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koh湿蚀刻下的gan纳米氏菌的刻度机制
alpes，ltm，Grenoble F-38054，法国 * erwine.pargon@cea.fr，Univ。Grenoble Alpes，CNRS，LTM，17 Rue des Mardyrs，38054 Cedex 09法国Grenoble，法国摘要摘要本研究提出了通过在上衣的室内饮用量的策略，该策略通过与上衣相结合的室友eTch fat Chip Chore to Chore Choh toper fore the toper the toper fore the notch facking Koh weats face face face the the gan支柱。的确，KOH溶液中的gan蚀刻是一个各向异性过程，这意味着它允许在宏观尺度上出现稳定的面，而原子过程（例如踩踏）驱动湿蚀刻的基本机制在微观尺度上驱动湿蚀刻的基本机制。我们的研究强调了形状（圆形或六角形，与M平板或A平板对齐）的关键作用，以及硬面膜在确定所得的结晶刻面形成及其相关的粗糙度方面的粗糙度。此外，它强调了等离子体图案后的GAN支柱剖面（重入，直，锥形）的重要性，因为它们会强烈影响随后的湿蚀刻机制。最终，该文章证明，可以通过在等离子蚀刻后在略微倾斜的GAN曲线上使用室温湿KOH（44 wt％）来实现平滑的M型面，并结合使用六边形M的Masks。
铁疗法：高流动和高速全外ALSCN/gan铁电晶体管
摘要 - 我们报告了ALSCN屏障宽带氮化物晶体管中铁电盖的首次观察。通过直接外观生长生长所实现的这些铁热型装置，其中一类新的铁电晶体管本身是极性的，其中半导体是极性的，并且结晶铁电屏障与底物搭配。迄今为止，此处报道的铁热室使用最薄的氮化物高和铁电屏障，以在4 A/mm处提供最高的电流，以及在任何铁电晶体管中观察到的最高速度ALSCN晶体管。ferrohemts hysteric i d-v gs环，阈值斜率低于玻尔兹曼的极限。对照ALN屏障Hemt既不表现出滞后，也不表现出子螺栓行为。这些结果将第一个外延高K和铁电屏障技术引入了RF和MM-Wave电子设备，但它们也引起了人们的兴趣，它是将数字电子中记忆和逻辑功能相结合的新材料平台。
使用GAN和功能工程
摘要 - 信用卡欺诈是一种普遍的财务犯罪，对个人和财务机构造成了重大损失。传统的欺诈检测方法通常依赖于基于规则的系统或监督的机器学习算法，这些算法可能在检测新颖或不断发展的欺诈模式方面可能无效。本项目提出了一种使用生成对抗网络（GAN）来生成合成欺诈性交易的新型信用卡欺诈检测方法，以从交易数据中提取相关功能，并根据其偏离正常模式来识别欺诈事务，以从交易数据中提取相关特征。所提出的方法涉及三个主要阶段：数据制备和特征工程，基于GAN的数据平衡和异常检测。实验结果表明，所提出的方法在识别欺诈性交易方面的表现优于传统的欺诈检测方法，可实现更高的准确性，精度，回忆和F1得分。此外，该方法对基础数据分布的变化更为强大，并且可以有效地检测新颖或不断发展的欺诈模式。
基于 GaN 晶体管的 LLC 转换器变压器的特性和 SPICE 建模
谐振转换器是电动汽车车载充电器和储能应用的理想选择。它能够有效控制能源、电池或高功率负载之间的功率流动。简单的 LLC 转换器可以扩展为双向 CLLLC 转换器，从而实现智能功率控制并提高器件效率 [1]。为了减少开关损耗并减小尺寸，必须使用高频开关器件，例如 GaN 晶体管。与硅或碳化硅等效晶体管相比，GaN 晶体管的 R DS(ON) 参数较低，因此传导损耗较小 [2]。零反向恢复、快速开关速度和较低的死区时间使 GaN 晶体管成为转换设计的理想选择 [3]。此类转换器的设计在 [4、5] 中进行了描述。除了由晶体管制成的 H 桥开关外，变压器对功能和功率效率也具有至关重要的影响。设计中必须考虑变压器的实际参数 - 即自谐振频率，因为它会影响转换器的最大工作频率 [6]。本文介绍了
用于半导体自旋电子器件的半金属 Heusler 合金/GaN 异质结构
由于纤锌矿半导体中的自旋轨道耦合与闪锌矿半导体相比相对较弱，因此 III 族氮化物半导体 GaN 是用于高性能光学半导体自旋电子器件（如自旋激光器）的有前途的材料。为了降低自旋激光器的工作功率，有必要展示从铁磁材料到具有低电阻接触的 GaN 的高效电自旋注入。这里，通过在 CFAS 和 GaN 之间插入超薄 Co 层，开发了外延半金属 Heusler 合金 Co 2 FeAl x Si 1 − x (CFAS)/GaN 异质结构。CFAS/ n + -GaN 异质结清楚地显示了隧道传导，整流非常小，电阻面积积低至 ≈ 3.8 k 𝛀 μ m 2，比以前工作中报道的要小几个数量级，在室温下。使用具有 CFAS/ n + -GaN 接触的横向自旋阀装置，在低温下观察到非局部自旋信号和 Hanle 效应曲线，表明块状 GaN 中存在纯自旋电流传输。在高达室温的温度下观察到自旋传输，在低于 2.0 V 的低偏置电压下具有 0.2 的高自旋极化。这项研究有望为具有高度自旋极化和低电阻接触的 GaN 基自旋电子器件开辟一条道路。
T 型栅极增强型 AlGaN/GaN MIS-HEMT 中寄生电容的不稳定性
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）或金属绝缘体半导体HEMT（MIS-HEMT），凭借优越的极化诱导高迁移率二维电子气（2DEG），因其高开关速度、低寄生参数和低导通电阻而受到广泛关注，并在高频射频和功率开关应用方面都取得了公认的成功[1-4]。通常在厚钝化电介质（如SiNx）上设置栅极和/或源极场板，以减轻栅极漏极区域的高电场并获得更高的击穿电压[5-7]。它们也有助于抑制表面态引入的电流崩塌[5，8]。然而，场板结构将引入额外的寄生电容，导致更高的VDS×IDS功率损耗和更长的开关持续时间。此外，钝化层还会引入钝化电介质/(Al)GaN界面态，甚至电介质本身的体态，它们的捕获/去捕获过程会引起寄生电容的动态漂移，导致实际应用中开关转换紊乱，dV/dt控制失效[9-11]。
采用 GaN 光学器件的超宽测量范围微型粘度计
约430 nm。为了便于GaN芯片与条带的有效组装，将使用3D聚乳酸打印机制备的固定器扣在PCB上并用于固定条带的一端，如图1d所示。条带与器件之间的初始间距设计为0.2 mm，选择杨氏模量为190 GPa的304型不锈钢作为条带材料，以避免与被测流体发生化学反应。使用宽度为6 mm的宽条带不仅可以避免环境光的影响，还可以确保发射器的发光被高度覆盖。而且由于GaN器件不接触流体，流体的吸收或透明度不会影响测量结果。
PQFN GAN设备可靠组装的焊料模具设计指南
转移和回光后，沉积的焊球合金量是孔径k，孔是焊接开口的总面积，T是其厚度，k是焊料粘贴系数。用于脚趾土地图案a脚趾，焊接量大约为脚趾的焊料。焊接连接组件以外的脚趾除以基于剩余的沉积焊料量确定焊料对峙高度。通过此逻辑，可以计算每个引线的焊料对峙高度（SOH），如等式5所示。
利用电子风力对伽马射线辐照的 GaN HEMT 进行非热退火
电子产品中的辐射损伤减轻仍然是一个挑战，因为唯一成熟的技术——热退火，并不能保证获得良好的结果。在本研究中，我们介绍了一种非热退火技术，其中使用来自非常短持续时间和高电流密度脉冲的电子动量来瞄准和调动缺陷。该技术在 60 Co 伽马辐照（5 × 10 6 拉德剂量和 180 × 10 3 拉德 h − 1 剂量率）GaN 高电子迁移率晶体管上进行了演示。在 30 °C 或更低温度下，饱和电流和最大跨导完全恢复，阈值电压部分恢复。相比之下，300 °C 下的热退火大多使辐照后特性恶化。拉曼光谱显示缺陷增加，从而降低了二维电子气 (2DEG) 浓度并增加了载流子散射。由于电子动量力不适用于聚合物表面钝化，因此所提出的技术无法恢复栅极漏电流，但性能优于热退火。这项研究的结果可能有助于减轻电子器件中某些形式的辐射损伤，而这些损伤很难通过热退火实现。© 2022 电化学学会（“ ECS ” ）。由 IOP Publishing Limited 代表 ECS 出版。[DOI：10.1149/2162-8777/ ac7f5a ]
用于常关型 GaN HEMT 的新型纳米结构 P-GaN 栅极的设计优化
A. 具有 MBE 再生长 P-GaN 栅极的常关型 HEMT HEMT 结构的特点是具有 25 nm 厚的 AlGaN 势垒和 20 % 的铝率。首先，通过 PECVD（等离子增强气相沉积）沉积 100 nm 厚的氧化硅 SiO 2 层，作为 AlGaN 栅极蚀刻和选择性 GaN 再生长的掩模。在用 CF 4 RIE 蚀刻 SiO 2 层以确定栅极区域之后，通过 ICPECVD 对 AlGaN 层进行 Cl 2 部分蚀刻，条件如下：RF 功率为 60 W、压力为 5 mTorr 并且 Cl 2 流速为 10 sccm。蚀刻时间为 35 秒，去除了 19 nm 的 AlGaN。然后在 MBE（分子束外延）反应器中重新生长用镁（Mg）掺杂的 50 nm GaN 层，其标称受体浓度为 Na-Nd 为 4 x 10 18 cm -3。