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高通量线性分子束外延系统可降低 GaAs 光伏电池的制造成本：GaAs 是否足够便宜
完整作者列表：Lee, Byungjun；密歇根大学，EECS Fan, Dejiu；密歇根大学，EECS Forrest, Stephen；密歇根大学，EECS
araştırmamakalesi/使用高分辨率X射线diffractio
使用X射线衍射（XRD）方法对纳米结构进行表征提供了有关结构的组成，晶格应变和异次层状层的信息。这些信息对于光电设备的制造过程很有用。在本文中，我们对常用材料Gaalas提供了基本描述。此外，X射线衍射方法对材料表征的重要性为材料的生长和开发过程提供了至关重要的信息。使用X射线衍射（XRD）方法分析外延生长GAAS/GAALA异质结构的结构表征。rigaku全球拟合模拟程序进行比较，以比较实验结果，模拟和实验结果彼此一致。
A 2-V 1.4-DB NF GAAS MMIC LNA用于K波段应用
摘要：在UMS 100 nm GAAS PHEMT技术中，提出了1.4 dB噪声图（NF）四阶段K波段单片微型集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA）。所提出的电路旨在覆盖5G新版本N258频带（24.25–27.58 GHz）。动量EM Layout仿真揭示了电路的最低NF为1.3 dB，最大增益为34 dB，| S 11 |从23 GHz到29 GHz的–10 dB，p 1db为–18 dbm和24.5 dbm的OIP3。LNA从2 V DC电源中抽出总电流为59.1 MA，并导致芯片尺寸为3300×1800 µm 2，包括垫子。我们提出了一种设计方法，重点是选择活动设备大小和直流偏置条件，以在应用源变性时获得最低的NF。设计过程通过选择促进简单输入匹配网络实现的设备来确保最小的NF设计，并得益于源变性的应用，获得了合理的输入返回损失。使用这种方法，输入匹配网络是通过分流存根和传输线实现的，因此最大程度地减少了对第一个阶段实现的NF的贡献。与类似作品的比较表明，与大多数最先进的解决方案相比，开发的电路非常有竞争力。
具有增强键合强度的白色粘合剂
这项工作介绍了优化的模型和数值模拟的结果以及基于CNT的GAAS/INAS多个量子井（从5到70 QWS）GAAS太阳能电池的分析。这些QW被发现将吸收边缘延伸到GAA带隙的范围之外。此外，随着模型中引入宽带插入式凹陷后面场（BSF）层，由于从设备底部反射了未吸附的光子，因此提高了效率，从而提高了效率。所提出的模型使用异质的CNT层作为顶部半透明电极。可以观察到，这种具有较低板电阻和更好光线的CNT顶层可以显着提高整体效率。我们的优化单元格具有35 number 25nm量子井结构，具有100 nm CNT顶层，板电阻为128Ω/□可将效率提高到32.46％（没有CNT顶层）。EQE接近90％。为了显示我们发现的准确性，显示了数值建模的关键阶段，并使用标准实验数据检查了基本仿真数据。在创建商业上可行的QWSCS迈出的重要一步是建议基于CNT的QWSC模型在现代TCAD工具环境（Silvaco Atlas）中的有效应用。keyowrds：碳纳诺管（CNT），INAS/GAAS，SILVACO TCAD，量子井太阳能电池（QWSC）
GAAS模板在硅光子学中的激光器上有选择性生长
摘要：实现SI上有效的片上光源是基于SI的光子集成电路（PICS）的关键。通过MOCVD（001）硅启用硅在硅启用的III-V材料（SOI）的III-V材料的选择性外观陷阱（LART）是一种有希望的技术，用于在硅和基于SI的PIC的硅的单层整合。在本报告中，通过LART Technique在行业标准（001）面向以行业标准（001）为导向的Soi Wafers上的GAAS膜的选择性生长获得了整体上的显微镜GAAS/SI平台。GAAS膜横向从{111}的面向氧化物沟渠内的{111}式的Si表面生长，其尺寸由光刻定义。GAAS微台面激光器（MDLS）在GAAS膜上通过光泵来在室温（001）SOI Lase上侧面生长的GAAS膜。rt脉冲激光以880μj/ cm 2的阈值实现。这项工作为完全集成的SI光子学提供了关键的步骤。■简介
NIST 之间的比较石墨烯和 AIST GaAs 量化霍尔器件
摘要 — 将美国国家标准与技术研究所 (NIST) 生产的几种石墨烯量化霍尔电阻 (QHR) 器件与美国国家先进工业科学与技术研究所 (AIST) 的 GaAs QHR 器件和 100 Ω 标准电阻进行了比较。100 Ω 电阻与石墨烯 QHR 器件的测量值与通过 GaAs 测量获得的 100 Ω 电阻值的误差在 5 nΩ/Ω 以内。在 AIST 调整了石墨烯器件的电子密度，以恢复器件特性，使其能够在 4 T 至 6 T 的低磁通密度下运行。 此调整是通过 NIST 使用的功能化方法完成的，允许通过简单的退火对石墨烯 QHR 器件进行一致的可调性。这种方法取代了调整石墨烯以适应计量学的较旧且不太可预测的方法。里程碑式的成果表明，石墨烯可轻松用于在许多国家计量机构之间进行电阻比较测量。索引术语 — 量化霍尔电阻、外延石墨烯、低温电流比较器、电子密度、标准电阻
质子辐照在 GaAs 半导体加速辐射老化研究中的应用
摘要：几十年来，质子辐照实验一直被用作研究多种材料辐射效应的替代方法。质子加速器的丰富性和可及性使这种方法便于进行加速辐射老化研究。然而，开发具有更高辐射稳定性的新材料需要大量的模型材料、测试样品，并非常有效地利用加速器光束时间。因此，最佳束流或粒子通量的问题至关重要，需要充分了解。在这项工作中，我们使用 5 MeV 质子在砷化镓样品中引入位移损伤，并使用了广泛的通量值。正电子湮没寿命谱用于定量评估辐射诱导的存活空位的浓度。结果表明，质子通量在 10 11 和 10 12 cm − 2 .s − 1 之间会导致 GaAs 半导体材料中产生类似的单空位浓度，而通量进一步增加会导致该浓度急剧下降。
NIST 石墨烯和 AIST GaAs 量化霍尔器件的比较
摘要 — 将美国国家标准与技术研究所 (NIST) 生产的几种石墨烯量化霍尔电阻 (QHR) 器件与美国国家先进工业科学与技术研究所 (AIST) 的 GaAs QHR 器件和 100 Ω 标准电阻进行了比较。100 Ω 电阻与石墨烯 QHR 器件的测量值与通过 GaAs 测量获得的 100 Ω 电阻值的误差在 5 nΩ/Ω 以内。在 AIST 调整了石墨烯器件的电子密度，以恢复器件特性，使其能够在 4 T 至 6 T 的低磁通密度下运行。 此调整是通过 NIST 使用的功能化方法完成的，允许通过简单的退火对石墨烯 QHR 器件进行一致的可调性。这种方法取代了调整石墨烯以适应计量学的较旧且不太可预测的方法。里程碑式的成果表明，石墨烯可轻松用于在许多国家计量机构之间进行电阻比较测量。索引术语 — 量化霍尔电阻、外延石墨烯、低温电流比较器、电子密度、标准电阻
不同类型的掺杂剂在1.3 µm INAS/GAAS量子点激光器中的作用
组件[3，4]，但是SI光源的发展远远落后于其他组件[5-8]。组IV材料的间接带隙性质使它们效率低下，因为它们是泵送的发光来源[9]，而III – V QD激光器在直接在SI底物上生长的III – V QD激光器对实现高效率和低成本显示出希望。由于自组装QD的三维量子限制，INAS/GAAS QD激光器，这些激光器以低阈值电流密度[4、10-12]呈现出较高的性能[4、10-12]，并且对基于SI的PICS的温度和缺陷高度耐受性[13]受到了极大的关注[14-20]。然而，由于载体对较高状态和/或屏障状态的热激发，QD激光器的性能不足理论理想[21-24]。尽管电荷中立性可能