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Ti掺杂的蓝宝石（Al（2）O（3））通过Kyropoulos技术和光学特征生长的单晶。
不可侵犯生长过程的缺陷。激光性能通常受到Ti3þ -Ti4Þ离子对8的光损失红外吸收带的限制，这些离子对8恰好发生在激光发射波长中。退火改善了成年晶体的质量。它允许将部分更改为ti3Þ，并改善所谓的功绩图（FOM），该图可以测量约500 nm的吸收系数与吸收系数相对于寄生虫Ti3Þ -Ti3Þ -Ti4Þ吸收带的吸收系数的比率。在本文中，大尺寸和高度Ti3Þ掺杂的Al 2 O 3单晶在RSA Le Rubis Company的Kyropoulos Technique（KT）成功生长，并执行了成年晶体的光学特征。
金纳米风险的扭曲外观二硫化钼层之间生长的金纳米虫
我们将外延的概念扩展到了“扭曲外观”的制度，并在两个受相对方向影响的两个底物之间的表层晶体取向。，我们在两个去角质的六角钼二硫化物（MOS 2）的两个底物之间退火纳米厚的金（AU）纳米颗粒，其基础平面的不同方向具有相互扭曲的角度，范围为0°至60°。透射电子显微镜研究表明，当双层的扭曲角度很小（<〜7°）时，AU在顶部和底部MOS 2之间对齐。对于较大的扭曲角，Au只有一个小的不良对象，而底部MOS 2则与双层MOS 2的扭曲角差异大致变化。四维扫描透射电子显微镜分析进一步揭示了与扭曲的外交相关的au纳米虫的周期性应变变化（<|±0.5％|），与两个MOS 2扭曲层的Moiré注册表一致。e
帽层对6英寸Si(111)衬底上生长的AlN势垒HEMT性能的影响
近年来，氮化镓 (GaN) 基高电子迁移率晶体管 (HEMT) 因其在降低开关损耗、维持高击穿电压以及保持高温稳定性方面所表现出的卓越性能，其商业化进程不断加快 [1,2]。大尺寸 Si 衬底上 GaN 外延生长技术的进步降低了生产成本。同时，Si 上的 HEMT 器件可以轻松集成到现有的 Si 铸造厂中 [4-6]。上述优势使 GaN 基 HEMT 器件更接近大众市场应用。阻挡层是 HEMT 器件中的关键元件之一，它决定了导电通道的电阻。AlGaN 是最常用的阻挡材料。在 AlGaN / GaN 界面区域形成的二维电子气 (2DEG) 表现出良好的稳定性、低的薄层电阻、高的载流子密度和高的电子迁移率 [7,8]。由于在 AlN / GaN 界面区域形成了更高的 2DEG 密度，AlN 作为阻挡层材料也引起了人们的关注 [9]。据报道，薄层电阻 (Rs) 值低至 128 Ω/sq，2DEG 密度为 3.21 × 10 13 / cm 2 [10]。此外，在 AlN 系统中可以避免合金散射，从而提高 2DEG 霍尔迁移率 [11,12]。已经证明了基于 AlN 阻挡层的 HEMT 器件具有低栅极漏电和高 I on / I off 比 [13]。表 1 总结了最近对具有最佳 Rs 性能的 AlN / GaN 异质结构的研究。然而，由于 AlN 与 GaN 沟道层的晶格失配较大 (2.5%)，因此 AlN 的弛豫是一个主要挑战。氮化硅 (SiN x ) 帽层已被用作表面钝化层，以避免/减少 AlN 弛豫 [ 14 ] 。然而，钝化帽层的成分和厚度对抑制弛豫的影响很少被研究。在本文中，我们报告了包含原位生长的 GaN 和/或 SiN x 帽层的 AlN/GaN 异质结构的长期 2DEG 稳定性。
BORN DIGITAL / GROWN DIGITAL：评估欧盟视频游戏软件行业的未来竞争力
JRC-IPTS 的使命是通过制定基于科学的应对政策挑战的措施，为欧盟政策制定过程提供客户驱动的支持，这些政策挑战既具有社会经济层面，也具有科学/技术层面。欧洲委员会联合研究中心 未来技术研究所 联系信息 地址：Edificio Expo。c/ Inca Garcilaso, 3.E-41092 塞维利亚（西班牙） 电子邮件：jrc-ipts-secretariat@ec.europa.eu 电话。：+34 954488318 传真：+34 954488300 http://ipts.jrc.ec.europa.eu http://www.jrc.ec.europa.eu 法律声明 无论是欧洲委员会还是代表委员会行事的任何人均不对本出版物的使用负责。欧洲直通服务旨在帮助您找到有关欧盟问题的答案。免费电话号码 (*)：00 800 6 7 8 9 10 11 (*) 某些移动电话运营商不允许访问 00 800 号码，否则这些电话可能会收费。
在局部微生物和不同剂量的植物生长的盆栽calamansi的生长和花朵发育
摘要。Calamansi是班古鲁市的主要园艺商品。这项研究旨在确定植物剂量和局部微生物之间的最佳组合，以促进卡拉曼西的生长和开花。本研究使用了阶乘完整的随机设计（CRD）。局部微生物（M）的第一个因素由两个级别组成，即没有给出（M0）和局部微生物（M1）。GRADMORE（D）剂量的第二个因子由四个级别组成，即0 g / L（D0），1 g / L（D1），2 g / L（D2），3 g / L（D3）。结果表明，局部微生物的治疗与Growmore的剂量之间的结合没有差异。在一个因素中，生长剂量对clamansi的盆栽的生长和开花有无形的影响。同样，局部微生物的一个因素对calamansi盆栽的生长和开花产生了不真实的影响。
激光浮区法生长的磁性韦尔半金属候选材料 NdAlGe 的块体物理性质
摘要：本研究报告了空间群为I 4 1 md 的磁性外尔半金属候选材料NdAlGe单晶的成功生长。该晶体采用浮区技术生长，该技术使用五个激光二极管（总功率为2 kW）作为热源。为了确保在生长过程中稳定形成熔融区，我们采用了钟形分布的垂直辐射强度曲线。将电弧熔炼锭粉碎后的标称粉末在静水压力下成型，然后在由氧化钇稳定的氧化锆制成的氧气泵产生的超低氧分压（<10 − 26 atm）的氩气气氛中烧结进料棒和种子棒，加热至873 K。成功生长出长度为50 mm 的NdAlGe单晶。生长的晶体在 13.5 K 时表现出块状磁序。基本物理特性通过磁化率、磁化强度、比热、热膨胀和电阻率测量来表征。这项研究表明，磁序在 NdAlGe 中诱导各向异性磁弹性、磁熵和电荷传输。
在矿物材料上生长的嗜极古菌中代谢物提取和呼吸醌鉴定的改进方案
我们研究了在黄铁矿 (FeS 2 ) 上生长的铁和硫氧化、极嗜热酸的古菌 Metallosphaera sedula 的代谢组。由于细胞与矿物材料之间紧密接触和相互作用，从这些微生物中提取有机物是一项重大挑战。因此，我们应用了一种改进的方案来破坏微生物细胞并将其有机成分与矿物表面分离，通过液液萃取提取亲脂性化合物，并使用 MALDI-TOF MS 和 UHPLC-UHR-Q/TOF 进行代谢组学分析。通过这种方法，我们确定了几种参与中心碳代谢和古菌中发现的改良 Entner-Doudoroff 途径的分子、硫代谢相关化合物以及参与 M. sedula 适应极端环境（如金属耐受性和耐酸性）的分子。此外，我们还确定了参与微生物相互作用的分子，即通过生物膜形成进行的细胞表面相互作用和通过群体感应进行的细胞间相互作用，这依赖于信使分子进行微生物通讯。此外，我们利用高级化合物识别软件（MetaboScape）成功提取并识别了不同的饱和噻吩醌。这些醌是 M. sedula 的呼吸链电子载体，具有在极端环境条件下进行生命检测的生物标志物潜力。
靶向聚电解质的补充信息...
摘要：使用三价ERBIUM（ER 3+）的使用，通常嵌入固态中的原子缺陷，在电信设备中广泛采用作为掺杂剂，并显示出基于自旋的量子记忆的量子记忆，以实现量子通信。尤其是其天然电信C波段光学转变和自旋 - 光子接口使其成为集成到现有光纤网络中的理想候选者，而无需量子频率转换。然而，成功的缩放需要具有固有核自旋的宿主材料，与半导体铸造工艺的兼容性以及与硅Pho-Pho-Photonics的直接整合。在这里，我们使用铸造型原子层沉积过程呈现二氧化钛（TiO 2）在硅底物上的薄膜生长，并在ER浓度上具有广泛的掺杂控制。即使在氧气退火后生长的膜是无定形的，它们也表现出相对较大的晶粒，并且嵌入的ER离子表现出来自氧化酶TiO 2的特征性光学发射光谱。至关重要的是，这种生长和退火过程保持了纳米光整合所需的低表面粗糙度。最后，我们通过evaneScent耦合与高质量的Si纳米腔腔接头，并展示了其光学寿命的大型purcell增强（≈300）。我们的发现表明，将ER掺杂材料与硅光子学集成在一起的低温，非破坏性和底物独立的过程。关键字：原子层沉积，纳米光子学，稀土离子，Purcell增强，量子记忆F在高掺杂密度下，该平台可以实现集成的光子组件，例如片上放大器和激光器，而稀释浓度可以实现单个离子量子记忆。
减少了在国际空间站生长的浮游培养物上观察到的铜绿细胞大小
摘要：过去已经研究了细菌的生长和行为，但是尽管对无数过程的影响，包括生物膜形成，但对船员健康的影响很少，但几乎没有将重点引向细胞大小。分析了在国际空间站（ISS）上培养在不同材料和媒体上培养的铜绿假单胞菌的特征上清液等分试样，作为太空生物膜项目的一部分。在该实验中，铜绿假单胞菌是在微重力的（与地球对照匹配的）中生长的，在改良的人工尿液培养基（Maumg-high Pi）或补充了KNO 3的LB Lennox中，并评估了其在六种不同材料上的生物膜形成。在孵育一二，两天和三天后，ISS船员通过固定在多聚甲醛中终止了实验的子集，并在此处介绍了上清液的等分试样进行浮游细胞尺寸研究。通过在油浸入下的相对造影显微镜，moticam 10+数码相机和斐济图像分析程序下使用相对造影显微镜，获得了飞行后的测量。统计比较，以确定使用Kruskal – Wallis和Dunn检验的哪些治疗方法在细胞尺寸上产生了显着差异。在LBK和Maumg-High Pi中，培养物中存在的材料存在统计学上的显着差异。与此一起，数据还按重力条件，培养基和孵育天数分组。总而言之，在微重力上生长的培养物上观察到较小的细胞，并且细胞大小随孵育时间的函数和培养物的生长而变化。在微重力中培养的浮游细胞的比较显示细胞长度降低（根据材料，从4％到10％）和直径（根据材料，根据材料的1％到10％）就其匹配的地球对照组而言，需要注意的是，在给定时间，培养物可能在其生长曲线上可能在不同的生长曲线上处于不同的位置。我们在此处描述了这些变化，以及在机组人员健康和潜在应用方面对人类太空旅行的可能影响。