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在铁电体Hf0.5Zr0.5O2上插入Al2O3中间层扩大Si沟道FeFET存储窗口
基于AFNIA（HfO 2 ）的硅通道铁电场效应晶体管（HfO 2 Si-FeFET）在非挥发性存储器领域得到了广泛的研究[1-7]，这得益于掺杂HfO 2 中铁电性的发现[8]。文献报道中HfO 2 Si-FeFET的存储窗口（MW）大多在1-2 V左右[9-12]，不能满足其在多位存储单元应用的要求。为了提高MW，当前的措施主要通过降低掺杂HfO 2 铁电体与Si通道之间底部SiO x 夹层的电场，从而抑制掺杂HfO 2 /SiO x 界面处的电荷捕获[13-16]，同时增加SiO x 的数量。最近，有报道称MIFIS结构可以有效提高MW，并使用SiO 2 作为顶部夹层[17-21]。然而，Al 2 O 3 作为顶层尚未见报道。因此，我们报道 Al 2 O 3 层作为顶层中间层，以及 MW 对 Al 2 O 3 厚度的依赖性。
可逆的疲劳复制程序及其在HF0.5ZR0.5O2外延膜中的机制
摘要HFO 2基于基于HF 0.5 Zr 0.5 O 2的铁电极，由于其CMOS的兼容性和强大的纳米级铁电性，近年来引起了极大的关注。但是，疲劳是铁电应用中最棘手的问题之一。基于HFO 2的铁电特性的疲劳机制不同于常规的铁电材料，并且很少报道了基于HFO 2的基于HFO 2的疲劳机制的研究。在这项工作中，我们制造了10 nm HF 0.5 Zr 0.5 O 2外延膜并研究疲劳机制。实验数据表明，在10 8个周期后，Remanent铁电化值降低了50％。值得注意的是，疲劳的HF 0.5 ZR 0.5 O 2外延膜可以通过施加电刺激来恢复。结合了温度依赖性的耐力分析，我们提出，HF 0.5 ZR 0.5 O 2膜的疲劳来自铁电PCA2 1与抗纤维自由PBCA之间的相变，以及固定的缺陷和抑制了偶极子。此结果提供了对基于HFO 2的胶片系统的基本理解，并可以为随后的研究和未来应用提供重要的指南。
2D铁电器中的新兴多功能性
2D铁电材料分别与磁性/valleytronics，力学和光学的耦合，在信息存储，传感器技术和光电子化中呈现了有希望的应用。2D铁电与磁性的整合通过启用电场控制的磁状态来增强存储设备中的数据存储密度。铁电 - 瓦利耦合通过利用山谷极化的电控制，对高速，低能电子电子设备有望。铁电 - 应变耦合会导致各种极性拓扑，并在高密度数据存储技术和传感器设备中使用潜在的应用。此外，铁电和光学之间的耦合促进了基于铁电材料的非线性光子学的发展。本综述总结了耦合机制中最新的理论进步，包括dzyaloshinskii-moriya-interaction诱导的磁电耦合，与对称性相关的铁电 - 触发器耦合，通过互动式极高的拓扑结构，以及第二个型号，通过互动式互动。提供了为多功能应用的2D铁电材料中耦合的当前挑战和未来的机会。
硬化的电子和辐射技术（心）2023教程 - 复杂性，可检验性和单一事件效果（请参阅）：测试和保证考虑
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底切蚀刻 - 康奈尔纳米级设施
本文报告了基于氮化铝（ALSCN）的设计，制造和实验验证，基于下一代内在计算机中的多重元素（MAC）操作。女性乘数利用ALSCN中的铁电偏振开关改变了压电系数（D 31），促进了神经网络中的权重的非挥发性，模拟记忆存储。然后，使用膜的压电参数来更改电容差距进行读数。在100V V P（5MV/cm）的电压下，铁电薄膜可以部分极化，并达到216 µC/cm 2的峰值残余极化。对光学测量位移的实验结果证实了ALSCN Unimorph乘数的操作。最大共振模式位移线性取决于极化和输入电压。这项工作为在内存计算中利用ALSCN的利用提供了基本见解，开放了用于高速，低功率和高精度计算应用程序的新途径。
cu – oped ...
摘要： - 研究对Cu对Batio 3的结构过渡特性的影响进行了比较研究。对X = 0.1-0.3样品进行了研究，钛酸钡的化学公式为Batio 3。作为粉末，它是白色至灰色的，并具有钙钛矿结构。Batio 3使用最广泛的铁电材料。Batio 3在Curie温度下（T C〜120°C）具有化学公式ABO 3的钙钛矿结构（空间组R3C）。在室温下有四方结构。是铁电材料。铁电体是表现出类似于铁磁性磁性的电活动的结晶材料。由于它们自发的极化，即使在没有外场的情况下，这些材料也会显示出自发的极化，因此滞后作用。这发生在铁电材料中。直到给定温度，可以看到某种类型的行为。称为居里温度（TC）。此动作不超过此TC。到目前为止，我们已经通过合适的Cu掺杂组成（x = 0.1，0.2）来研究并表征了铁电BA 1-X Cu X Tio 3。RT-XRD表征产生了预期的特征峰，其中一些杂质峰表明系统中存在杂质阶段。拉曼峰在拉曼频谱中移动，导致了预期的拉曼模式，即300K时的a，e和混合模式a+e。关键字： - 居里温度，铁电，拉曼光谱，钙钛矿结构。
反铁电氧化物膜中的尺寸诱导铁电性
尽管对铁电体的尺寸效应进行了广泛的研究，但是反铁电体的结构和特性在尺寸减小的情况下如何演变仍然难以捉摸。鉴于反铁电体在高能量密度存储应用方面具有巨大潜力，了解它们的尺寸效应将为优化小尺度器件性能提供关键信息。本文研究了无铅 NaNbO 3 膜中反铁电性的基本本征尺寸依赖性。通过广泛的实验和理论方法，探究了膜厚度减小后有趣的反铁电到铁电的转变。这种尺寸效应导致 40 nm 以下的铁电单相，以及在此临界厚度以上铁电和反铁电序共存的混合相状态。此外，结果表明反铁电和铁电序是电可切换的。第一性原理计算进一步表明，观察到的转变是由膜表面引起的结构扭曲驱动的。这项工作为反铁电体中内在尺寸驱动的缩放提供了直接的实验证据，并展示了利用尺寸效应通过膜平台驱动环境无铅氧化物中的突发特性的巨大潜力。
实验和模型
摘要：提出了一个分析子阈值摇摆（SS）模型，以观察当堆叠的SIO 2-中的FERROCTRIC结构用作无连接双门（JLDG）MOSFET的氧化物膜时，SS的变化。60 mV/dec的SS对于在保持晶体管性能的同时减少功率耗散至关重要。如果使用具有负电容（NC）效应的铁电材料，则可以将SS降低到60 mV/dec以下。使用2D电势分布，SS与从漏极电流和栅极之间的关系得出的SS相吻合。作为分析SS模型得出的结果，发现通过调节硅频道，SIO 2和铁电的厚度，也可以在15 nm通道长度下获得60 mV/dec的SS。，随着SIO 2的厚度的增加，SS根据铁电厚度的变化饱和，并且随着硅通道的厚度减小，几乎是恒定的。
二维半导体的高效柔性催化
作为驱动力，诱导物理或化学电子转移过程来促进催化。[1–3] 自从机械催化被首次提出以来，[4] 它已被广泛应用于材料合成、[5] 水处理、[6] 回收或其他自由基相关化学等各个领域。[7] 近年来，利用压电/热电/铁电半导体的表面极化电荷，压电催化是一种新型的机械催化，已见报道，可通过机械刺激直接实现电化学反应。[8] 变形的压电/热电/铁电半导体的极化可以增强自由电荷和束缚电荷的能量，促进载流子的分离，增加参与催化反应的激发电荷的寿命。 [9,10] 压电催化不仅可以利用环境中的机械振动（如风或波浪），还可以利用工业系统中的冗余振动进行催化。因此，压电催化被认为是一种有前途的绿色机械催化。然而，压电、热电或铁电效应仅表现在具有非中心对称结构的压电材料中，例如纤锌矿结构，[11] 这极大地