在垂直旋转的大型MOSFET上形成了一个铃声,其浓缩缸充当源,门和排水区域。通过将轻微掺杂的区域集成到常规的铃声结构中,可以设计三种不同类型的LDD植入铃声,其中植入位置定义了每种类型。如果仅将LDD植入源侧,则会产生SLDD铃声,并且仅将LDD植入排水侧,则会导致DLDD铃声。最后,在排水管和源侧植入LDD时,它形成了LDD铃声结构。使用3D TCAD模拟评估重离子辐射对三种不同类型的LDD铃声结构的影响,并将其与正常入射率下对常规铃声结构的影响进行比较。离子打击的位置,入射角以及所得的瞬态电流和收集的电荷都会影响设备的灵敏度,可用于识别其脆弱区域。已经发现,在源和排水侧植入LDD的铃声结构对辐射诱导的损坏更具弹性,因为它表现出98.271 FC的较低收集费用与常规铃声(106.768 fc)相比,SLDD(101.768 fc),SLDD Ringfet(101.549 fc)和DLD Ringfet(100 fc)(100 fc)(100)。 MEV/(mg/cm²)。此外,与其他两个LDD结构和常规铃声结构相比,LDD植入的铃声表现出优异的I ON /I OFF比率。
晶圆被切成丁,在阿切尔的外包半导体组件和测试(“ OSAT”)合作伙伴,日本的AOI电子产品中。OSAT过程包括该专用晶圆组件的成型,迪士和铅框架设计。这些新功能是推进生物芯片开发以与微型GFET芯片传感器设计相连和集成的关键。
这项最新作品建立在较早的GFET设计制造里程碑上,包括与德国铸造厂一起运行的MPW(ASXAnn。2023年11月9日),在荷兰的一个铸造厂奔跑的整个四英寸晶圆(ASXAnn。2023年9月14日),在西班牙铸造厂进行了六英寸的晶圆。Archer最近还通过大小的尺寸降低了其生物芯片GFET芯片设计,将小型芯片设计发送给了荷兰的铸造伙伴(ASXAnn。2024年3月11日)。