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拓扑结节点超导二 -
摘要：二维（2D）杂交有机 - 无机渗透性滑石（HOIP）具有增强的稳定性，高可调性和强型自旋 - 轨道耦合，在广泛的应用中显示出很大的潜力。在这里，我们将2D HOIP的已经丰富的功能扩展到了一个新的领域，实现了拓扑超导性和主要量子计算模式。Especially, we predict that room- temperature ferroelectric BA 2 PbCl 4 (BA for benzylammonium) exhibits topological nodal-point superconductivity (NSC) and gapless Majorana modes on selected edges and ferroelectric domain walls when proximity- coupled to an s-wave superconductor and an in-plane Zeeman field, attractive for experimental verification and application.由于NSC受2D HOIP的空间对称性保护，因此我们设想在此类材料中可以找到更多外来的拓扑超导状态，因为它们的多种非中性空间组可能会在HOIPS和拓扑超导率的田间开设新的途径。关键字：二维，铁电混合钙蛋白，拓扑结节点超导性，边缘/域 - 墙壁Majoragara模式
在HF 0中的铁电和电阻开关之间自由切换。 5 ZR 0。 5 o 2薄膜及其在片上的高精度上应用深度神经
摘要HF 0。5 ZR 0。 5 O 2（Hzo）基于基于铁的铁电场晶体管（FEFET）Synapse是符合处尺度深神经网络（DNN）应用的承诺候选者，因为其高对称性，准确的准确性，良好的准确性和快速运行速度。 然而，随着时间的流逝，由去极化场引起的remanent极化（P R）的降解尚未有效地解决，从而极大地影响了受过训练的DNN的准确性。 在这项研究中，我们证明了使用FE模式进行高速重量训练的铁电（Fe）抗性切换（RS）可切换突触，并进行稳定的重量存储的RS模式，以克服准确性降解。 FE-RS杂交特性是通过具有非对称电极的基于HZO的金属 - 有线金属（MFM）电容器来实现的，最佳的Fe耐力以及最可靠的RS行为可以通过测试多种电极材料来证明。 在FE和RS模式下都可以实现高内存窗口。 通过这种设计，通过网络仿真验证，随着时间的流逝，保持出色的精度。5 ZR 0。5 O 2（Hzo）基于基于铁的铁电场晶体管（FEFET）Synapse是符合处尺度深神经网络（DNN）应用的承诺候选者，因为其高对称性，准确的准确性，良好的准确性和快速运行速度。然而，随着时间的流逝，由去极化场引起的remanent极化（P R）的降解尚未有效地解决，从而极大地影响了受过训练的DNN的准确性。在这项研究中，我们证明了使用FE模式进行高速重量训练的铁电（Fe）抗性切换（RS）可切换突触，并进行稳定的重量存储的RS模式，以克服准确性降解。FE-RS杂交特性是通过具有非对称电极的基于HZO的金属 - 有线金属（MFM）电容器来实现的，最佳的Fe耐力以及最可靠的RS行为可以通过测试多种电极材料来证明。在FE和RS模式下都可以实现高内存窗口。通过这种设计，通过网络仿真验证，随着时间的流逝，保持出色的精度。
Hu等人：通过在铁电HF上插入Al 2 O 3 Interlayer的SI Channel FeFet内存窗口的扩大0.5 Zr 0.5 Zr 0.5 O 2 1 1
afnia（HFO 2）基于硅河道铁电场效应晶体管（HFO 2 Si-fefet）已对非挥发性记忆进行了广泛的研究[1-7]，这要归功于掺杂的hfo 2 [8]中发现铁电性的。HFO 2 Si-fefet的存储窗口（MW）大约是文献报告中的1-2 V [9-12]，该窗口不满足其对在多位数存储单元中应用的要求。最近，通过优化铁电层和栅极侧层间层[13]，在SI-FEFET中报告了最高10.5 V的大型MW [13]。但是，它没有给出层中层的材料。及其物理机制仍未报告和澄清。为了改善MW，通常有两种方法。当前方法之一主要集中于减少掺杂的HFO HFO 2铁电和Si通道之间的底部SIO X互层中的电场，从而抑制了在掺杂的HFO 2 /SIO X界面处的电荷捕获[14-17]。另一种方法侧重于改进SIO X数量。但是，仍然缺乏改善Si FeFet MW的有效方法。
施加应力对薄ZR的铁电性的影响...
摘要：已经广泛研究了基于HFO 2的铁电材料，用于将其用于铁电FET，这与常规CMOS过程兼容。但是，材料固有的疲劳特性的问题限制了其用于设备应用的潜力。本文系统地研究了拉伸应力和退火温度对ZR掺杂的HFO HFO 2铁电灯面临的耐力和铁电特性的影响。残余极化（P R）显示了退火温度的趋势增加，而在与应激或退火温度的关系方面，强制性电场（E C）的变化并不明显。此外，拉伸应力的应用确实有助于将耐力特性提高到两个数量级的数量级，而耐力特性显示出与退火温度负相关的趋势。总体而言，尽管应力对HZO材料的铁电性的影响并不明显，但它对其耐力的特性具有很大的影响，并且可以优化材料的耐力，而铁电性对温度的依赖性更高。通过压力优化HZO材料的耐力特性可以促进其在未来的集成电路技术中的开发和应用。
界面电介质对 FeRAM 设计的影响......
摘要 — 随着铁电铪锆氧化物 (HZO) 在铁电微电子学中的应用越来越广泛，了解有意和无意电介质界面的集成影响及其对铁电薄膜唤醒和电路参数的影响变得非常重要。在这项工作中，测量了在具有 NbN 电极的 FeRAM 应用的电容器结构中铁电 Hf 0.58 Zr 0.42 O 2 薄膜下方添加线性电介质氧化铝 Al 2 O 3 的影响。观察到由线性电介质产生的去极化场会导致铁电体的剩余极化降低。氧化铝的添加还会影响 HZO 相对于施加的循环电压的唤醒。与 FeRAM 1C/1T 单元的设计密切相关，观察到金属-铁电-绝缘体-金属 (MFIM) 设备会根据氧化铝厚度和唤醒循环电压显著转移与读取状态相关的电荷。测量结果显示读取状态分离减少了 33%，这使存储单元的设计变得复杂，并说明了设备中清晰接口的重要性。
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压电材料（更具体地说是铁电材料）的理论描述几乎涵盖了整个物理学和应用数学领域。电活性材料现象早已为人所知，始于 18 世纪在后来被称为罗谢尔盐的物质中发现的塞格奈特电。这些材料将电能、机械能、热能和光能相互转换的基本能力已导致无数的技术应用。因此，关于该主题的文献数量庞大且仍在增长也就不足为奇了。从 Landdolt-Bornstein7,8 的专门用于记录其测量特性的卷册中可以了解到明确涉及压电和铁电物质的工作量。这篇简短的评论将主要关注铁电陶瓷，并将只关注描述该理论主要发展的工作。
超细纳米域工程释放初期铁电的铁电性
摘要：初期的铁电特性已经成为一种有吸引力的功能材料，因为它们的潜力是为外来的铁电行为而设计的，因此具有巨大的希望，可以扩大铁电家族。然而，到目前为止，他们的人工设计的铁电性远远远远没有与经典的铁电抗衡。在这项研究中，我们通过制定超细纳米域工程策略来应对这一挑战。通过将这种方法应用于基于SRTIO 3的膜的代表性初期铁电膜，我们实现了前所未有的强大铁电性，不仅超过了先前的初期铁电磁记录，而且还可以与经典的铁电极相媲美。，薄膜的不分极化可达到17.0μccm-2，超高的居里温度为973 K.原子尺度研究阐明了这种强大的高密度超细性纳米域在跨越3-10个单位细胞中这种强大的高密度超细性纳米域中这种强大的铁电性的起源。将实验结果与理论评估相结合，我们揭示了潜在的机制，在这种机制中，有意稀释的外国FE元素可以很好地产生更深的Landau能量，并促进了极化的短期排序。我们开发的策略显着简化了非常规铁电的设计，为探索新的和上级铁电材料提供了多功能途径。
Kwok Kin Wing教授 comp2013数据结构和算法 生物技术创业的知识产权策略 CSL -2023研究加速计划
通过占据铁电材料的特征的优势，例如可切换的自发极化，相变，牙齿转化，千古和电场引起的菌株，我们在室温下通过无铅铁电磁场的原位电场成功地实现了实时的实时调节和可逆的光发光。基于原位结构研究，还详细阐明了电场和光致发光之间的物理机制和相互作用过程。
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压电材料（更具体地说是铁电材料）的理论描述几乎涵盖了整个物理学和应用数学领域。电活性材料现象早已为人所知，始于 18 世纪在后来被称为罗谢尔盐的物质中发现的塞格内特电。这些材料将电能、机械能、热能和光能相互转换的基本能力已导致无数的技术应用。因此，毫不奇怪，专门用于该主题的文献数量巨大且仍在增长。可以从 Landdolt-Bornstein7,8 的卷册中了解与压电和铁电物质明确相关的工作量，这些卷册专门用于记录其测量特性。这篇简短的评论将主要关注铁电陶瓷，并将仅集中于描述该理论主要发展的工作。
来自竞争铁性有序的超高机电响应
具有机电耦合作用的材料对于换能器和声学设备而言至关重要，因为它们是机能和电能之间的可逆转换器 1–6。高机电响应通常存在于结构不稳定性较强的材料中，传统上通过两种策略实现 - 准同型相边界 7 和纳米级结构异质性 8 。在这里，我们展示了一种不同的策略，通过从竞争的反铁电和铁电序中诱导极端的结构不稳定性来实现超高的机电响应。在相图和理论计算的指导下，我们设计了铌酸钠薄膜中反铁电正交和铁电菱面体相的共存。由于电场诱导的反铁电-铁电相变，这些薄膜显示出高于 5,000 pm V −1 的有效压电系数。我们的研究结果为设计和开发用于机电设备的反铁电材料提供了一种通用方法。