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Femtosecond Laser Writing in Material Platforms for Quantum ...
认可3目录5摘要7摘要7介绍9章2背景13 2.1激光微加工13 2.1.1非线性光照射过程13 2.1.2放松和修改15 2.1.3晶体中的激光写作17 2.1.1.1.1.1.4 2.1.4 femtseceent femtsocectement femtseceptiration 2.1.1.1.1 frafication 2.1.5 afferation 20 2. frafication 2 2 2缺陷23 2.2.1自旋特性24 2.2.2光学特性32 2.2.3电荷属性39 2.2.4材料属性和前景41第3章实验详细信息43 3.1微加工系统43 3.2波导特征48 3.2.1光学模式特征48 3.2.2.2.2.2.2.2钻石中的y剪裁器65 4.4 DNV钻石中的高密度NVS 72第5章颜色中心的确定性放置78 5.1动机78 5.2 NV中心的激光写作钻石79 5.3激光写作SIC 85 5.4在HBN 89 Chifusion 6 Chiblife in SiC 89 Chifusion 6 Chindement 63 Biuse 63 Biogry 93 Biogry 96 Biogry 96 Chier 96 Chiel 93 Biogry 96
新闻稿中国移动2024临时结果
ebitda（百万元）* 183,457 182,270 -0.6％的利润可归因于股权股东（百万令吉）76,173 80,201 5.3％5.3％的基本收入每股基本收入（RMB）（rmb）3.56 3.56 3.75 5.75 5.3％5.3％的股票股票率 /股票率（每股）2.43股票2.43。5.0％1.0％。 which: 5G network customers (million) 393 514 30.8% Mobile ARPU (RMB) 52.4 51.0 -2.7% Wireline broadband customers (million) 286 309 7.9% Of which: Household broadband customers (million) 255 272 6.8% Household customer blended ARPU (RMB) 43.3 43.4 0.2% Corporate customers (million) 24.30 30.38 25.0% * EBITDA = profit from运营 +折旧和摊销（香港，2024年8月8日） - 2024年上半年，中国移动收入获得了5467亿元人民币的营业收入，同比增长3.0％。，我们的电信服务收入占466亿元人民币，同比增长2.5％。总连接超过35亿，净增加1.5亿。在CHBN市场中，HBN收入占电信服务收入的45.0％，同比增长2.3个百分点。作为收入增长的“第二曲线”，我们的数字化转型收入达到了1471亿元人民币，增加了
![arxiv：2409.18502v1 [Quant-ph] 27 Sep 2024](/simg/7\709b594740b2f88d985077820519abcc8df5144b.webp)
arxiv：2409.18502v1 [Quant-ph] 27 Sep 2024
简介 - 单个光子是量子光学研究和量子技术的基本资源。单光子源（SPS）[1，2]的进步已经在量子通信[3，4]，量子计算[5，6]和量子传感[7]方面开放了新的机会。在量子键分布（QKD）的背景下，理想的SP可以接近通道损耗极限的表现。此外，利用SPS的QKD系统可以消除对诱饵状态的需求，从而降低实验和数据处理的复杂性。最重要的是，基于SPS的QKD系统应超过相干状态的极限[8]，这突出了单个光子在增强QKD性能方面的潜力。近年来已经报道了许多关于QKD的QKD研究[9，10]。但是，这些来源中的大多数[11-14]都需要低温冷却，这阻碍了其广泛的商业应用。虽然在六角硼n- tride（HBN）中使用室温SPS [15-17]的方法已经解决了这个问题，但不幸的是，这些来源在电信波长时不运行，从而限制了其用于基于长距离纤维的QKD的应用。在2018年，在硝酸盐（GAN）晶体中发现了电信波长范围内发出的固态SPS，并在室温下运行[18]。这些SP显示了点数发射极，稳定触发的Photolumi-
中国移动公布2023年全年业绩
EBITDA（人民币百万元） 1 329,176 341,478 3.7% 股东应占利润（人民币百万元） 125,459 131,766 5.0% 每股基本盈利（人民币元） 5.88 6.16 4.8% 每股股息（港元） 4.41 4.83 9.5% 移动客户总数（百万户） 975 991 1.6% 其中：5G套餐客户数（百万户） 614 795 29.4% 5G网络客户数（百万户） 327 465 42.1% 移动ARPU（元） 49.0 49.3 0.6% 有线宽带客户数（百万户） 272 298 9.6% 其中：家庭宽带客户数（百万户） 244 264 8.3% 家庭宽带综合ARPU（元） 42.1 43.1 2.4% 企业客户数（百万） 23.20 28.37 22.3% 物联网卡连接数（百万） 1,062 1,316 23.9% 1.EBITDA=经营利润+折旧及摊销（香港，2024年3月21日） –中国移动全年营运收入达人民币10,093亿元，同比增长7.7%。其中，电信服务收入达人民币8,635亿元，同比增长6.3%，超过行业平均水平。总连接数达33.5亿，净增4.1亿个连接。所有CHBN市场均实现增长，HBN收入在电信服务收入中的占比为43.2%，比上年同期增长1.4%。
小脑和认知功能：来自转诊样本的解剖学证据
在人类功能，病变和动物数据中抽象的多行证据表明，小脑角色，尤其是Crus I，Crus II和Lobule VIIB，在认知功能中。然而，缺少将认知功能的不同方面映射到小脑结构。我们分析了来自健康脑网络（HBN）的结构神经影像学数据。小脑包裹。规范相关分析（CCA）检查了与认知功能相关的区域灰质体积（GMV）差异（用NIH工具箱认知域，NIH-TB量化），对心理病理学的严重程度，年龄，性别，性别，性别，扫描位置和内部体积进行了考虑。多变量CCA发现了两个需要潜在认知规范（NIH-TB子量表）和脑规范变量（小脑GMV和颅内体积，ICV）的两个组件之间的显着相关性。组件对应于部分共享的小脑 - 认知功能关系，其中的第一个映射涉及认知灵活性（r = 0.89），处理速度（r = 0.65）以及与CRUS II（r = 0.57）和LOBULE X（r = 0.59）的区域GMV相关的工作记忆（r = 0.52），包括crus x（r = 0.59）。 r = 0.49）与工作记忆相关（r = 0.51）。我们展示了在转诊样品中认知功能的小脑形态的结构性典型化的证据。
自旋涂层促进了2D材料上AGCN微管的外延生长
摘要：预计无机晶体在2D材料上的外延生长有望大大推进纳米版和纳米复合材料。但是，由于2D材料的原始表面是化学惰性的，因此很难在2D材料上表现出无机晶体。以前，仅通过在高温下的蒸气 - 相位沉积来实现成功的结果，而基于溶液的沉积（包括自旋涂层）使外延生长在2D材料上不一致，稀疏或不均匀。在这里，我们表明溶剂控制的自旋涂层可以将密集的外延AGCN微管均匀地沉积在各种2D材料上。将乙醇添加到水溶液中，在自旋涂层期间促进了薄的过饱和溶液层的均匀形成，这促进了在块状溶液中均匀核定的2D材料表面上的异质晶体成核。显微镜分析证实了在石墨烯，MOS 2，HBN，WS 2和WSE 2上外延AGCN微管的高度排列，均匀和密集的生长。的外延微管，是光学上可观察到的，化学上可移动的，可以在毫米大小的多晶石墨烯中对晶粒进行晶粒图，以及对van der waals waals异质结构中扭曲角度（<〜1°）的精确控制。除了这些实际应用外，我们的研究还证明了2D材料作为外延模板的潜力，即使在无机晶体的自旋涂层中也是如此。关键字：自旋涂层，外延生长，范德华外延，氰化银，2D材料，范德华异质结构H
建筑物急性感染控制指导原则...
删除为应对 COVID-19 而引入的第 3.1.1.13 和 3.1.1.14 节，但不属于本文档的范围。提及弹性对于废物处理能力的重要性（第 3.4.5 节）。对住宅护理机构中临床洗手池的更新 7 月 7 日 23 日第 1.7 节 - 更新了支持证据，包括 NCEC IPC 临床指南第 30 号，并删除了 SARI 指南第 3.1.1.9 节 - 包括其他参考资料（HTM03、HBN、CIBSE、ISO 14644）以支持计算机流体动力学 (CFD) 建模，作为分析流量和通知定位的计算机建模练习。第 3.1.1.10 节 – 重新措辞并包括风险评估的使用 第 3.1.2.5 节 – 提及与曲霉病有关的风险评估 第 3.2.2 节 – 建议将水槽放置在距离病床 2 米的位置 第 3.2.3 节 – 隔离室 – 注明 1：75 为最低限度。同意纳入一般原则 1：25/30 床位（病房）。 第 3.2.4 节 空气传播隔离室设计 – 删除段落 第 3.2.7 节 – 新增关于脏/净设施划分的声明并纳入关于卫生设施的新章节 第 3.4.3 节 – 注明先前合并了急性病和社区指导 – 同意删除社区环境中对 4 床位房间的提及，改为 2 床位 第 3.4.6 节 – 重新措辞此节并提及原始 HTM03 对整个指导进行了一些编辑性更改
石墨烯超晶格中可调子带间等离子体极化子的出现
摘要。按需修改高迁移率二维 (2D) 材料的电子能带结构对于需要快速调整固态器件的电和光响应的各种应用具有重要意义。尽管已经提出了电可调超晶格 (SL) 势来设计石墨烯中狄拉克电子的能带结构，但设计可以与光混合的新兴准粒子激发的最终目标尚未实现。我们表明，单层石墨烯中一维 (1D) SL 势的极端调制会在费米面附近产生阶梯状电子能级，从而导致以子带间跃迁 (ISBT) 为主导的光学电导率。一个特定的、可通过实验实现的平台由位于 1D 周期性元栅极顶部的 hBN 封装石墨烯和第二个未图案化的栅极组成，可产生强烈调制的静电势。我们发现，具有大动量且垂直于调制方向的狄拉克电子通过静电势的全内反射进行波导，从而产生具有几乎等间距能级的平坦子带。表面等离子体与电控 ISBT 的预测超强耦合是产生可用光学探测的极化子准粒子的原因。我们的研究为探索具有栅极可调电子能带结构的二维材料中的极化子开辟了一条途径。
过渡金属氮化物卤化物电介质
利用第一性原理计算，我们研究了六种过渡金属氮化物卤化物 (TMNH)：HfNBr、HfNCl、TiNBr、TiNCl、ZrNBr 和 ZrNCl 作为过渡金属二硫属化物 (TMD) 沟道晶体管的潜在范德华 (vdW) 电介质。我们计算了剥离能量和体声子能量，发现这六种 TMNH 是可剥离的并且具有热力学稳定性。我们计算了单层和体 TMNH 在平面内和平面外方向的光学和静态介电常数。在单层中，平面外静态介电常数范围为 5.04 (ZrNCl) 至 6.03 (ZrNBr)，而平面内介电常数范围为 13.18 (HfNBr) 至 74.52 (TiNCl)。我们表明，TMNH 的带隙范围从 1.53 eV（TiNBr）到 3.36 eV（HfNCl），而亲和力范围从 4.01 eV（HfNBr）到 5.60 eV（TiNCl）。最后，我们估算了具有六个 TMNH 单层电介质和五个单层通道 TMD（MoS 2 、MoSe 2 、MoTe 2 、WS 2 和 WSe 2 ）的晶体管的电介质漏电流密度。对于 p- MOS TMD 通道晶体管，30 种组合中有 25 种的漏电流小于六方氮化硼 (hBN)，一种众所周知的 vdW 电介质。对于以 HfNCl 为栅极电介质的 ap -MOS MoSe 2 晶体管，预测最小双层漏电流为 1.15×10 -2 A/cm 2。据预测，HfNBr、ZrNBr 和 ZrNCl 也会在某些 p-MOS TMD 晶体管中产生微小的漏电流。
晶圆级单晶过渡金属的位错...
8 三星电子有限公司三星先进技术研究所 (SAIT)，韩国水原 16678 gwanlee@snu.ac.kr 摘要 (Century Gothic 11) 通过化学气相沉积 (CVD) 在具有外延关系的晶体基底（例如 c 面蓝宝石）上合成了晶圆级单晶过渡金属二硫属化物 (TMD)。由于 TMD 外延生长的基底有限，因此需要将转移过程转移到所需的基底上进行器件制造，从而导致不可避免的损坏和皱纹。在这里，我们报告了通过过渡金属薄膜的硫属化在超薄 2D 模板（石墨烯和 hBN）下方的 TMD（MoS 2 、MoSe 2 、WS 2 和 WSe 2 ）的异轴（向下排列）生长。硫族元素原子通过石墨烯在硫族化过程中产生的纳米孔扩散，从而在石墨烯下方形成高度结晶和层状的TMD，其晶体取向排列整齐，厚度可控性高。生长的单晶TMD显示出与剥离TMD相当的高热导率和载流子迁移率。我们的异轴生长方法能够克服传统外延生长的衬底限制，并制造出适用于单片3D集成的4英寸单晶TMD。参考文献 [1] Kang, K. 等。具有晶圆级均匀性的高迁移率三原子厚半导体薄膜。Nature 520 , 656-660 (2015).[2] Liu, L. 等。蓝宝石上双层二硫化钼的均匀成核和外延。Nature 605 , 69-75 (2022) [3] Kim, K. S. 等人。通过几何限制实现非外延单晶二维材料生长。Nature 614 , 88-94 (2023)。