抽象相干量子发射器是高级量子技术的中心资源。六角硼硝酸盐(HBN)容纳了一系列量子发射器,可以使用诸如高温退火,光学掺杂和用电子或离子辐照等技术进行设计。在这里,我们证明了此类过程可以降低HBN中量子发射器的连贯性,从而降解功能。具体来说,我们表明,在HBN纳米化方案中常规使用的HBN退火和掺杂方法会导致B-中心量子发射器的脱谐。详细表征了Decerention,并归因于在SPE激发期间静电波动并诱导光谱扩散的电荷陷阱的缺陷。当发射器是通过HBN生长的原始薄片的电子束照射来设计的,在HBN的电子束辐射中,B-中心线宽接近涉及干扰和纠缠所需的量子应用所需的寿命极限。我们的工作强调了晶格质量对于在HBN中实现相干量子发射器的至关重要性,尽管人们普遍认为HBN晶格和HBN SPE非常稳定,并且对化学和热降解具有弹性。它强调了对纳米制作技术的需求,这些技术在工程HBN SPES和量子交联技术的设备上时避免了晶体损伤。
六角硼硝酸盐(H-BN)由于其令人难以置信的电气,热和机械性能而近期引起了很多关注。其化学成分导致其化学惰性和无毒性,这使其与石墨材料不同(1)。过去,H-BN由于其摩擦学特性,即摩擦,润滑,表面相互作用。例如,这些特性已被理论上有效为航天器上的涂层,因为其在高温下保持其结构的能力(2,3)。对H-BN的分析较小,因为六角硼氮化硼纳米片(BNNS)也很感兴趣。正如已经发现石墨材料具有广泛的应用程序一样,BNN也是如此。bnns可以用作癌症药物递送的一种方法,因为它比基于石墨烯的材料更具生物相容性和毒性,但保留了许多相同的特性(4)。还发现了在量子信息中使用H-BN的动机,将量子通信科学用作“单光子发射器”(5)。我们对H-BN的特定兴趣源于其在高温下用作紫外光探测器的理论上的使用(6)。
Phuong Vuong,Suresh Sundaram,Vishnu Ottapilakkal,Gilles Patriarche,Ludovic Largeau等。蓝宝石底物方向对III-硝酸盐的范德华外观对2D六边形硝酸硼的影响:对光电设备的影响。ACS应用的纳米材料,2022,5(1),pp.791-800。10.1021/acsanm.1c03481。hal-04460183
从散装到单层guillaume cassabois laboratoire查尔斯·库仑(UMR5221)CNRS-montpellier University,F-34095 Montpellier,法国guillaume.cassabois.cassabois@umontpellier.fr Hexagonal Boron Nitride(Hexagonal Boron Nitride(Hbbn)依靠其低介电常数,高导热率和化学惰性。2004年,高质量晶体的生长表明,HBN也是深层硫酸群域中发光设备的有前途的材料,如加速电子激发[1]在215 nm处的激光证明[1],也证明了激光的表现[1],也证明了LASITIOL ELLICTER ELLICTIOL [1],也证明了LASITER IN-type-type-type-type-type-typepe inter-typepe intype intype-ultraviolet [1]。具有类似于石墨烯的蜂窝结构,大量HBN作为具有原子光滑表面的石墨烯的特殊底物获得了极大的关注,更普遍地是范德华异质结构的基本构建块[3]。我将在此处讨论我们的结果,以从批量到单层的HBN的光电特性。i将首先关注散装HBN,这是一个间接的带隙半导体,具有非凡的特性[4]。i将介绍我们最近的测量结果,揭示了散装HBN中巨大的光 - 物质相互作用[5]。然后,我将向单层HBN讲话。在通过高温MBE在石墨上生长的样品中,在与原子上薄的HBN发射的共鸣中发现了最小的反射率,从而证明了单层HBN的直接带隙[6]。最近通过从散装晶体中去除的单层HBN中的深度硫酸盐中的高光谱成像进一步证实了这些结果[7]。参考
图 1:(a) GaAs 核(蓝色)- Ge 壳(红色)NW 示意图,具有受控晶相:纤锌矿 (WZ)、闪锌矿 (ZB),具有堆垛层错 (SF) 区域。通过 RHEED 原位监测样品,以获得有关 GaAs/Ge NW 晶体结构的实时信息。在 WZ GaAs 生长期间(b)29 分钟(c)35 分钟和六方 Ge 生长期间(d)3 分钟(e)10 分钟,沿 [1-10] 方位角记录的 RHEED 图案。WZ 点以白色箭头突出显示。(f) 45° 倾斜 SEM 图像(二次电子对比度)显示 GaAs/Ge NW。比例尺为 1 m。
最近在二维材料中发现的量子发射器为量子信息集成光子器件开辟了新的前景。这些应用中的大多数都要求发射的光子是不可区分的,而这在二维材料中仍然难以实现。在这里,我们研究了利用电子束在六方氮化硼中产生的量子发射器的双光子干涉。我们在非共振激发下测量了 Hong-Ou-Mandel 干涉仪中零声子线光子的相关性。我们发现发射的光子在 3 纳秒的时间窗口内表现出 0.44 ± 0.11 的部分不可区分性,这对应于考虑不完美发射器纯度后的校正值 0.56 ± 0.11。 Hong-Ou-Mandel 可见度与后选择时间窗口宽度的相关性使我们能够估计发射器的失相时间约为 1.5 纳秒,约为自发辐射设定的极限的一半。使用 Purcell 效应和当前的 2D 材料光子学,可见度可达到 90% 以上。
1 Laboratory of Study of Microstructures, Onera-CNRS, University Paris-Saclay, BP 72, 92322 CHECTILLON CEDEX, France 2 University Paris-Saclay, UVSQ, CNRS, GEMAC, 78000, Versailles, France 3 Tim Taylor Department of Chemical Engineering, Kansas State University Manhattan, KS 66506, USA 4 Laboratory of Multimate and Interfaces, UMR CNRS 5615, Univ Lyon University Claude Bernard Lyon 1, F-69622 Villeurbanne, France 5 Laboratory Mateis, UMR CNRS 5510, Univ Lyon, INSA Lyon, F-69621 Villeurbanne, France 6 Research Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044,日本7电子和光学材料研究中心,国家材料科学研究所,1-1 Namiki,Tsukuba,Tsukuba 305-0044,日本(日期:
损益在2024年第四季度,六边形Purus(“公司”或“集团”)产生了3.96亿诺克的收入,比2023年的相应时期增长了8%。氢基基础设施,氢气动力和电池系统和汽车集成是同比增长的主要驱动因素。2024财年的收入为1,8.76亿,同比增长42%,而收入至少50%。短缺与期望主要是由于某些客户交货的完成延迟,预计将在2025年完成,某些客户订单从2024年转移到2025年。材料成本作为2024年第四季度收入的百分比为58%,而2023年第四季度为56%。在产品组合和特殊物品驱动的COGS利润中的季度波动。2024财年,材料比率的成本为58%,而2023财年为59%。薪资相关的费用显示,在2024年第四季度的顺序下降,其中包括较低的活动水平,加拿大CVIC资金的贡献以及一定成本的资本,占收入的43%(45%)。其他运营费用在2024年第四季度为诺克99(1,22)百万,与第三季度保持稳定。2024年第四季度的总运营费用为500(494)百万,导致运营利润在NOK -104(-129)百万的折旧前(EBITDA),相当于-26%(-35%)的EBITDA利润率。2024年第四季度的营业利润(EBIT)以-517(-181)在2024财年,EBITDA利润率为-19%(-34%),与去年同期相比,与预期相一致。2024年第四季度的折旧和损害为4.13亿诺克,高于2023年第四季度的诺克5200万。诺克(Nok)4,200万,与财产,植物和设备的折旧以及无形资产的摊销有关,而诺克(Nok)1700万,与使用权资产(ROU)折旧有关。此外,2024年第四季度造成了3.53亿诺克的损害,其中诺克的2.27亿涉及德国的商誉损害,诺克1.21亿,与该公司中国业务中固定资产的损害有关。剩下的诺克700万是与退出美国俄亥俄州的旧式租赁协议有关的损害指控。
我们研究了石墨烯型纤维中磁性边缘具有磁边缘的热电效应。分别采用静态的动态均值轨道理论,我们首先表明磁力出现在曲折边缘,用于库仑相互作用的窗口,随着量的大小增加,磁磁性显着增加。然后,我们在非平衡绿色功能方法的框架中使用Landauer形式主义来计算磁性六边形石墨烯池中的自旋和电荷电流,通过改变连接温度的不同量尺寸。虽然在非磁性封闭式石墨烯中,温度梯度驱动电荷电流,但我们观察到具有磁性锯齿形边缘的六边形石墨烯纤维的显着旋转电流。特别是,我们表明,在六角形的“元”配置中,受到弱库仑相互作用的约束,纯旋转电流只能由温度范围内的温度梯度驱动,这对于设备应用来说是有希望的。发现较大的平流可以产生更大的库仑相互作用的窗口,其中这种自旋电流是由磁性曲折边缘诱导的,并且电流的较大值。
Table 1: 1L-G/1L-hBN stacking configurations and corresponding equilibrium separations, BEs, and breathing-mode (out-of-plane zone-center optical phonon) frequencies, obtained by fitting Equation 1 to DMC energy data obtained with both layers forced to adopt the lattice constant of G. C, B, and N atoms are shown as black, orange, and green balls, respectively.六边形sublattices A和B在配置中标记。I.偏移ℓ是从相应的B-N键中心的每个C-C键中心的平面位移。a 1和2是晶格向量,如图1b所示。由于在每种情况下使用相同的DMC 1L能量,因此不同配置的DMC平衡是相关的;因此,差异比绝对BES上的误差线所建议的更精确。相对BES的错误显示在表2中。
