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GaAs MMIC 超低噪声.pdf
摘要 采用 70 nm GaAs mHEMT OMMIC 工艺 (D007IH) 设计了四级 K 波段 MMIC 低噪声放大器 (LNA)。基于 Momentum EM 模拟结果，四级 LNA 实现了 29.5 dB ±1 dB 的增益、低至 1 dB 的噪声系数 (NF) 和整个波段优于 -10 dB 的输入回波损耗。LNA 芯片尺寸为 2500 µm x1750 µm。由于选择源阻抗以最小化实现输入匹配网络所需的元件数量，因此设计工作流程可以改善 LNA 的 NF 和输入回波损耗。所提出的电路的输入匹配网络由与有源器件的栅极串联的单个锥形八角形电感器组成，从而对第一级实现的 NF 影响很小，并显著改善 LNA 的输入回波损耗。
GaAs MESFET 及相关工艺
摘要。自 1971 年 GaAs MESFET 问世以来，GaAs 的生长和加工技术已经成熟到模拟和数字 IC 生产在工业水平上进行的程度。对更高工作频率、低噪声系数和更高增益的不断增长的需求导致了基于 GaAs 和相关化合物的较新的器件结构，例如 HEMT 和 HJBT。此外，GaAs 和相关化合物具有令人兴奋且经过验证的功能，可以产生、检测并将光转换为电信号。这开辟了光电器件及其与 MESFET 和其他传统器件集成的广阔领域。所有这些开发活动的基本构建块仍然是 GaAs MESFET，它也被广泛用作分立形式的低噪声放大器、混频器、振荡器和高功率放大器。本文回顾了低噪声和高功率 MESFET 的设计方面、制造技术、直流和微波特性。本文回顾了各种技术进步，如用于源极接地的通孔、用于低寄生互连的空气桥技术和聚酰亚胺钝化，这些技术进步有助于进一步提高工作频率、低噪声和高功率输出。最后，还介绍了 CEERI 制造的一些代表性设备结果。
JFET 和 GaAs 器件及电路
结型场效应晶体管（JFET）可能是最简单的晶体管。它具有一些重要特性，尤其是非常高的输入电阻。然而不幸的是（对于 JFET 而言），MOSFET 的输入电阻甚至更高。这一点，加上 MOS 晶体管的许多其他优点，使得 JFET 几乎过时了。目前，它的应用仅限于分立电路设计，其中它既用作放大器，又用作开关。它的集成电路应用仅限于某些运算放大器的差分输入级的设计，其中利用了它的高输入电阻（与 BJT 相比）。在本节中，我们简要介绍 JFET 的工作原理和特性。将 JFET 纳入电子学研究的另一个重要原因是，它有助于理解砷化镓器件的工作原理，这是下一节的主题。
GaAs MESFET 及相关工艺
摘要。自 1971 年 GaAs MESFET 问世以来，GaAs 的生长和加工技术已经成熟到模拟和数字 IC 生产已在工业水平上进行的程度。对更高工作频率、低噪声系数和更高增益的不断增长的需求导致了基于 GaAs 和相关化合物的 HEMT 和 HJBT 等较新的器件结构的出现。此外，GaAs 和相关化合物还具有产生、检测和将光转换为电信号的令人兴奋的和经过验证的能力。这开辟了光电器件及其与 MESFET 和其他传统器件集成的广阔领域。所有这些开发活动的基本构建块仍然是 GaAs MESFET，它也被广泛用作低噪声放大器、混频器、振荡器和离散形式的高功率放大器。本文回顾了低噪声和高功率 MESFET 的设计方面、制造技术、直流和微波特性。回顾了各种技术进步，如用于源极接地的通孔、用于低寄生互连的空气桥技术和聚酰亚胺钝化，这些技术进步有助于进一步提高工作频率、降低噪音和高功率输出。最后，还介绍了中国电气与电子研究所制造的一些代表性器件结果。
采用 GaAs 的集成 SAW
石英是 SAW 传感器的典型基板，但它不是半导体，而硅是微电子器件的典型半导体，但它不是压电材料，需要沉积压电薄膜才能激发 SAW。这使得砷化镓 (GaAs) 成为集成 SAW 微传感器应用的独特材料。GaAs 的压电特性与石英相似，因此可以直接在 GaAs 基板上制造 SAW 器件，而无需沉积压电薄膜。图 1 中的数据显示，GaAs SAW 传感器的灵敏度与石英 SAW 传感器相当。此外，GaAs 是一种成熟的半导体器件材料，可用于制造集成高频射频微电子器件。
GAAS 功率 PHEMT 技术及应用
2024 年 2 月 14 日 — 雷神微电子研究实验室。362 Lowell St.，安多弗，马萨诸塞州 01810。摘要。GaAs 赝晶高电子迁移率晶体管 (PHEMT)...
gaas功率phemt技术及其应用
2024 年 4 月 25 日 — 雷神微电子研究实验室。362 Lowell St.，安多弗，马萨诸塞州 01810。GaAs 赝晶高电子迁移率晶体管 (PHEMT) 具有...
空间 GaAs MMIC 可靠性保证指南...
本文档是为了回应各行业代表对缺乏行业认可的 MMIC 认证方法的评论而构思的。1992 年夏天，喷气推进实验室、NASA 刘易斯研究中心和 NASA 约翰逊航天中心的个人发起了一项解决此问题的低级努力。这些努力于 1993 年 7 月合并，成立了 MMIC 可靠性保证工作组，该工作组获得了 NASA 总部代码 Q 的支持。最初的概念是政府赞助的官方 MMIC 认证规范，描述了制造商执行的所有必需的测试和评估程序。1993 年 9 月，在俄亥俄州克利夫兰 NASA 刘易斯研究中心举行的第一次 MMIC 资格研讨会上，业界代表介绍了这种方法。在这次会议上，MMIC 设备的各种用户和供应商表达了他们强烈希望避免政府规范的愿望，并要求提供一份可作为教育工具的文件。该格式旨在成为 GaAs MMIC 可靠性和设计方法技术的资料手册，可用于制定在太空应用中生产和使用 GaAs MMIC 的资格计划。研讨会与会者得出结论，该文件的标题应该是《太空应用的 GaAs MMIC 可靠性保证指南》。该指南旨在成为业界认可的可靠性保证实践的实际应用，用于规范、制造、鉴定和采购基于 GaAs 的 MMIC。本文包含有关 MMIC 设备在获准用于高可靠性应用之前通常进行的测试、筛选和评估的背景材料和讨论。信息侧重于工程师、项目级经理和购买者的需求，重点关注行业使用和接受的 GaAs MMIC 可靠性和资格认证方法的常用方法。提供了有关材料、设计方法、测试技术、环境影响、常见故障机制和制造工艺的背景信息——这些信息是为所需的特定应用构建有效资格认证计划所必需的。使用此信息作为共同参考点，用户和制造商可以讨论权衡并确定实现具有成本效益的资格认证计划所需的增值测试。本指南首先介绍 GaAs 的使用情况并简要总结 MMIC 的发展历史。接下来是可靠性概述和可靠性理论的总结说明。这些章节让读者了解 GaAs 器件在各种应用中的使用情况，并提供理解可靠性测试结果和故障含义所需的背景知识。第 3 章讨论了 MMIC 设计中使用的 GaAs 材料特性和常见器件结构。本章还提供了常见工艺和各种通用 MMIC 功能和电路的一般描述。第 4 章提供了常见故障模式和机制的描述
GaAs 功率放大器 - CTT 目录 2017
商用和军用系统将继续在整个电磁频谱范围内发展。二十年来，联邦政府对雷达频段 L 至 Ku 的频谱要求证实了这一要求的必要性。采用 GaN 器件的固态功率放大器具有五到十倍的功率处理能力，是此类应用的理想选择，使其成为目前使用 TWT 的系统中合适的替代品。尽管 GaN 技术在这些应用中的使用正在增长，但 CTT 的 GaAs 功率放大器继续在低功率低压系统以及要求高线性度的系统应用中提供特定优势 - GaAs 具有长期的可靠性、低成本、广泛可用性和出色的整体性能记录。不断涌现的应用程序的性质依赖于数字技术的进步所带来的复杂性