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World File Search Systemhysteresis
通过堆叠工程实现正交扭曲二维 CrSBr 磁体中的可编程磁滞。
扭转二维范德华磁体可以形成和控制不同的自旋纹理，如 skyrmion 或磁畴。除了旋转角度之外，还可以通过增加形成扭转范德华异质结构的磁层数量来设计不同的自旋反转过程。在这里，A 型反铁磁体 CrSBr 的原始单层和双层被视为构建块。通过将这些单元旋转 90 度，可以制造对称（单层/单层和双层/双层）和不对称（单层/双层）异质结构。磁输运特性显示出磁滞的出现，这在很大程度上取决于施加磁场的大小和方向，不仅由扭转角度决定，还由形成堆栈的层数决定。这种高可调性允许在零场下切换易失性和非易失性磁存储器，并根据需要控制在负场或正场值下突然磁反转过程的出现。根据微磁模拟的支持，基于层中发生的不同自旋切换过程合理化了现象学。结果强调了扭转角和层数的组合是设计扭转磁体中自旋切换反转的关键要素，这对于自旋电子器件的小型化和实现新型自旋纹理很有意义。
原子量尺度测定LA0.7SR0.3MNO3/SRTIO3接口的磁性和化学计量法：反滞后>的研究
在过渡金属氧化金属异质结构的界面处的相关性和电子重建的摘要为调整其独特的物理特性提供了新的途径。在这里，我们研究了界面非色化和垂直相分离对磁性特性的影响，以及外部上马la 0.7 SR 0.7 SR 0.3 MNO 3（LSMO）/SRTIO 3（001）氧化物氧化物异构结构的接近性诱导的磁性。我们还重新分辨了该系统报告的最近观察到的逆滞后行为，我们发现，这些行为是从超导螺线管的remanent fird中提出的，而不是从低稳态的LSMO lsmo thin-films中的抗铁磁内交换偶联。结合了原子解析的电子能损失光谱，元素特异性X射线磁性圆形二色性和界面敏感的极化X射线谐振磁磁反射性显示Mn 3 + - 增强的互化lsmo层的形成。 MNO 3，以及界面处的少量O-VACACANCES。这些结果不仅可以提高对相关氧化物界面的磁性和自旋结构的理解，而且还对实际应用有望，尤其是在性能依赖于界面自旋结构控制和旋转极化电流的设备。
网格绑定的大型电池储能系统
6.2 Open circuit voltage hysteresis and experiment on Willenhall Energy Storage System ................................................................................................................. 107
建议减少铁损失软的指南...
其中w h与激发频率成正比，并且W e与激发频率3的平方成正比。在低于1 kHz的较低含量频率的应用中，例如运动核，磁滞损失对铁损失的影响大于涡流损失的影响。由于SMC核的磁滞损失高于电钢4），因此由于将SMC核应用于电动机而导致的运动效率降低是一个问题。在这种背景下，SMC核心的磁滞损失的减少对于扩大这种类型的核心的应用至关重要，并且已经进行了各种研究5-6）。但是，在大多数情况下，很难对磁滞损失进行定量讨论，因为在这些研究中影响了SMC核心的磁滞损失，并且很难定量地将这些因素分开。因此，为了进一步减少SMC核心的磁滞损失，定量分离影响Hystere SIS损失的因素并减少每个因素的影响很重要。因此，在这项研究中，进行了以下内容，以阐明减少SMC核心磁滞损失的指南。首先，安排了影响顽固性的微观结构因素的常规知识，与滞后丧失密切相关，并得出了磁滞损失和微结构因素的关系方程。然后，量化了微结构因子对SMC核心磁滞损失的影响，并且具有最大的因素
PTB330 专业气象数字气压计...
* 定义为端点非线性、滞后或重复性误差的 ±2 标准偏差限值。** 定义为工作标准不准确性的 ±2 标准偏差限值，包括 NIST 的可追溯性。*** 定义为室温下端点非线性、滞后误差、重复性误差和校准不确定度的平方和根 (RSS)。**** 定义为工作温度范围内温度依赖性的 ±2 标准偏差限值。
BAROCAP® 数字气压计 PTB330 - Eurelettronica ICAS
1) 定义为端点非线性、滞后或重复性误差的 ±2 标准偏差限值。2) 定义为工作标准不准确性的 ±2 标准偏差限值，包括 NIST 的可追溯性。3) 定义为室温下端点非线性、滞后误差、重复性误差和校准不确定度的平方和根 (RSS)。4) 定义为工作温度范围内温度依赖性的 ±2 标准偏差限值。
![arXiv:2107.05306v1 [quant-ph] 2021 年 7 月 12 日](/simg/e\e236dbd0fdc4c22aa268cd10e6fc632f81742fd5.webp)
arXiv:2107.05306v1 [quant-ph] 2021 年 7 月 12 日
我们提出在可行的超导电路架构中通过电容和电感耦合实现两个量子忆阻器的相互作用。在这个组合系统中，输入随时间相关，从而改变每个量子忆阻器的动态响应，包括其收缩磁滞曲线和非平凡纠缠。从这个意义上讲，并发和忆阻动力学遵循相反的行为，当磁滞曲线最小时，显示纠缠的最大值，反之亦然。此外，每当量子忆阻器纠缠最大时，磁滞曲线随时间的方向就会反转。组合量子忆阻器的研究为开发神经形态量子计算机和原生量子神经网络铺平了道路，使当前 NISQ 技术在量子方面占据优势。
BAROCAP® 数字气压计 PTB330
1) 定义为端点非线性、滞后或重复性误差的 ±2 标准偏差限值。2) 定义为工作标准不准确度的 ±2 标准偏差限值，包括可追溯到国际标准。3) 定义为室温下端点非线性、滞后误差、重复性误差和校准不确定度的平方和根 (RSS)。4) 定义为工作温度范围内温度依赖性的 ±2 标准偏差限值。
S-8211C系列电池保护IC
P Accuracy 100 mV Discharge overcurrent detection voltage 0.05 V to 0.30 V (10 mV step) Accuracy 15 mV Load short-circuiting detection voltage 0.5 V (fixed) Accuracy 200 mV Charge overcurrent detection voltage 0.1 V (fixed) Accuracy 30 mV Detection delay times are generated only by an internal circuit (external capacitors are unnecessary).准确性20％高使用的电压（VM PIN和CO PIN：绝对最大额定值= 28 V）0V电池电荷功能“可用” /“不可用”。Div>降低功能“可用” /“不可用”。广泛的操作温度范围TA =40°C至85°C操作过程中的低电流消耗3.0 A型，5.5a最大。（ta = c 25°C）在功率下降0.2a最大。（TA = 2 25°C）无铅，SN 100％，无卤素P *3 *1。过度充电释放电压=过度充电检测电压过度充电磁滞电压（可以在50 mV步骤中选择为0 V或从0.1 V至0.4 V范围选择。*2。过度释放释放电压=过度放电检测电压chardycharge滞后电压（过度放电磁滞电压可以作为0 V或从100 mV步骤中的0.1 V至0.7 V范围选择。）*3。有关详细信息，请参阅“产品名称结构”。应用程序