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工艺参数对Ag-SiC复合板键合性能的影响...
摘要：对直径25 μ m的Ag-2.35Au-0.7Pd-0.2Pt-0.1Cu合金丝在不同工艺参数下进行了键合性能试验。利用扫描电子显微镜（SEM）研究了电击发（EFO）电流和EFO时间对无空气球（FAB）变形能力的影响，以及超声功率和键合力对键合特性的影响。实验结果表明：随着EFO电流和EFO时间的增加，FAB从预热尖端生长为小球、规则球，最后生长为高尔夫球，在25 mA和650 μ s时FAB呈现最佳形状。当EFO电流为25 mA时，FAB直径与EFO时间呈非线性关系，可用三次方程表示。进一步研究发现，在键合力一定的情况下，随着超声功率的增加，捣碎的球直径越来越大，毛细孔印迹越来越明显，尾部宽度也随之增大，反之亦然。球键合的最佳超声功率为70 mW，键合力为45 gf；楔键合的最佳超声功率为90 mW，键合力为75 gf。最后，在最佳工艺参数下制备的键合线样品，在破坏性拉力测试后均未发生球键合和楔键合剥离现象，在球剪切测试后键合焊盘上金属间化合物完全覆盖，形貌完好，键合线样品具有较高的键合强度，从而提高了微电子产品的可靠性。该研究为含Pt银基键合合金线的可靠性研究提供了技术支持。
重组抗体工程指南 - 白皮书
抗体工程技术出现后，研究人员开始重组产生和产生抗体片段。开发了三个主要碎片，成为许多替代格式的基础。首先，重组Fab是酶消化产生的FAB的一种干净而定义的替代品。第二，单链变量片段（SCFV）是IgG的最小稳定且功能齐全的形式。它由可变的重域和可变光域组成，并在两者之间具有灵活的接头。最后，单个结构域抗体（DAB）缺乏轻链，代表大约15 kDa的最小结合域。单域抗体在骆驼和软骨鱼（例如鲨鱼）中发现，与传统的鼠和人类抗体相比，它们含有更长的CDR环。
美国的筹码：英特尔社区影响报告
•美国的筹码宣布，提议投资高达61.4亿美元的直接资金，用于Micron的拟议直接资金，以构建计划的四个Fab“ Megafab”的前两个Fab，用于领先的DRAM芯片生产，这是多国家投资的一部分； •纽约州北部被白宫指定为在美国劳动力枢纽的投资，用于半导体制造； •NY Smart I-Corridor Tech Hub被授予4000万美元，以协调半导体制造投资，供应链资产，研发和合作伙伴联盟，以建立一个生态系统，为历史悠久的贫困社区提供机会； •东北地区国防技术中心被授予4000万美元，是为国防部微电子部门计划选择的八个区域枢纽之一。
EU的合格声明
所有可靠性测试均已完成，并取得了积极的结果。在最终电测试中均未检测到功能性和参数拒绝。对提交给DIE和包装的测试的样品进行的参数漂移分析显示了主要电气监视参数的良好稳定性。面向包的测试尚未证明任何关键。ESD与ST规格一致。On the basis of the overall results obtained, we can give a positive judgment on the reliability evaluation for MDmesh™ DM6 Technology 8” Wafer Front-end Capacity Extension for Automotive product, in details STHU36N60DM6AG, STH47N60DM6-7TAG,STB47N60DM6AG, STB41N40DM6AG and STI47N60DM6AG与ZVEI指南一致，在SG8”（新加坡）的Fab（新加坡）Fab（日本）和Amkor ATJ6（日本）分包商组装。将在产品STW72N60DM6AG-STWA72N60DM6AG上的结果后立即发布进一步的报告版本。
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- 预计外形、配合度、功能、质量或可靠性不会发生变化 - 预计对产品功能不会产生影响 - 扩散工厂位置或工厂工艺不会发生变化（相同芯片，相同电气分布） - 数据表或测试限值不会发生变化 - 订购代码 12NC（销售部件编号）不会发生变化 - 可通过 Helpdesk+ 从位于荷兰奈梅亨的 BG Analog & Logic ICs 样品店索取样品 产品顶部标记以及卷轴和包装盒标签上的装配位置指示后缀：“t”= ATSN（马来西亚芙蓉 Nexperia 装配测试工厂）“H”= HFTF（合肥通富微电子有限公司）
提高半导体制造能源效率的策略
表 2 显示了 1995 年 1 月 1 日（“1095”）至 1996 年 6 月 30 日（“2096”）期间宣布的美国和世界其他地区工厂的计划建设时间表。我们预计，随着新工厂产能的建设，半导体行业的电力需求将大幅增加。如表 2 所示，对于 1095 - 2096 年宣布的工厂，预计全球增量可能超过 5000 兆瓦。在典型的 90% 负载率下，工厂产能的增加将导致每年增加约 40,000 千兆瓦时的电力销售。然而，由于 1996 年半导体市场状况疲软，这些工厂的建设时间表趋于推迟。更新的时间表信息尚未提供。