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掺杂选择性蚀刻 - 脱毛 - 薄薄的...
摘要 - 背面照明（BSI）3D堆叠的CMOS图像传感器对于包括光检测和范围（LIDAR）在内的各种应用中引起了重大兴趣。这些设备的3D集成中的重要挑战之一涉及单个光子雪崩二极管（SPAD）晶圆的良好控制的背面稀疏，后者堆叠着CMOS WAFERS。背面晶圆稀疏通常是通过硅的回培养和掺杂敏感的湿化学蚀刻的组合来完成的。在这项研究中，我们开发了一种基于量身定制的HF：HNO 3：CH 3 COOH（HNA）化学的湿蚀刻过程，能够在P+/P硅过渡层中实现蚀刻层，具有高掺杂级别的选择性（> 90：1）。在300毫米晶片中证明了〜300 nm的极佳总厚度变化的可行性。此外，还表征了包括染色和表面粗糙度在内的HNA蚀刻硅表面的众所周知的特性。最后，提出了一种湿的化学尖端方法来减少表面粗糙度。
一种新颖的硬掩模到基板图案转移方法
结构（参见图 2 (1)-(9)），尽管很快意识到可以轻松进行进一步简化，以减少这些结构所需的处理步骤数。例如，SiO 2 层中的最终台阶高度可以完全用烘烤的光聚合物代替，从而减少一轮（光刻 + SiO 2 蚀刻）。虽然
深sio2用al和aln面具用于mems设备
摘要。氧化硅基材料（例如石英和二氧化硅）被广泛用于微机电系统（MEMS）。增强其深等离子体蚀刻能力的一种方法是通过使用硬面膜来提高选择性。尽管以前研究了这种方法，但有关在200 mM底物上使用硬面膜来蚀刻基于硅氧化物材料的信息很少。我们提出了使用Al和Aln掩模的无定形氧化硅蚀刻过程开发的结果，并展示了用于蚀刻二氧化硅和石英的结果。在具有两个血浆源的工业反应性离子蚀刻室（RIE）室中比较了三个气体化学（C 4 F 8 /O 2，CF 4和SF 6）及其混合物。已经确定，纯SF 6是最好的蚀刻剂，而ALN比Al更好地提供了较高的选择性和靠近垂直的侧壁角度。建立了无微量蚀刻的一系列蚀刻参数，并使用蚀刻速率为0.32-0.36m/min的工艺在21M-厚的氧化物中创建了高达4：1纵横比的蚀刻结构，并且对（38-49）的Aln Mask的选择性为0.32-0.36m/min。
用于高压功率、高性能 SiC 器件的先进碳膜
关键词：SiC、注入、碳帽、退火、注入、蚀刻我们建议使用高级图案化薄膜 (APF®)，这是一种通过 Applied Producer® 沉积的 PECVD 碳基薄膜系列，用于解决 SiC 器件的几个加工难题：特别是，我们讨论了它作为 (i) 灵活、高质量离子注入掩模的优势，以及 (ii) 在离子注入后高温活化退火期间作为平面和 3D SiC 结构的保护帽层。将 APF 薄膜集成到注入和蚀刻处理块中的好处与普通光刻胶 (PR)、PVD C 帽和 SiO 2 HM 等替代方法进行了对比。碳化硅 (SiC) 具有非常吸引人的特性 1，包括宽带隙（3X Si）、高 E 击穿（10X Si）、高热导率（3X Si 或 GaN）。大尺寸衬底（最大 200 毫米）的出现导致了 SiC 基器件的广泛应用，预计 2027 年的 TAM2 市场规模将达到 63 亿美元。然而，SiC 加工面临着一些独特的挑战，需要解决这些挑战才能充分挖掘这种化合物半导体的潜力。在本文中，我们建议使用高级图案化薄膜 (APF®)，这是一种通过应用材料生产者® 沉积的 PECVD 碳基薄膜系列，可解决几个 SiC 器件加工难题：特别是，我们讨论了它作为（i）灵活、高质量的离子注入掩模，（ii）在离子注入后高温活化退火期间平面和 3D SiC 结构的保护性覆盖层，和（iii）用于改善下一代 SiC 器件的 SiC 沟槽硬掩模 (HM) 图案化的薄膜的优势。在注入和蚀刻处理模块中集成 APF 的优势可与常见光刻胶 (PR)、PVD C-cap 和 SiO 2 HM 等替代方法相媲美。
低偏压六氟化硫等离子体蚀刻硅的现象学建模
使用六氟化硫 (SF 6 ) 等离子体对硅 (Si ) 进行低偏压蚀刻是制造电子设备和微机电系统 (MEMS) 的宝贵工具。这种蚀刻提供了几乎各向同性的蚀刻行为，因为低电压偏置不会为离子提供足够的垂直加速度和动能。由于这种近乎各向同性的行为，上述等离子体蚀刻可作为湿法蚀刻的替代方案，例如在 MEMS 和光学应用中，因为它提供了更清洁、更精确的可控工艺。然而，各向同性的程度以及最终的表面轮廓仍然难以控制。在这项工作中，我们将三维特征尺度地形模拟应用于 Si 中的低偏压 SF 6 蚀刻实验，以帮助工艺开发并研究控制最终表面几何形状的物理蚀刻机制。我们通过准确再现三个不同的实验数据集并详细讨论地形模拟中涉及的现象学模型参数的含义来实现这一点。我们表明，与传统的严格各向同性和自下而上的方法相比，我们的现象学自上而下的通量计算方法更准确地再现了实验结果。反应堆负载效应被视为模型蚀刻速率的普遍降低，这通过比较不同负载状态下模拟的蚀刻深度与实验确定的蚀刻深度得到支持。我们的模型还能够使用给定反应堆配置的单个参数集，准确地再现不同掩模开口和蚀刻时间的报告沟槽几何形状。因此，我们提出模型参数，特别是平均有效粘附系数，可以作为反应堆配置的代理。我们提供了一个经验关系，将反应堆配方的平均粘附系数与可测量的蚀刻几何各向同性程度联系起来。这种经验关系可以在实践中用于 (i) 估计独立实验的平均有效粘附系数和 (ii) 微调蚀刻几何形状。
CRISPR-CAS12A基因组在整个植物水平上使用两个兼容的RNA病毒载体
摘要使用可以在宿主植物中复制并系统地移动的病毒载体以传递细菌CRISPR组件，从而可以在整个植物水平上进行基因组编辑，并避免对劳动力密集型稳定转化的要求。但是，这种方法通常依赖于先前转化的植物，这些植物稳定地表达了CRISPR-CAS核酸酶。在这里，我们描述了使用烟草eTCH病毒（TEV； PotyVirus属）和马铃薯病毒X（PVX; PVX;属Potexvirus）得出的两个兼容的RNA病毒载体的成功无DNA的基因组编辑，这些病毒是在同一细胞中复制的。TEV和PVX载体分别表达CAS12A核酸酶和相应的指导RNA。这种新型的两场媒介系统改善了植物中无病毒诱导的基因组编辑的工具箱，并将促进繁殖更多营养，耐药性和生产性作物的努力。
控制蒸汽冷凝和下游
半导体器件、LED、MEMS、阻隔膜和许多其他先进制造工艺中使用的薄膜沉积和蚀刻技术需要对“湿润”表面进行精确的温度控制，从化学前体输送到废气处理系统。在沉积和蚀刻技术中，可冷凝蒸汽和反应性化学物质可以在前体进料管线、工艺室、连接到工艺室的仪器和管线、废气管理系统、阀门和系统的其他“湿润”区域的内表面上产生冷凝物和/或固体沉积物。同样，其他来源可以通过一种粘附方法通过材料转移和沉积涂覆这些区域。当前体不保持液态或气态时，固体或冷凝物会改变前体输送速率和/或气体电导率，从而改变工艺和工艺控制参数。虽然工艺控制算法可以在一定程度上补偿这些变化，但控制特性的漂移通常会导致薄膜参数发生未被发现的变化，这些变化可能会因运行间或系统间差异而超出规格，从而影响产品产量。此外，限制或避免排气管内的物质沉积可以显著减少维护停机时间要求。
牙菌斑护理和维护.ai
透明保护涂层会受到多种影响，包括：>工业尘埃可能会对漆膜产生化学侵蚀>在一段时间内，累积的污垢和空气中的污染物会与正常风化相结合，可能会使涂层变暗或褪色>鸟粪、昆虫污渍和树液等天然物质可能会在漆膜上留下痕迹或腐蚀。>含盐或其他矿物质的水（如井水）可能会导致涂层褪色
适用于单片后端生产线的“零变化”平台……
图 1 用于 PCM 后端集成的 SiN 辅助硅光子工艺。(a) 器件制造流程图。(b) 测量具有不同数量级联沟槽的波导的透射光谱。插图是级联器件的布局。(c) 采用切割法评估 SiO 2 沟槽蚀刻工艺引入的波导损耗。(d) 制造后的器件的 3D 示意图。后端集成的 SbSe 可实现推挽式 MZI 开关的微调
使用顺序氧化和脱氧氯化反应
摘要：使用O 3（臭氧）和SOCL 2（硫代氯化物）的顺序暴露证明了钼（MO）的热原子层蚀刻（MO）。原位石英晶体微量平衡（QCM）研究对溅射的Mo涂层QCM晶体进行。QCM结果表明，在短暂蚀刻延迟后，Mo Ale显示出线性质量下降与啤酒周期。每次o 3暴露都会观察到明显的质量增加。每次SOCL 2暴露都会发生巨大的质量下降。Mo Ale的每个周期的质量变化（MCPC）是在长时间的SCOL 2暴露后是自限制的。MCPC随着3个暴露时间的较长而增加。原位QCM研究表明，这种软饱和度更长的O 3暴露于Mo的扩散限制氧化引起的。mo蚀刻速率随蚀刻温度逐渐增加。在饱和条件下，在75、125、175和225°C时，mo蚀刻速率分别为0.94、5.77、8.83和10.98Å/循环。X射线光电子光谱（XPS）和原位四倍质谱法（QMS）研究进行了研究，以了解反应机制。XPS在150°C下暴露于O 3后主要在MO表面上显示MOO 3。从QMS研究中，当MO在200°°C中接触MO在MO中暴露于SOCL 2时，监测了挥发性SO 2和MOO 2 Cl 2。这些结果表明，这些结果表明，通过氧化和脱氧氯次反应发生。mo用O 3氧化为MOO 3。随后，MOO 3经历了脱氧氯化反应，其中SOCL 2接受氧气产生SO 2并捐赠氯以产生MOO 2 Cl 2。Additional QCM experiments revealed that sequential exposures of O 3 and SO 2 Cl 2 (sulfuryl chloride) did not etch Mo at 250 ° C. Time-resolved QMS studies at 200 ° C also compared sequential O 3 and SOCl 2 or SO 2 Cl 2 exposures on Mo at 200 ° C. The volatile release of MoO 2 Cl 2 was observed only using the SOCl 2 deoxychlorination reactant.原子力显微镜（AFM）测量结果表明，MO表面的粗糙度与Mo Ale循环缓慢增加。