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bq297xx单细胞锂离子和Li-Polymer电池的成本效益电压和当前保护电路数据表（Rev. I）
•输入电压范围包+：VSS - 0.3V至12V•FET驱动器： - CHG和DSG FET驱动器输出•跨外部FET的电压传感过度电流保护（OCP）在±5MV（典型）内（典型）（典型）•故障检测 - 过度收取的检测（OVP） - 过度检测（OVER） - 电荷检测（UVP） - URR（UVP） - RURER（UVP） - RURN（UVP） - 持续（UVP） - RURR（UVP） - RURR（UVP） - RURR（UVP） - RURR（UVP） - RURR（UV） （OCD） - 负载短路检测（SCP）•电池耗尽的零电压充电•工厂编程的故障保护阈值 - 故障检测电压电压电压阈值 - 故障触发计时器 - 启用电池充电器的运行方式•启用电池充电器的操作模式 - 启用电池充电器 - 正常模式I CC = 4µA-shatpown IQ = 100NA•运行范围 +8-PIN•运行范围• +8-PIN-4-PIN-4-PIN-4-0-0-00°= - 40°0 = - 40°0°C = –40°C +40°C CCC = –40°c in DSE（1.50mm×1.50mm×0.75mm）
利用多栅极结构实现原子级精度石墨烯纳米带的可调量子点
原子级精确的石墨烯纳米带 (GNR) 因其可大幅改变的电子特性而日益受到关注，这些特性可通过在化学合成过程中控制其宽度和边缘结构来定制。近年来，GNR 特性在电子设备中的开发主要集中在将 GNR 集成到场效应晶体管 (FET) 几何形状中。然而，由于存在单栅极，此类 FET 器件的静电可调性有限。本文报道了将 9 个原子宽的扶手椅型石墨烯纳米带 (9-AGNR) 集成到由超窄手指栅极和两个侧栅极组成的多栅极 FET 几何形状中的设备。高分辨率电子束光刻 (EBL) 用于定义窄至 12 纳米的手指栅极，并将它们与石墨烯电极相结合以接触 GNR。低温传输光谱测量揭示了具有丰富库仑钻石图案的量子点 (QD) 行为，表明 GNR 形成的 QD 既串联又并联。此外，结果表明，附加栅极能够实现纳米结中 QD 的差分调谐，为实现基于 GNR 的多点系统的多栅极控制迈出了第一步。
传感器和执行器：B.化学
场效应晶体管 (FET) 传感器是一种极具吸引力的电位法 (生物) 化学测量设备，因为它们具有快速响应、低输出阻抗以及在标准集成电路制造技术中实现微型化的潜力。然而，这些传感器在实际应用中的广泛采用仍然有限，主要是因为时间漂移和交叉敏感性会在测量中引入相当大的误差。在本文中，我们证明，可以通过联合使用一系列 FET 传感器（针对目标和主要干扰离子进行选择）和机器学习 (ML) 方法来纠正这种非理想情况，以便连续和在现场准确预测离子浓度。我们研究了线性回归 (LR)、支持向量回归 (SVR) 和最先进的深度神经网络 (DNN) 在实际水质评估条件下连续 90 天内收集的组合 H +、Na + 和 K + 离子敏感 FET (ISFET) 读数序列监测 pH 时的预测性能。所提出的 ML 算法是根据从商用 pH 传感器获得的参考在线测量值进行训练的。结果表明，DNN 能够提供超过一周的精确 pH 值监测，与标准的两点传感器校准方法相比，相对均方根误差降低了 73%。
基于二维半导体的Wafer尺度功能电路，并通过机器学习优化的制造
摘要：由对石墨烯的开创性研究触发，已经研究了二维分层材料（2DLM）的家族已有十多年了，并且已经证明了具有吸引力的功能。然而，仍然存在挑战，抑制了高质量的增长和电路水平的整合，而先前研究的结果仍然远远不符合工业标准。在这里，我们通过利用机器学习（ML）算法来评估影响MOS 2顶部门控型晶体管（FET）的电气特性的关键过程参数来克服这些挑战。然后通过ML与网格搜索相结合来指导晶圆尺度的制造过程，以使设备性能（包括移动性，阈值电压和亚阈值秋千）合作。针对MOS 2 FET实施了62级香料建模，并进一步用于构建功能性数字，模拟和光电检测电路。最后，我们介绍了晶圆尺度的测试FET阵列，以及使用行业标准设计流和流程的4位全加法器。总的来说，这些结果在实验中验证了ML辅助制造优化对超硅电子材料的应用潜力。
电子行业路线图
研发技术集成电路设计：• 带有 PMU 和 EHU 的 MCU 的开发• 机器学习在 IC 布局中的应用• 印刷、可重构、自修复、无电池、柔性、纸基、生物、生物相容性、液体、瞬态、可食用和表皮电子产品的开发• 关键技术的开发• 为更多摩尔应用开发逻辑核心设备、DRAM、Flash 和 NVM 技术• 新兴存储设备的开发，包括 FeRAM、MRAM、CBRAM、OxRAM、聚合物存储器和基于 DNA 的海量存储设备• 新型逻辑设备的开发，包括 SpinFET、Neg-C FET、Mott FET、NEMS 和拓扑绝缘体• 为超越摩尔 (MtM) 应用开发超越 CMOS 设备，包括 PUF 和 RNG• 新型架构的开发，包括 GAA 设备、3D 堆叠以及 CMOS 与超越 CMOS 的共集成
开发板EPC9144快速入门指南
EPC9144 开发板主要用于驱动激光二极管，其高电流脉冲总脉冲宽度短至 1.2 ns，电流高达 28 A。该板是围绕 EPC2216 增强型 (eGaN®) 场效应晶体管 (FET) 设计的。EPC2216 是一款符合 AEC-Q101 汽车标准的 15 V FET，能够产生高达 28 A 的电流脉冲。EPC9144 随附 EPC9989 插入器板。EPC9989 是一组可分离的 5 mm x 5 mm 方形插入器 PCB，具有用于不同激光器、RF 连接器的占用空间，以及一组用于试验不同负载的其他占用空间。使用插入器可以安装许多不同的激光器或其他负载，同时仍可以使用 EPC9144。激光二极管或其他负载不包括在内，必须由用户提供。
通过离子传输减缓实现室温卤化物钙钛矿场效应晶体管
该通道是通过电容耦合和在栅极电极上施加适当的偏压来实现的。然而，在传统 FET 架构中，卤化物钙钛矿在室温和低频（尤其是直流操作）下的电流调制具有挑战性，这主要是由于钙钛矿层的混合离子-电子特性。[2] 溶液处理的 FET 通常以累积模式工作，而传统的 Si 基晶体管则以反转模式工作，其中耗尽层将导电通道与半导体块体隔离。为了实现电流的栅极调制和累积模式下的大开关电流比，需要具有低离子浓度的钙钛矿层。在高离子浓度下，如图 1a 所示，无法形成累积通道，因为栅极场被移动离子屏蔽，如图 1b 所示。只有当栅极偏压足够大以至于离子无法完全屏蔽栅极场时，才能观察到场效应电流。因此，形成一个积累层，如图 1c 所示。溶液处理的钙钛矿中可移动离子的浓度估计为 10 25 m − 3 的数量级，[3,4] 导致表面电荷密度为几个 μ C cm − 2，例如甲基铵卤化铅的表面离子密度为 5 μ C cm − 2。[3] 当使用厚度为 200 nm 的典型 SiO 2 栅极电介质（相对介电常数，k = 3.9）时，如此大的密度需要施加大于 300 V 的栅极电压才能感应积累通道，但这是不切实际的，因为它会导致电介质击穿。因此，钙钛矿 FET 中的电流调制主要在低温下实现，此时离子电导率显著降低，或者在高频下使用脉冲模式操作，此时离子无法响应电场的快速变化。[5] 低温或高频操作严重限制了钙钛矿 FET 的实际应用。为了解决这些问题，人们尝试了材料改性，例如合成单晶微板、[6] 准二维纳米片 [7] 或多组分钙钛矿 [8,9]。然而，这些方法可能会损害高通量制造、可重复性或高效电荷传输。因此，减轻或补偿离子迁移率对于实现实用的钙钛矿基 FET 至关重要。在这里，我们建议使用能够诱导大表面电荷密度的介电材料，例如