尽管势头丧失,该动力将持续到2022年春季,但对情感指标的最新读物表明,虽然是一个相当积极的,尽管是中等,增长的前景,尤其是在服务,零售贸易,建筑和工业方面。私人消费预计将在2022年下半年获得限制,以缓解和通货膨胀至中等。投资预计将在预测范围内保持强劲,并在恢复和弹性设施和其他欧盟基金的支持下。但是,预期的利率会增加,预计将削弱私人投资。外贸会受益于供应瓶颈的放松,但预计不会提供增长贡献。总体而言,Real GDP在2022年的增长率为4.2%,2023年为4.5%。
摘要:熔融生长氧化铝基复合材料因其在航空航天应用方面的潜力而受到越来越多的关注;然而,快速制备高性能部件仍然是一个挑战。本文提出了一种使用定向激光沉积(DLD)3D 打印致密(< 99.4%)高性能熔融生长氧化铝-莫来石/玻璃复合材料的新方法。系统研究了复合材料的关键问题,包括相组成、微观结构形成/演变、致密化和力学性能。利用经典断裂力学、格里菲斯强度理论和固体/玻璃界面渗透理论分析了增韧和强化机制。结果表明,复合材料由刚玉、莫来石和玻璃或刚玉和玻璃组成。随着初始粉末中氧化铝含量的增加,由于成分过冷度的减弱和小的成核过冷度,刚玉晶粒逐渐从近等轴枝晶演变为柱状枝晶和胞状结构。氧化铝含量为 92.5 mol%时显微硬度和断裂韧性最高,分别为 18.39±0.38 GPa 和 3.07±0.13 MPa·m 1/2 ;氧化铝含量为 95 mol%时强度最高,为 310.1±36.5 MPa。强度的提高归因于微量二氧化硅掺杂提高了致密性,同时消除了残余应力。该方法揭示了利用 DLD 技术制备致密高性能熔融生长氧化铝基复合材料的潜力。关键词:激光;增材制造;氧化铝;莫来石;微观结构;力学性能
尽管可以用卢瑟福背散射光谱法 (RBS) 和 X 射线衍射 (XRD) 高精度地测量材料成分和应变,但这些技术非常耗时,并且提供的信息是样品相对较大区域的平均信息,远大于典型的设备尺寸。这使得它们不适合表征亚微米级的成分和应变变化,这种变化发生在例如选择性半导体生长过程中或结构化之后。透射电子显微镜 (TEM) 结合能量色散 X 射线光谱法 (EDXS) 或电子纳米衍射可以提供具有纳米级分辨率的成分和晶格信息,但是这些技术需要破坏被分析的样品。相反,微拉曼光谱可以提供亚微米分辨率和高速,并且是非破坏性的。因此,微拉曼光谱可以成为研究 Si x Ge 1 − x − y Sn y 层中材料成分和应变的有效工具。为了通过拉曼光谱测量成分和应变,必须推导出拉曼光谱峰位置与材料成分以及应变之间的经验关系。之前对 Si x Ge 1 − x − y Sn y 合金拉曼位移的研究
目前的工作研究了螺纹位错密度(TDD)在低密度状态下在SI 0.06 GE 0.94异质结构中集成在SI上(001)的垂直传输的作用。使用无意间掺杂的Si 0.06 GE 0.94层可以研究成长的螺纹位错(TD)的影响,而不会与加工诱导的缺陷相互作用,例如来自掺杂剂的植入。研究的杂层虽然成分等于应变弛豫程度和厚度,但具有三种不同的TDD值:3×10 6、9×10 6和2×10 7 cm -2。电流 - 电压测量结果表明,泄漏电流不会与TDD线性扩展。泄漏电流的温度依赖性表明,通过TD诱导的缺陷状态进行陷阱辅助的隧道,在室温下通过TD诱导的缺陷态进行了陷阱辅助的隧道。在较低的温度和高电场下,无直接相互作用与缺陷水平直接相互作用的直接带对隧道成为主要的运输类型。在较高的温度(> 100°C)下观察到与中间隙陷阱发射有关的泄漏电流。在这里,我们看到材料中SRH的贡献减少,其中最小的TDD(3×10 6 cm -2),我们将其归因于被困在TD菌株中的点缺陷簇中的减少。
PTSE 2吸引了相当大的关注,这是一种高迁移率二维材料,并在微电子,光电检测和旋转三位型中进行了设想的应用。高质量PTSE在具有晶圆尺度均匀性的绝缘基板上的生长是电子运输调查和设备中实际用途的先决条件。在这里,我们报告了由分子束外延在ZnO(0001)上高度定向的几层PTSE 2的生长。膜的晶体结构具有电子和X射线衍射,原子力显微镜和透射电子显微镜。与石墨烯,蓝宝石,云母,SIO 2和PT(111)上生长的PTSE 2层的比较表明,在绝缘底物中,ZnO(0001)产生了具有优质结构质量的膜。在室温下,在室温下,在室温下,在200 cm 2 v -1 s -1超过200 cm 2 v -1 s -1的外部ZnO/PTSE 2上进行的HALL测量值显示出明确的半导体行为,低温下的较高迁移率在低温下。
本数据文章与研究文章有关,“ M.J. McNulty,K。Kelada,D。Paul,S。Nandi和K.A.麦当劳,将不确定性定量引入了制造田种植的植物性产品的技术经济模型,食品生物蛋白酶。过程。128(2021)153–165。”呈现的原始数据和既定数据与非确定性下高价值重组蛋白的超大规模尺度生长植物生产的生成,分析和优化有关。 使用Crystal Ball插件中的SuperPro De-signer中使用确定性的技术经济过程模型模拟,该数据是使用SuperPro De-signer中的确定性技术 - 经济过程模型模拟的。 本文的目的是使技术经济和提出的不确定性数据可用于其他研究目的。128(2021)153–165。”呈现的原始数据和既定数据与非确定性下高价值重组蛋白的超大规模尺度生长植物生产的生成,分析和优化有关。使用Crystal Ball插件中的SuperPro De-signer中使用确定性的技术经济过程模型模拟,该数据是使用SuperPro De-signer中的确定性技术 - 经济过程模型模拟的。本文的目的是使技术经济和提出的不确定性数据可用于其他研究目的。
与太空政策的基本计划(2009年和2013年)和《基本太空法》(2008年),政府为发展国家航天行业建立了路线图。为鼓励在地球上使用的产品,日本航空航天勘探局(JAXA)于2016年创建了新的企业促销部*。该部门为互惠互利提供了一个框架,私营公司可以通过其工业合作伙伴开发的商业应用程序获得Jaxa的专业知识,知识产权和开发新产品的专业知识,知识产权和设施。
掺铒GaN(Er:GaN)由于其优于合成石榴石(如Nd:YAG)的物理特性,是固态高能激光器(HEL)新型增益介质的有希望的候选材料。Er:GaN在1.5μm区域发射,该区域对视网膜是安全的并且在空气中具有高透射率。我们报告了对通过氢化物气相外延(HVPE)技术合成的Er:GaN外延层进行的光致发光(PL)研究。HVPE生长的Er:GaN外延层的室温PL光谱在1.5μm和1.0μm波长区域分别分辨出多达11条和7条发射线,这对应于GaN中Er3+从第一(4I13/2)和第二(4I11/2)激发态到基态(4I15/2)的斯塔克能级之间的4f壳层内跃迁。这些跃迁的观测峰值位置使得我们能够构建 Er:GaN 中的详细能级。结果与基于晶体场分析的计算结果非常吻合。精确确定 4 I 11/2、4 I 13/2 和 4 I 15/5 状态下斯塔克能级的详细能级对于实现基于 Er:GaN 的 HEL 至关重要。© 2020 作者。除非另有说明,否则所有文章内容均根据知识共享署名 (CC BY) 许可证获得许可(http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/)。https://doi.org/10.1063/5.0028470
在 (001) Si 平台上外延生长 III-V 激光器正成为低成本、节能和晶圆级光子集成电路的终极集成策略。随着在 III-V/Si 兼容衬底上生长的激光二极管的性能向商业化发展,外延 III-V 激光器和 Si 基波导之间的光接口问题变得越来越紧迫。作为替代方案,选择性区域生长在 Si 上产生无缓冲 III-V 激光器,从而从本质上促进与 Si 光子学的有效光耦合。由于选择性生长的无位错 III-V 晶体的尺寸通常限制在亚波长尺度,因此主要挑战在于实现电驱动激光器,特别是如何在不引起大的光吸收损失的情况下对金属触点进行图案化。在本篇观点中,我们简要概述了在 (001) Si 平台上选择性生长的最先进的 III-V 族激光器,并讨论了这种集成方法的前景,重点介绍了实现电驱动设备的前景。我们重点介绍了选择性异质外延提供的独特优势以及实际应用面临的挑战和潜在解决方案。
由于响应特性相似,使用单个电阻半导体传感器监测和分类不同气体具有挑战性。分离的传感器阵列可用作电子鼻,但这种阵列结构庞大,制造工艺复杂。在此,我们轻松制造了一个基于边缘生长的 SnO 2 纳米线的气体传感器阵列,用于实时监测和分类多种气体。该阵列由四个传感器组成,设计在玻璃基板上。SnO 2 纳米线从电极边缘在芯片上生长,相互接触,并充当传感元件。这种方法比后合成技术更有优势,因为 SnO 2 纳米线直接从电极边缘生长,而不是在表面上生长。因此,通过在高生长温度下将 Sn 与 Pt 合金化可以避免对电极造成损坏。进一步检查了传感器阵列对不同气体的传感特性,包括甲醇、异丙醇、乙醇、氨、硫化氢和氢气。雷达图用于改善对不同气体的选择性检测并实现有效分类。© 2020 作者。由 Elsevier BV 代表河内越南国立大学提供出版服务。这是一篇根据 CC BY 许可开放获取的文章(http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/)。