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波前像差对激光诱导击穿产生流动影响的实验研究
研究了相位像差及其对激光诱导击穿引起的流场发展的影响。使用可变形镜将相位像差施加到波长为 1064nm 的高能激光脉冲上。设计了一个实验装置来捕捉激光诱导击穿引起的流场运动，该装置着重于捕捉流场的横向轮廓和同轴轮廓。结果显示，由于非平面相的存在，火花吸收的激光脉冲能量 (181mJ) 显著降低，这是由于在通常发生击穿的焦平面中扩散所致。在收集的数据中，研究了 Zernike 0 ◦ 散光、Zernike Y-彗形像差和 Zernike 球面像差的单个实例。著名的 Horn-Schunck 光流法用于分析阴影图像，产生运动的密集光流场表示。结果表明，所研究的每种像差都会产生独特的流场，显示出超特定局部流规范的潜力，并进一步讨论了其含义。
生成日期：2025 年 7 月 1 日 第 36-A 章。燃木热电联产法案 | 1
3. 能源销售；合同程序。根据本节通过长期合同签订的能源可以单独出售给批发电力市场，也可以与根据第 3212 节进行的标准报价供应招标或根据第 3212-B 节进行绿色电力报价招标相结合出售。委员会应在最大程度上根据本节制定输配电公用事业长期合同程序，这些程序应具有与根据第 3212 节为输配电公用事业提供标准报价服务的程序相同的法律和财务效力。[PL 2023，第 353 章，第 8 节（AMD）。]
使用TVAE和CTGAN生成的表格数据进行了严格的实验分析
摘要 - 合成数据生成研究一直以快速的速度进行，并且时不时地设计了新颖的方法。早些时候，使用统计方法来学习真实数据的分布，然后从这些分布中采样合成数据。生成模型的最新进展导致了复杂的高维数据集的更有效的建模。此外，隐私问题也导致了较小的隐私漏洞风险较小的强大模型的发展。首先，本文对表格数据生成和评估矩阵的现有技术进行了全面调查。其次，它详细阐述了对ART合成数据生成技术的比较分析，特别是针对具有不同数据分布的小型，中和大型数据集的CTGAN和TVAE。它使用定量和定性指标/技术进一步评估综合数据。最后，本文提出了结果，还强调了仍然需要解决的问题和缺点。
关于增加用嘈杂量子计算机生成的随机位均匀性的协议
摘要生成随机数对于许多现实世界应用很重要，包括密码学，统计抽样和蒙特卡洛模拟。受测量的量子系统通过Born的规则产生随机结果，因此自然研究使用此类系统以生成高质量的随机数的可能性是很自然的。但是，当前的量子设备会受到错误和噪声的约束，这可能会使输出位偏离Uni-Form分布。在这项工作中，我们提出和分析两个方案，可用于增加带有Hadamard Gate的电路和嘈杂的量子计算机中的测量值时获得的位置的均匀性。这些协议可以在其他标准过程之前使用，例如随机性扩增。我们对量子模拟器和实际量子计算机进行实验，获得的结果表明，这些方案对于提高生成的局部的概率很有用，使其通过统计测试进行均匀性。
生成01.07.2025§159-C。与放置在大池塘中的导航辅助工具有关的责任| 1
2。有限责任。湖协会已获得前保护局或农业，保护和林业部将导航援助标记放置在大池塘中的许可证，只要湖水协会已将标记或维持标记符合条件和条件的标记造成的导航援助标记所引起的人身伤害，财产损害或死亡，对人身伤害，财产损害或死亡不承担任何责任。[PL 2013，c。 405，pt。d，§12（amd）。]
欧洲核子研究中心 CLEAR 加速器上 200MeV 电子在目标上产生的辐射场分析
摘要 — 高能电子与物质相互作用产生的辐射簇射包括能量分布峰值为 MeV 级的中子，这些中子是通过光核反应产生的，可以测量电子设备中中子诱导的单粒子效应 (SEE)。在这项工作中，我们研究了一种装置，其中欧洲核子研究中心 [Centre Européen pour la Recherche Nucléaire (CERN)] 的 CLEAR 加速器的 200 MeV 电子束被引导到铝靶上以产生具有大中子分量的辐射场。通过测量特性良好的静态随机存取存储器 (SRAM) 中的单粒子翻转 (SEU) 和闩锁率以及被动式无线电光致发光 (RPL) 剂量计中的总电离剂量 (TID)，并将结果与 FLUKA 模拟的预测进行比较，对由此产生的环境进行了分析。我们发现，用铅制成的横向屏蔽可保护 SRAM 免受过高的 TID 率影响，从而为 SEU 测量提供最佳配置，尤其是在对 MeV 级中子高度敏感的 SRAM 中。相对于基于散裂靶或放射源的标准中子设施，此设置提供了一种有趣的补充中子源。
补充材料：分层的水生微环境控制由活性地毯产生的波动
图4和图5显示了厚度H = 16和λ= 0的浮膜的涡度场和循环结果。25我们观察到涡度场沿垂直于观测平面的方向更强（请参阅3）。图4，我们在x -z平面中显示了涡流流和循环模式的“前”视图，我们期望ωy中的涡度大于其他平面。图5，我们在y -z平面中显示了同一情况的涡度场，这就是φ=π/ 2的情况，在那里我们观察到涡度ωx and涡流和该平面上的循环大于其他组件。
反阴极效应对电子束产生EB等离子体中电子动力学的影响
摘要 电子束 (e-beam) 产生的等离子体在施加交叉电场和磁场 (E × B) 的情况下有望用于低损伤材料处理，并应用于微电子和量子信息系统。在圆柱形电子束 E × B 等离子体中，电子和离子的径向约束分别通过轴向磁场和径向电场实现。为了控制电子的轴向约束，这种电子束产生的等离子体源可能包含一个称为反阴极的导电边界，该边界位于等离子体与阴极轴向相对的一侧。在这项工作中，结果表明，改变反阴极电压偏置可以控制反阴极收集或排斥入射电子的程度，从而可以控制热电子（电子能量在 10-30 eV 范围内）和束电子群约束。有人提出，反阴极偏压对这些不同电子群形成的影响也与弱湍流和强朗缪尔湍流之间的转变有关。