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纳米烯维克斯用户会议计划
14.30-14.50 Sergey Sayenko（A.S.újvChijes）：磷酸镁磷酸镁的R＆D矩阵（MPP）矩阵，可靠地将SM和ND作为次要的非律师替代的SM和ND可靠地固定为次要的非律师替代物，用于次要的AM和CM和CM和CM，以及AS AS AS AS AS AS AS AS AS tC。
委员会2025年2月20日Digicert理事会国家议程
在数字化转型的不断发展的景观中，组织在确保和扩展其加密基础架构方面面临着前所未有的挑战。但是，随着公司应对AI等先进技术的风险，量子加密后（PQC）（PQC）以及复杂的合规性授权，管理障碍和技术转型等高级技术的风险。通过集中的证书管理，可以减少IT资源负担和成本，以防止昂贵的业务中断，并解决潜在的安全漏洞建立私人和公众信任，同时消除人类错误，不要错过这一机会来学习最佳实践，并提升您的组织的最佳实践，并提高了您的组织的最佳实践，从而减少IT资源负担和成本，以减少IT资源负担和成本，从而降低IT资源负担和成本。是为量子安全的未来做准备的对话的一部分，并塑造了安全数字景观的未来
改善了凝聚素Hichip方案和生物信息学分析，用于强大检测染色质环和条纹
。cc-by-nc-nd 4.0国际许可证（未获得同行评审证书）获得的是作者/资助者，他已授予Biorxiv授予Biorxiv的许可，以永久显示预印本。是
SIC MOSFET微型探索是由于单个事件倦怠
此材料的间隙允许减少设备尺寸，权重和切换损耗[2]。此外，SIC的高温导热率促进了其在恶劣环境中的使用，例如用于核应用的电源开关（空间，航空，核反应堆和军事）。然而，尽管刚刚设计了第四代SIC MOSFET，但其对空间应用的采用却很少见[3]，[4]。尽管SIC材料具有稳健性，但仍证明了由于空间环境辐射引起的灾难性影响[2-3]。SIC设备对单事件倦怠（SEB）[7] - [10]，单事件门破裂（SEGR）[11]，[12]和单个事件泄漏电流（SELC）[13]敏感。在SIC MOSFET中，由于极端的内部漏极到通过SIC源电场，不合适的电流会诱发热失控。这种现象可以导致功率设备的故障和设备功能的损失。对于破坏性SEB，主要粒子（作为中子，质子或离子）会对设备产生影响，因此可以在内部产生电离二级粒子。沿着该二次粒子，电子和孔对的轨迹。由于对SIC的电场比SI MOSFET中的电场高10倍，因此SIC中的功率密度高100倍，并触发冲击电离。强烈的局部局部，因此高密度电流会产生热瞬态和失控，从而导致灾难性失败。在本文中，对质子辐射引起的SEB诱导的COTS包装的SIC MOSFET的失败分析在设备和死亡水平上呈现。在辐射期间和电辐射应力期间的粒子性质[14]，[15]，[15]，[15]，[15]，能量转移（LET）[8]，设备技术[7]，偏置电压（V DS和V GS）[16]，[17]的影响。先前的研究表明，由于MOSFET漂移层中电场的增加，SEB灵敏度随施加的漏气偏置（V DS）而增加[16]，[17]。在[18]中，作者提出了损害类型（氧化物潜在损害，降解，晶体潜在损害和SEB）类型的地图，作为V DS和LET的函数。在灾难性失败的顶部，对于未表现出SEB的质子辐照的设备，在辐射后应激测试中观察到了辐照诱导的氧化氧化物降解[19]。和重型离子，在SIC MOSFET裸露的SIC Seb区域进行了辐射后v ds扫描后，SiC晶格的分解被揭示[18]。建立了一个故障分析流程图，在每个步骤中介绍了结果，分析和风险评估（用于成功分析）。在分析电I-V特性后，用能量分散性X-射线光谱法（EDX）进行了扫描电子显微镜（SEM）研究，揭示了SIC模具中的局部微探索现象。基于对热爆炸的痕迹的分析，制定了微探索的解释。
2025 IC3峰会招股说明书
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智力：鼠标的发展和观点
Intellicage for Mice是一个配备了四个角结构的啮齿动物家庭笼，该结构具有对称的双面板，可在两侧的每个侧面的操作条件，无论是通过奖励（获得水）或厌恶（非pain刺刺激：空气泵，LED灯，LED灯）。使用皮下植入的发音器单独记录瓶乳头的角探，鼻子戳和实际的舔，用于rfid鉴定在同一家居笼中容纳多达16只成年小鼠。这允许记录小鼠的单个笼子内活动，并使用在多功能图形用户界面上设计的工作流程在角落中应用奖励/惩罚操作方案方案。智力开发具有四个根源：（i）对分析小鼠行为的标准方法的不满，包括标准化和可重复性问题，（ii）对处理和住房动物福利问题的反应，（iii）小鼠模型的增加产生了对单小鼠的经典手动行为表型的高度工作负担。和（iv），对室外环境中应答器切割小鼠的研究发现，在小鼠模型中，与实验室经典测试所观察到的小鼠模型中的遗传行为差异明显。后者的观察对于在社会群体中开发房屋式测试很重要，因为它们与传统的信念相矛盾，即必须在社会隔离下对动物进行测试，以防止其他团体成员受到干扰。使用智能确实减少了经典测试的数量，而其灵活性在全球范围内广泛的应用中被证明，包括跨大陆并行测试。本质上，出现了两条测试：在筛查新遗传模型的智能中对自发行为的复杂分析，以及在许多行为神经科学领域的假设检验。即将到来的Intellicage的发展旨在改善学习角和录像带的刺激呈现，并在智能中进行社交互动。它的主要优势是（i）小鼠生活在社会环境中，并且没有压力进行实验，（ii）研究不受时间的限制，并且可以在没有人类的情况下进行，它会增加全球行为表型的可重复性，以及（iv），（iv）允许对笼子的工业标准化进行回顾，这些工具范围允许了新的概况分析。
Forticlient EMS 7.4.1管理指南
简介10 fortiClient EMS组件10文档12 BPS 13入门15开始管理Windows，Macos和Linux端点15最初将Forticlient软件部署到端点15将配置信息推向Forticlient 16 Forticlient 16的关系16 forticlient 16的关系16 forticlient的关系将个人资料部署到Chromebooks 21 21如何与Chromebook一起使用Chromebook 22安装准备23系统要求23系统要求23许可类型24 ForticLient EMS 24组件应用27所需的服务27所需的服务27遥测数据使用需求30管理能力30管理能力32在没有EMS和No fort fortigate Connect and Fortigate fortigate fortigate 32硬件时，EM的硬件配置在em fortigate 32硬件上运行32硬件时连接的33个硬件配置连接到EMS 34 ForticLient遥测安全功能35服务器准备清单35升级EMS 36从较早的Forticlient EMS版本中升级，从较早的Forticlient EMS版本36升级36下载安装文件40安装ForticLient EMS 7.4 40迁移EMS 7.2.4或7.2.5至7.4.1 41安装46安装参数91启动ForticLient EMS并在安装后92配置EMS中登录93
ni-al欧姆与P型4H-SIC
本文介绍了法国Villeurbanne的Laboratoire deLaMatière，法国Villeurbanne摘要：对Ni-Al合金的调查，在本文中介绍了在P型4H-SIC上形成欧姆的接触。检查了Ni/Al接触的几个比例。在1分钟内在400°C的氩气气氛中进行快速热退火，然后在2分钟内在1000°C下退火。为了提取特定的接触电阻，制造了传输线方法（TLM）测试结构。在p型层上可重复获得3×10-5Ω.cm2的特定接触电阻，而N a = 1×10 19 cm -3的掺杂，由Al 2+离子植入进行。测得的最低特异性接触电阻值为8×10-6Ω.cm2。引言硅碳化物是一种半导体，它在硅中具有多种优越的特性，例如宽带镜头三倍，高电场强度（六倍），具有铜和高电子饱和度漂移速度的高热电导率。由于SIC单晶生长晶粒已被商业化，因此在SIC应用中进行了深入的研究[1]，用于高温，高频和高功率设备。半导体设备参数控制开关速度和功率耗散的强大取决于接触电阻[2]。为制造高性能的SIC设备，开发低阻力欧姆接触是关键问题之一。目前正在限制SIC设备的性能，特别是因为与P型材料接触[3-7]。这些接触通常采用铝基合金[3，7]。已经研究了许多不同的解决方案，并且非常关注Ti/al [3-5]，该溶液在p -SIC上产生了10 -4-10-5Ω.cm2的特定接触电阻。最近通过使用诸如TIC [6]的替代材料（诸如TIC [6]的替代材料产生改进的接触的尝试，导致了低于1×10-5Ω.cm2的特定接触电阻，但是这些接触需要“外来”材料和非标准制造技术。另一方面，一些调查集中在接触Ni/Al [7，8]上，优势是形成欧姆行为无论构成不管构成。在本文中，通过不同的参数提出并讨论了p-SIC上Ni/Al欧姆接触的形成。用不同的参数实现了一组样品。善良的注意力首先集中在表面制备上，尤其是有或没有氧化的情况。然后，研究并讨论了触点中的特定电阻与AL含量。最后，也分析了退火序列的效果。使用标准的梯形热处理特征用于1000°C的退火，然后通过在400°C的中间步骤添加1分钟进行修改。实验样品是4H-SIC N型底物，其n型表层掺杂以10 15 cm -3的掺杂，从Cree Research购买。通过浓度为n a = 1×10 19 cm -3的Al 2+离子植入获得P型区域。在Argon Ambient下，在45分钟内在1650°C下进行射入后退火[9]。首先在溶剂中清洁样品，然后再清洗“ Piranha”溶液。冲洗后，将RCA清洁应用于样品，然后将它们浸入缓冲氧化物蚀刻（BOE）中。清洁后，立即在1150°C的干氧中生长了SIO 2层2小时。光刻来定义传输线方法（TLM）模式，并在将样品引入蒸发室之前就打开了氧化物。Ni的接触组成，然后通过电阻加热沉积AL。最终通过升降过程获得了TLM触点。仅在几分钟内在1000°C下在1000°C下在Argon大气下进行退火后才能建立欧姆接触的形成。
硅纳米片在4H-SIC（0001）底物上略有缺陷的外延石墨烯中插入
图4 A：RT 1 mL Si蒸发后，EpiGr/Bl/4H-SIC（0001）表面的STM（6.5 nm x 6.5 nm）图像。值得注意的是，位于（6x6）bl bump的一个（6x6）BL凸起之一中的Si原子插入引起的额外质量。其表观高度由D中报告的线轮廓（绿线）证明（请参阅红色箭头）。偏置电压0.1 V，反馈电流0.36 Na。图像上显示了比例尺。b：RT 1 ml Si蒸发后的EpiGr/Bl/4H-SIC（0001）表面的STM（12 nm x 12 nm）图像，显示了两个不同尺寸的纳米结构。偏置电压0.17 V，反馈电流0.5 Na。c：在b中成像的区域的2d-fft。虽然微弱，但请注意石墨烯蜂窝晶格的典型六边形模式以及6个斑点的伸长表明存在几个石墨烯晶格参数，这可能是由于Epi-Gr遭受的菌株而导致的菌株。e：较小的纳米结构的变焦在B中的方形白框中，显示了石墨烯网络和红色箭头指示的错位的存在。f。该区域的2d-fft在E中的缩小，显示了石墨烯蜂窝网络典型的六边形模式。在A和B中的STM图像上扫描的所有区域都可以看到石墨烯网络。在SM2C中的线轮廓中报告了该纳米结构的明显高度。
仔细观察klebsiella vaiicola
方法和分析：认知功能的Taichi-MSS（Tai Chi和多感觉刺激）是一项在苏州和上海进行的多中心，随机对照试验（RCT），招募了88名60岁以上的参与者。参与者将被随机分配给四组之一：太极拳，多感觉刺激，太极拳与多感官刺激或对照组合。干预措施将持续6个月，在3、6和9个月中进行随访评估。主要结果包括使用蒙特利尔认知评估（MOCA），迷你精神状态检查（MMSE），特定领域的认知测试，纯音调听觉（PTA）和sniffin'''sniffin'''sniffin's Sticks odor识别识别测试。次要结果涉及大脑激活，通过功能磁共振成像（fMRI）扫描测量。fMRI将用于评估大脑结构和连通性的变化，重点是神经可塑性。将使用混合效应模型分析数据。错误的发现率（FDR）将是多次比较的校正方法，以控制误报的预期比例。