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裂变中角动量的观察后果
§对于给定的z，a和能量（E n = 0，用于自发裂变），弗雷亚从数据或模型（5高斯）参数化§第二片段化质量和二片碎片质量和电荷中选择质量，并获得二进制裂变，质量和电荷保存§从碎片quality中获得的二元裂变，从碎片Q值中获得f ficsive q值，从而获得了范围Q§§§§§§§tke（a H）Sampled（a h）samppled tke（a h）Sampled sam sampled sam sampled sam samppled; TXE obtained by energy conservation § ‘Spin temperature' sets level of rotational energy, remaining TXE given to intrinsic excitation energy § Intrinsic excitation divided between fragments, based on level densities, then thermal fluctuations introduced to obtain final excitation energy sharing § Thermal fluctuations remove energy from TKE to maintain energy conservation, equivalent to width of TKE distribution § Spin fluctuations (conserving angular动量），引入用于蠕动和弯曲模式§§§前平衡排放和n-n≤20meV§所包含的n-机会裂变，首先将片段推出片段，通过发射中子（weisskopf搅拌频谱），直到剩余的能量较小，直到降低了station suption
论文参考：20106 通过高温脉冲激励测量熔铸 AZS 材料的杨氏模量和阻尼的温度依赖性
脉冲激励技术 (IET) 用于测定含锆石的商用非耐火氧化铝-氧化锆-二氧化硅 (AZS) 材料的杨氏模量和阻尼。杨氏模量的温度依赖性在 900 °C 左右（加热过程中）急剧下降，在 1000 °C 时达到最小值，随后再次增加。随后在 1000 °C 以上急剧增加和冷却过程中的滞后现象表明，这种弹性异常与氧化锆的单斜到四方相变有关。阻尼的温度依赖性在 300-400 °C 范围内显示出明显的阻尼峰，这对氧化锆来说也是典型的，并且在 700-800 °C 以上阻尼急剧增加，这比杨氏模量急剧下降的开始温度低约 100 °C 并且没有表现出任何滞后现象。该高温阻尼峰可能受到少量晶间玻璃相的软化行为的影响。
阵风预览 H2 和 H∞ 控制的风洞研究...
5.4 在 1.4Hz 激励下 4 ◦ 阵风激发的机翼根应变时间历史... 54 5.5 H 2 闭环机翼根应变对阵风激励的响应时间历史... 55 5.6 H 2 闭环外侧副翼偏转对阵风激励的时间历史 55 5.7 H 2 闭环内侧副翼偏转对阵风激励的时间历史... 56 5.8 阵风激励下 H ∞ 闭环翼根应变响应的时间历史 56 5.9 阵风激励下 H ∞ 闭环外侧副翼偏转的时间历史 57 5.10 阵风激励下 H ∞ 闭环内侧副翼偏转的时间历史 57 5.11 加权和加权翼根应变的 Bode 幅值图 . . . . . . . . . 59 5.12 采样时间为 0 . 01 s 的 H 2 合成 . . . . . . . . . . . . . . . 59 5.13 采样时间为 0 . 01 s 的 H ∞ 合成 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 5.14 标准化翼根应变对标准化阵风激励的响应的 Bode 图 60 5.15 标准化外侧副翼对标准化阵风激励的响应的 Bode 图 61 5.16 标准化内侧副翼对标准化阵风激励的响应的 Bode 图 61 5.17 H 2 闭环翼根应变对阵风激励的响应时间历史 . 62 5.18 H 2 闭环外侧副翼偏转对阵风激励的时间历史 62 5.19 H 2 闭环内侧副翼偏转对阵风激励的时间历史 . 63 5.20 H ∞ 闭环翼根应变对阵风激励的响应时间历史 63 5.21 H ∞ c 的时间历史
引用：Sharbirin AS，Kong RE，Mato WB等。通过与Ti 2 N
二维（2D）过渡金属二北元化（TMD）是原子上薄的半导体，在整个可见光谱中具有有希望的光学应用。然而，它们本质上弱的光吸收和低光质量量子产率（PLQY）限制了它们的性能和潜在用途，尤其是在紫外线（UV）波长光范围内。衍生自2D材料（2D/QD）的量子点（QD）提供有效的光吸收和发射，可以调节能量的光波长。在这项研究中，我们通过与2D/QD的杂交（尤其是Ni-Tride MXENE MXENE MXENE MXENE MXENE MXENE QD（TI 2 N MQD）和nitride nitride QD）（GCD）（GCD）（GCD）（GCNQ）（GCNQ）（gcnqd），通过杂交与2D/QD杂交在UV范围内大大增强了单层（1L）二硫键（WS 2）的光子吸收和PLQ。With the hybridization of MQD or GCNQD, 1L- WS 2 showed a maximum PL enhancement by 15 times with 300 nm wavelength excitation, while no noticeable enhance- ment was observed when the excitation photon energy was less than the bandgap of the QD, indicating that UV absorp- tion by the QD played a crucial role in enhancing the light emission of 1L-WS 2 in our 0D/2D混合系统。我们的发现提出了一种方便的方法，用于增强1L-WS 2的光响应到紫外线，并为使用1L-TMD收集紫外线能量提供令人兴奋的可能性。
隧道磁阻效应的动态噪声特性...
隧道磁电阻（TMR）传感器具有灵敏度高、易于小型化、功耗低等优点，有很大潜力成为高性能的磁场测量传感器。由于TMR磁传感器具有复杂的噪声特性，探究TMR磁传感器的噪声特性对指导其应用具有重要意义。本文研究了不同激励下TMR磁传感器的噪声特性。研究发现，交流激励下TMR磁传感器的噪声分离为：一部分噪声依赖于激励，与输出信号同步移至激励频率。剩余部分噪声与激励无关，停留在低频带。通过噪声数据的定量分析，我们发现与激励相关的噪声约占总噪声的70%，与激励无关的噪声约占30%。结果表明，在交流激励下，70%的噪声被同步调制，30%的噪声从信号中分离出来，为TMR磁传感器的应用提供了重要的指导。
DNA/DNR-AI-254
输入 通道数 4 配置 支持所有常见的输入/激励配置（例如4、5 和 6 线） 分辨率 16 位 精度 0.1% 输入阻抗 100 kOhm 最大输入电压 28 Vrms（需要 6.7 Vrrms 以上的外部激励） 激励频率 100 Hz 至 5.0 kHz，可编程，分辨率为 1 Hz，总体精度为 ±1.0 % 激励电压 2-6.7 Vrms，可编程，分辨率为 0.05 Vrms，总体精度为 ±0.1% 激励驱动 6.7 Vrms 时为 50 mA，6 Vrms 时为 65 mA 初级阻抗 6 Vrms（或更低）时最小为 90 Ohm，10 Vrms 时最小为 200 Ohm 更新率 最多为激励频率的 1 倍。默认速率为激励频率的 1/10 模拟输出 通道数 4 配置 2 线、3 线或 4 线 分辨率 16 位 输出精度 0.1% 输出电压 2 至 6.7 Vrms（需要大于 3.35 VRMS 的 3 线模拟输出将需要外部变压器耦合器。对于更大的输出，请参阅 DNx-AI-256） 输出驱动电流 最大 50 mA 通用规格 工作温度 经测试 -40 °C 至 +85 °C 振动 5g（工作） 冲击 100g（工作） 湿度 0 至 95%，无凝结 海拔 120,000 英尺 MTBF 275,000 功耗 8.2 瓦，（最大激励驱动）
b'其次，我们定义一个模拟元素池 P ( \xcb\x9c A, N MO )，其中包含所有独特的单量子比特和双量子比特激发演化，分别为 180 \xcb\x9c A ik ( \xce\xb8 ) 和 \xcb\x9c A ijkl ( \xce\xb8 )，其中 i、j、k、l \xe2\x88\x88{ 0 , N MO \xe2\x88\x92 1 } 。该池的大小为 || P ( \xcb\x9c A, N MO ) || = N MO 2 +3 N MO 4 。181'
b'其次，我们定义一个模拟元素池 P ( \xcb\x9c A, N MO )，其中包含所有独特的单量子比特和双量子比特激发演化，分别为 180 \xcb\x9c A ik ( \xce\xb8 ) 和 \xcb\x9c A ijkl ( \xce\xb8 )，其中 i、j、k、l \xe2\x88\x88{ 0 , N MO \xe2\x88\x92 1 } 。该池的大小为 || P ( \xcb\x9c A, N MO ) || = N MO 2 +3 N MO 4 。181'
闪烁检测器
★发光：吸收能量后光子的发射（可见光，UV，X射线）。Energy deposition in the material by ★ Light ➔ Photoluminescence ★ Heat ➔ Thermoluminescence ★ Sound ➔ Sonoluminescence ★ Electric energy ➔ Electrolumineszence ★ Mechanical deformation ➔ Triboluminescence ★ Chemical reactions ➔ Chemoluminescence ★ Living organism ➔ Bioluminescence ★ Scintillation: Emission of photons following the excitation of atoms and molecules by radiation ( γ或粒子辐射）。★荧光：通过吸收光或其他电磁辐射的物质发射光的物质。在大多数情况下，发射光的波长更长。排放之后不久（Ass.10 ns）。★磷光：与荧光相似，但是重新排放不是立即的。能量水平和光子发射之间的过渡延迟（MS最多小时）。
mapbbr3的激发状态动力学：超快时时间的激发和自由载体的共存
摘要：甲基铵铅三纤维胺钙钛矿（Mapbbr 3）是重要的材料，例如，用于发光应用和串联太阳能电池。相关的光物理特性受激发态以激发态的复杂且相对较少理解的相互作用和自由电荷载体的相互作用而产生的许多现象。在这项研究中，我们在可见光和Terahertz范围内结合了瞬态光谱镜，以在各种光子能量和密度下激发时在超快时在超消极时段研究激发子和自由载体的存在。对于上述和谐振带隙激发，我们发现自由电荷和激发子共存，并且两者主要是在我们的50 - 100 fs实验时间分辨率中迅速生成的。然而，随着对谐振带隙激发的调子能量降低，激子与无电荷比增加。自由电荷签名主导了瞬时启动激发和低激发密度的瞬时吸收响应，从而掩盖了激发型特征。具有谐振带隙激发和低激发密度，我们发现尽管激发子密度增加，但仍保留自由电荷。我们表明，激子将其定位到浅陷阱和/或Urbach尾部状态中形成局部激子（在Picseconds的数十个内部），后来被逐渐降低。使用高激发密度，我们证明了多体相互作用变得明显，诸如苔藓 - 爆发的偏移，带隙重新归一化，兴奋能源排斥和Mahan激子的形成之类的作用显而易见。■简介在超快时间尺度上，我们在此处证明的激发型Mapbbr 3的激子和自由电荷的共存证实了材料对发光二极管和串联太阳能电池应用的高潜力。
![arxiv：2402.10897v3 [Quant-ph] 2024年6月14日](/simg/d\d3e48b33603a1e69bdf36f8b81f90041c95e6f93.webp)
arxiv：2402.10897v3 [Quant-ph] 2024年6月14日
在光学量子信息处理中，基于半导体材料中的两级系统的单光子源可实现单个光子的需求生成。为了启动伴随发射过程，有必要有效地填充激发态。然而，由于在固态环境中存在电荷噪声和声子诱导的反应性，因此以高效率和高光子不明智的效率和高光子不明智的态度来调解需求的需求仍然是一个挑战。在这里，我们重建了WSE 2量子发射器在发射过程中经历的声子光谱密度，我们将此信息用于理论上分析谐振，声音辅助和量子发射器种群（SUPER）摇摆激励方案的性能。在谐振激发下，我们获得了强烈的声子耦合的激发剂限制为0.80的激动子制剂，而超级方案（或0.89，根据所考虑的发射极类型）提高到0.96（或0.89）。在近谐振的语音辅助激发下，我们的理论预测了近乎统一的激发保真度，最高为0.976（0.997）。此外，我们证明，假设抑制了声子边带，诸如电荷和自旋波动之类的残留脱位机制是破坏光子无法区分性的主导地位的反折叠机制。