XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemhomojunction
在空间选择性p型掺杂掺杂，用于通过低能量氮离子植入
摘要在二维（2D）半导体制造过程中，侧向P-N连接的构建非常重要，而且具有挑战性。先前的研究表明，垂直P-N连接可以通过垂直堆叠2D材料来制备。但是，界面污染和较大面积的可扩展性是垂直堆叠技术难以克服的挑战。构建2D横向P-N同型结是解决这些问题的有效策略。在空间选择性p型掺杂2D半导体的掺杂有望构建侧面P-N均匀结构。在这项工作中，我们开发了一种低能离子植入系统，将植入能量降低至300 eV。低能植入可以形成浅植入深度，这更适合调节2D材料的电气和光学特性。因此，我们利用低能量离子植入将氮离子直接涂成几层WS 2，并成功实现了WS 2的精确调节，其电导率类型从N型转换为双极性甚至P型传导。此外，通过将其扩展到其他2D半导体（包括WSE 2，SNS 2和MOS 2）来证明该方法的普遍性。基于这种方法，横向WS 2 p-n同型被制造出来，具有显着的直径特征。还准备了基于P-N结的光电探测器，并准备了光伏效应，开路电压可以达到0.39V。这项工作为可控掺杂2D半导体提供了有效的方法。
Spatial charge separated 2D homojunction for photocatalytic hydrogen production Xijuan Wang, 1 Saisai Yuan, 1 * Wuxiang Zhang, 1 Chuanxiang Chen, 1 *
2 深圳大学微尺度光电子研究所二维光电子科学与技术教育部国际合作实验室，深圳 518060 3 扬州大学化工学院，扬州 225002 4 九州工业大学工学部应用化学系，北九州 804-8550，日本 抑制光生电荷复合对于高效光催化产氢至关重要。同质结因其优异的晶体结合和能带结构匹配而比异质结受到更多关注。然而，大多数同质结受到连续氧化相和还原相引起的氧化还原反应干扰，阻碍了光催化活性的提高。制备电荷相和氧化还原相完全空间分离的同质结光催化剂仍然具有挑战性。这里，我们通过背靠背几何结构制备了一种氧化相和还原相完全分离的二维同质结 CeO2。所制备的 CeO2 表现出两种不同的表面：一种光滑，另一种粗糙。实验和理论结果表明，与光滑表面相比，粗糙表面上有更多的 CeO2{220} 具有更高的还原能力，而 CeO2{200} 具有更高的可见光吸收能力。二维同质结 CeO2 产生的氢气量是普通 CeO2 纳米片的三倍，甚至超过了负载金纳米粒子的 CeO2 纳米片的氢气量。这项工作提出了一种新的同质结光催化剂模型，其电荷相和氧化还原相都完全空间分离，这将启发对同质结光催化剂的进一步研究。光催化制氢代表了一种很有前途的太阳能燃料生产方法。 1-5 光生电荷的分离 6-8 是增强光催化活性的关键因素，因为它决定了实际转移到催化剂表面的电荷量。促进电荷分离的策略包括形貌控制、9,10 掺入掺杂剂、11-14 用贵金属 15 纳米粒子改性表面以捕获光生电荷并延长其寿命，或构建异质结 16-18 或同质结 19-21 以促进电荷载体的空间分离。异质结或同质结界面处的能带偏移可产生电势梯度，使电荷载体彼此远离，从而抑制它们的复合。与异质结光催化剂相比，同质结光催化剂是同一材料两个区域之间的界面，有利于晶相键合和能带结构匹配。 22,23 同质结光催化剂可分为几种类型，如 pn 结、21,22,24 nn 结、20、25 非晶-晶体结 26 以及结合了不同形貌特征（如 0D、1D 和 2D 材料）的复合材料。23,27 例如，Zou 等人 21 将 n 型氧缺陷的 TiO 2 QD 与 p 型钛缺陷的 TiO 2 结合，制成 TiO 2 pn 同质结，结果表明 pn 同质结 TiO 2 的光催化制氢性能是纯 p-TiO 2 的 1.7 倍。尽管同质结光催化剂具有多功能性和坚固性，但在大多数同质结中，氧化相和还原相是连续的且位于同一侧，导致氧化还原反应相互干扰，阻碍了光催化活性的提高。制备表现出电荷和氧化还原相完全空间分离的同质结光催化剂仍然是一个挑战。在此，我们设计了一种空间电荷分离的二维同质结 CeO2 用于光催化产氢，其氧化相和还原相通过背靠背几何结构完全分离。所制备的 CeO2 呈现二维形貌，并表现出两种不同的表面：一种是光滑的，另一种是粗糙的。实验和理论结果表明，与光滑表面相比，粗糙表面上 CeO2 {220} 含量更高，具有更强的还原能力；CeO2 {200} 含量更高，具有更强的可见光吸收能力。二维同质结 CeO2 的产氢量是普通 CeO2 纳米片的 3 倍，甚至超过了负载金纳米粒子的 CeO2 纳米片。二维同质结 CeO2 产生的氢量是普通 CeO2 纳米片的 3 倍，甚至超过了负载金纳米颗粒的 CeO2 纳米片。二维同质结 CeO2 产生的氢量是普通 CeO2 纳米片的 3 倍，甚至超过了负载金纳米颗粒的 CeO2 纳米片。
自驱动二维材料器件设计中的对称性破坏
摘要：石墨烯和其他二维 (2D) 材料的出现为光电子应用提供了巨大的潜力。人们提出了各种器件结构和新颖的机制来实现具有独特检测特性的光电探测器。在这篇小综述中，我们重点介绍了自驱动光电探测器，它在物联网和可穿戴电子产品所需的低功耗甚至无功率运行方面具有巨大潜力。为了解决自驱动特性的一般原理，我们提出并阐述了基于二维材料的自驱动光电探测器对称性破缺的概念。我们讨论了自驱动光电探测器破坏对称性的各种机制，包括不对称接触工程、场诱导不对称、PN 同质结和 PN 异质结构。回顾并比较了基于这些机制的典型器件实例。对当前自驱动光电探测器的性能进行了严格评估，并讨论了目标应用领域的未来发展方向。
电扫描探针显微镜方法研究太阳能电池连接和设备
J. Alvarez* a，b，c，C.Marchaet A，B，C，A。Morisset A，B，D，L。Dai A，B，E，F，J.-P。 Kleider A，B，C，RaphaëlCabald，P.R。 B Sorbonne University，CNRS，巴黎电力和电子工程实验室，法国75252； C ile -de -France（IPVF）的C光伏研究所，30 Rd 128，91120 Palaiseau，法国； D同型太阳能电池实验室，新能源技术研究所（CEA -LITEN），50 Avenue du LacLéman，73375，Le Bourget -Du -Du -Du -Du -lac，法国； E界面和薄层物理实验室（LPICM），CNRS，Ecole Polytechnique，91128 Palaiseau，法国； f冷凝物质物理学实验室（LPMC），ÉcolePolytechnique，91128 Palaiseau，France
全文（PDF）
摘要。串联结构已引入光伏（PV）市场，以提高功率转换效率（PCE）。以同义或异缝格式的单连接细胞的PCE被剪辑至与吸收材料带隙相关的理论极限。将单连接细胞扩展到多结构结构可穿透这些限制。有希望的串联结构之一是硅拓扑上的钙钛矿。si连接在应用带隙工程方面的情况下用作上面的钙棍夹层的反裸单元。在此，我们采用BATIO 3 /CSPBCL 3 /MAPBBR 3 /CH 3 NH 3 PBI 3 /C-SI串联结构进行研究。在串联PV中，可以调整各种输入参数以最大化PCE，从而大大增加输入组合。如此庞大的数据集直接反映了模拟广泛组合和计算时间所需的计算要求。在这项研究中，我们使用3×10 6分的数据集播种了我们的随机机器学习模型，并在SCAP中使用光电子数值模型播种。机器学习可以估计所提出的串联结构的最大PCE极限约为37.8％，这是裸露的SI细胞报告的两倍以上。
III-氮化物 p 向下绿色（520 nm）发光二极管，带有...
1 俄亥俄州立大学电气与计算机工程系，美国俄亥俄州哥伦布 43210。2 Lumileds LLC，美国加利福尼亚州圣何塞 95131。3 俄亥俄州立大学材料科学与工程系，美国俄亥俄州哥伦布 43210。*通讯作者：rahman.227@buckeyemail.osu.edu 摘要：我们展示了通过高效隧道结实现的低开启电压 P 向下绿光 LED。由于 (In,Ga)N/GaN 界面中的极化场排列具有 p 向下方向，与传统的 p 向上 LED 相比，电子和空穴注入的静电耗尽势垒降低了。具有 GaN 同质结隧道结的单个 (In,Ga)N/GaN 异质结构量子阱有源区在 20A/cm 2 时表现出非常低的 2.42V 正向工作电压，当电流密度高于 100 A/cm 2 时，峰值电致发光发射波长为 520 nm。底部隧道结具有最小的电压降，能够实现向底部 p-GaN 层的出色空穴注入。III 族氮化物半导体在光电子学和电子学 1-12 中的广泛应用具有重要的技术意义，并已广泛应用于照明和显示应用。虽然过去十年来，紫/蓝光发射波长范围内的 GaN 基发光二极管的效率和功率输出有了显着提高，但较长波长的发射器仍然表现出较低的效率。对于为更长波长设计的发射器，(In,Ga)N 量子阱中的铟摩尔分数会导致与更大的晶格失配、量子阱内的缺陷以及阱-势垒界面处更高的极化片电荷密度相关的挑战，所有这些都会导致器件性能下降。13-16