出,与之前研究的 Ru(Cp) 2 相比,RuCpEt(CO) 2 观察到的增强成核是由于两种关键机制:沉积过程中 CO 配体的促进去除,从而增强了前体的反应性,以及涉及 RuCpEt(CO) 2 的乙基配体和表面上的金属烷基团的氢提取反应。这项研究不仅加深了我们对 Ru ALD 工艺的理解,而且还强调了前体化学和表面处理对优化 ALD 以用于高级微电子应用的重大影响。