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3.1.2 被认可为研究指导的教师比例（最近完成的学年）
334 RAMESH P KTU-F11822 工程学院 蒙纳尔 电子与通信工程 电子系统设计、微型燃料电池、超大规模集成电路 335 CIZA THOMAS KTU-F15261 工程学院 特里凡得琅 电子与通信工程 网络安全、模式识别、机器学习 336 RANJITH RAM A KTU-F10384 政府工程学院 坎努尔 电子与通信工程 信号/图像处理、计算机视觉、模式识别
3D 打印患者专用颅骨轮廓脑活检指南的可行性和准确性
颅内肿瘤是狗发病和死亡的一个重要原因，每 100,000 只动物的发病率为 14.5。1随着磁共振成像（MRI）的普及，认识到诊断的局限性非常重要，因为颅内病变可以具有相同的 MRI 信号特征和形态。2-4例如，Cervera 等人发现多达 47% 的脑血管事件被诊断为神经胶质瘤，12% 的组织学证实的神经胶质瘤被归类为中风。4 Rodenas 等人发现在 89% 患有原发性脑肿瘤的狗中可以区分肿瘤性病变和非肿瘤性病变，但只有 70% 的原发性脑肿瘤能够正确区分肿瘤类型。 2 由于每种颅内疾病的治疗方案和预后会因病因不同而有很大差异，因此获得组织病理学诊断对于患者和客户来说都是至关重要的一步。在人类中，脑活检通常通过立体定向手术进行。5 基于框架的立体定向脑活检 (SBB) 被认为是脑活检的黄金标准，6 它利用刚性的外部头架固定患者，并使用立体定向协调系统获取样本。基于框架的 SBB 已在狗身上进行了研究，并得到有效利用，其精度和诊断产量可与人类研究相媲美。7-9 然而，据报道，人体存在一些局限性，例如灵活性和患者不适，这表明需要采用不同的方法，包括采用机器人辅助或图像引导的神经导航的无框架技术。6,10 立体定向设备在兽医学中的使用进一步受到商用设备的可用性和患者体型范围广泛的限制。进一步研究替代性脑活检方法和立体定向设备可以促进对狗脑损伤的诊断，一种潜在的替代方案是针对特定患者的 3D 打印活检指南。针对特定患者的 3D 打印模型和手术指南已在兽医学中用于各种目的，并取得了巨大成功。11-18 还有两项犬类尸体研究测试了 3D 打印患者特定立体定向系统的可行性，但需要在 MRI 之前放置钛骨锚和基准标记以规划 3D 指南。19,20
课程指南230588 -Qinterf-量子光 - 物质接口：现代系统和应用
是向学生介绍当今正在使用的主要实验平台，包括腔Qed和原子团的历史主力，以及即将到来的范式，例如原子 - 纳米光界面界面，量子光学力学和超导电路QED。我们还将详细调查量子技术中主要应用的几种重要协议，例如光量子记忆，光子 - 光子大门，相干的微波链接到光学链接和量子计量学，并了解如何忠实地实施它们的基本限制。
Microsoft PowerPoint - INCOSE-Ench-Chptr-2021-04-14_RWG-guides.pptx
INCOSE 的验证和确认指南：背景、进展和内容摘要：本简报将向社区介绍 INCOSE 验证和确认指南，这是 INCOSE 需求工作组 (RWG) 正在进行的工作。将分享该指南与其他正在开发的 RWG 文档的背景。这些其他文档是即将发布的管理需求指南 (GMR) 和需求和需求生命周期手册 (NRLM)。将提供 V&V 指南的顶级目录，以及完成和发布的时间表。与会者将了解 RWG 正在处理哪些文档、它们最终将如何组合在一起，以及它们向 INCOSE 社区发布的大致时间表。
用于 110 GHz 以上高功率单片集成电路的 SiC 基板集成波导
摘要 — 在 SiC 晶片上设计、制造和测量了不同几何形状的基片集成波导 (SIW)，以及基于 SIW 的谐振器、基于 SIW 的滤波器、接地共面波导 (GCPW)、GCPW-SIW 过渡和校准结构。使用两层校准从 GCPW 探测的散射参数中提取固有 SIW 特性。由此产生的 D 波段 (110-170 GHz) SIW 表现出创纪录的低插入损耗 0.22 ± 0.04 dB/mm，比 GCPW 好四倍。3 极滤波器在 135 GHz 时表现出 1.0 dB 的插入损耗和 25 dB 的回波损耗，这代表了 SiC SIW 滤波器的最新水平，并且比 Si 片上滤波器好几个数量级。这些结果显示了 SIW 有望在同一 SiC 芯片上集成 HEMT、滤波器、天线和其他电路元件。关键词 — 腔体谐振器、微波滤波器、毫米波集成电路、半导体波导
非线性光学元件的超低氮化硅波导
区域，从而增强了光学强度。然而，如此高的光学结构增加了纳米级不均匀性引起的散射损失的敏感性。氮化硅是一种介电材料，具有相对较大的非线性指数系数和一个从紫外线到中红外的宽带透明度窗口。其折射率与二氧化硅形成鲜明对比允许高分并控制波导几何形状的分散体。在过去几年中，这个材料平台作为依赖KERR效应的非线性光学应用程序的主力，从微型BOMB的生成到副标。在本文工作中，我们专注于开发高级制造技术，以实现氮化硅波导的实现。仪表长的高填充波导据报道，有1.4 db/m的阶段损失创纪录的低损失和分散工程的mi- croResonators，质量为1900万。基于这项技术，我们证明了带有光电检测的重复速率的八度跨度相干微膜和小鳄鱼的设备面积小于1毫米2，即比艺术的状态小的数量级。高产量和超损坏Si 3 N 4波导也使我们在整合波导中的第一次连续波参数放大器也可以实现，当以相位敏感的模式运行时，表现出9.5 dB的增益为9.5 dB，噪声效率为1.2 db。
Position-dependent chiral coupling between single quantum dots and cross waveguides
光子纳米结构与量子发射器之间的手性光 - 脱子相互作用显示出实现量子信息处理的自旋 - 光子界面的巨大潜力。量子发射极的位置依赖性自旋动量锁定对于这些手性耦合纳米结构很重要。在这里，我们报告了量子点（QD）和跨波导之间的位置依赖性手性耦合。选择在横截面中不同位置分布的四个量子点以表征设备的手性特性。定向发射是在单个波导和两个波导中同时实现的。此外，可以用四个输出的手性对比确定QD位置。因此，通过将QD放置在合理位置，跨波导可以充当单向单向波导和圆形极化的光束分离器，该位置具有潜在的应用程序，该QD在单个光子水平上的复杂量子光学网络中具有潜在的应用程序。
通过 ... 直接激光写入渐变折射率 SiGe 波导
我们报告了通过在硅衬底上外延生长的最初均匀的硅锗 (SiGe) 薄膜中进行相位分离直接激光写入渐变折射率光波导。我们使用了波长为 532 nm 的连续波 (CW) 激光器。激光束聚焦到厚度为 575 nm、Ge 浓度为 %50 的 SiGe 薄膜表面上直径为 5 µm 的光斑。通过熔化表面来诱导 SiGe 薄膜的成分分离，并通过将激光诱导熔化区的扫描速度控制在 0.1-200 mm/s 的范围内来调整成分分布。在高扫描速度下，扫描激光束会产生移动的富 Ge 熔化区，由于扩散限制的 Ge 传输不足，Ge 含量会在后缘积聚。材料特性表明，激光加工的 SiGe 微条带由富含 Ge 的条带芯（> 70% Ge）和富含 Si 的底层包层（<30% Ge）组成。扫描速度相关的相位分离允许制造具有可调成分分布的渐变折射率 SiGe 波导，这些波导通过光学传输测量和使用模拟的模式分析来表征。我们的方法还可以应用于三元半导体 (AlGaAs) 的伪二元合金，其平衡相图与 SiGe 合金的平衡相图相似。
在UV/Violet上运行的低损坏单模波导...
集成的光子学是一种在应用程序的各个领域，包括光学共同传感和生物传感。尤其是，片上生物感应引起了极大的兴趣，这是由于其在低成本，紧凑性和低检测极限方面的潜力。CMOS兼容的氮化硅（SIN X）目前在片上光谱中起着重要作用，是可见/近红外（MR）平台的首选材料[1]。然而，sin x在蓝色/紫外线波长下遭受高吸收损失[2]。已经努力研究了在紫外线波长的波导，但紫外线平台仍处于起步阶段。对于理想的光子平台，低损耗和单模操作对于结合芯片上多个光学组件至关重要。最近，X。Liu等[3]报道了一个单晶AIN平台。从k = 390 nm处的出色胶片质量，中等的波导损失为8 db/cm。然而，即使使用电子束光刻，大波导维度和高指数（N）值为2.2也会导致多模式引导。相反，使用原子层沉积（ALD），氧化铝（A10 X）具有较低的折射率值，高于220 nm [4]的高透明度，可以很好地控制A10 X膜的均匀性和厚度。G.N. West等。 在“ k = 371 nm [5]时，以令人印象深刻的低损失为〜3 db/cm的A1G X波导，需要步进光刻来进行模式波导，然后才能实现单个模式操作。 在402 nm的波长下证明了5 dB/cm的传播损失。G.N.West等。 在“ k = 371 nm [5]时，以令人印象深刻的低损失为〜3 db/cm的A1G X波导，需要步进光刻来进行模式波导，然后才能实现单个模式操作。West等。在“ k = 371 nm [5]时，以令人印象深刻的低损失为〜3 db/cm的A1G X波导，需要步进光刻来进行模式波导，然后才能实现单个模式操作。在402 nm的波长下证明了5 dB/cm的传播损失。此外，它们的平台将氧化硅（Sio X）的实现为硬面膜，后来将其作为顶级层面。尽管这将有效地降低核心和覆层之间的指数对比，然后减少散射损失，但Sio X-覆层不可避免地会抑制平台的生物感应电位。在本文中，我们提出了由常规接触光刻（Karl Suss Ma6对准器）制造的空气层单模A10 X波导。在实施昂贵且耗时的步进光刻之前，该A10 X平台利用了一种高效且具有成本效益的光刻工具来制造紫外线/紫罗兰色频谱设备的研究原型。
采用脊基片集成波导的宽阻带 220 至 330 GHz 歧管三工器
摘要 — 本文报道了一种三通道、非连续、流形多路复用器，工作频率为 220 至 330 GHz，工作带宽为 40%。该结构采用一组脊状基片集成波导 (SIW) 进行设计和实现。与传统 SIW 设计相比，脊状 SIW 提高了阻带带宽，并将整体结构尺寸缩小了 35%。三工器采用英特尔开发的有机封装基板技术，具有四层厚铜金属层和连续沟槽通孔代替标准通孔围栏，可显著降低脊状 SIW 波导的欧姆损耗。在三工器结构的开发中采用了电磁电路建模和协同设计技术。使用带状毫米波晶圆探测测量制造的三工器，通带中的插入损耗为 3 ∼ 7 dB，每个通道滤波器的平均回波损耗优于 10 dB。测得的三个通道的阻带衰减均优于 27 dB。