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Pepsico 2024 10-K Fileing-2025-02-02-03-18-25
Title of each class Trading Symbols Name of each exchange on which registered Common Stock, par value 1-2/3 cents per share PEP The Nasdaq Stock Market LLC 2.625% Senior Notes Due 2026 PEP26 The Nasdaq Stock Market LLC 0.750% Senior Notes Due 2027 PEP27 The Nasdaq Stock Market LLC 0.875% Senior Notes Due 2028 PEP28 The Nasdaq Stock Market LLC 0.500％高级票据到期2028 PEP28A NASDAQ股市有限责任公司3.200％高级票据到期2029 PEP29纳斯达克股票市场有限责任公司1.125％高级票据应得的2031 PEP31 PEP31 PEP31 NASDAQ股市LLC 0.400高级票据0.400高级票据0.400高级票据0.400高级票据2032 pep32 pep32 n33 n33 nsdaq NASDAQ市场PEP33 NASDAQ股市有限责任公司3.550％高级票据到期2034 PEP34 NASDAQ股票市场有限责任公司0.875％高级票据到期2039 PEP39 NASDAQ股市有限责任公司1.050％高级票据1.050％高级票据，应得
Connecticare预授权要求（Medicare）
概述：此列表包含对住院和门诊服务的通知/预授权（PA）审核要求。这是根据需要进行更改的累积文档。将通过提供商新闻通讯传达此列表的更新，并在修订历史记录中详细介绍。注意：以下列出的某些服务可能是我们一些康涅狄格州计划的收益排除。请验证会员资格和福利。修订历史
栅极源偏置电压和栅极泄漏电流对FTO型SIC功率MOSFET的短路性能的影响
最近已显示：损害累积和SC-FTO型设备的故障仅用于短路脉冲比给定临界值更长的短路脉冲，此后，栅极裂口电流明显增加； 由于热机械应力和随后的温度相关的顶部金属化挤出，降解和失效是在顶部SIO 2中产生裂纹的结果[1]； 遵守临时偏置条件，由于金属路径在设备顶部区域融合效果，因此可以恢复功能[2]。在此，提出和讨论了一个新的结果，即直接在门和排水之间流动的泄漏电流的检测，也影响晶体管的短路性能和稳健性，为此表明，短路期间门源偏置的值也起着重要作用。
管理指南 - 堡垒7.2.8
Introduction 7 FortiClient, FortiClient EMS, and FortiGate 7 Fortinet product support for FortiClient 7 FortiClient EMS 8 FortiManager 8 FortiGate 8 FortiAnalyzer 9 FortiSandbox 9 FortiClient standalone and licensed version feature comparison 9 Endpoint communication security 11 Recommended upgrade path 12 BPS 16 Getting started 18 Getting started with FortiClient 18 EMS and endpoint profiles 19 Telemetry connection options 19 EMS and automatic upgrade of FortiClient 22 Provisioning preparation 23 Installation requirements 23 Licensing 24 Required services and ports 24 Firmware images and tools 28 Microsoft Windows 28 macOS 29 Linux 29 Obtaining FortiClient installation files 30 Provisioning 31 Manually installing FortiClient on computers 31 Microsoft Windows 31 Microsoft Server 32 macOS 32 Linux 38 Installing FortiClient on infected systems 39 Installing FortiClient as part of克隆磁盘图像40使用CLI 40集中式堡垒部署安装forticlient 41 Forticlient EMS 41使用Microsoft AD服务器部署forticlient 41卸载Forticlient 42升级Forticlient 42升级Forticlient 43 EMS和ForticLient 45端口和服务之间的forticlient 43
最佳实践 - Forticlient EMS 7.2
概述4安装和许可EMS 5 SQL数据库管理6 EMS配置7服务器设置7日志设置7 fortiguard设置7 Fortiguard设置7端点设置7端点设置7管理员设置7管理员8警报8端点设置9 FortIctlient设置9 Fortient功能固定功能建议10 forticlient harning 13 fortict offient 13 forterning local offerning local local local local local local internal local intabling localient 13密码13个密码的forterine forterine 13 Antiransomware 13加密备份配置文件13允许用户在注册到EMS 14 forticlient服务监视14 EMS维护15故障排除16查看弱点应用程序的文件路径16聚集调试日志16更改日志17
基于全 SiC 隔离 DC-DC 转换器的直流电气化铁路固定（轨道旁）储能系统
摘要：目前，在欧洲的几条铁路网络中，使用传统的直流电气化系统，既无法增加交通量，也无法使机车以标称功率运行。轨道旁储能系统 (TESS) 可以作为新建变电站的替代解决方案。TESS 限制接触线电压下降并平滑高峰交通期间吸收的功率。因此，可以在限制成本和环境影响的同时提高电力系统的效率。本文提出了一种基于全 SiC 隔离 DC/DC 转换器的 TESS 新拓扑，该转换器与锂离子电池和电流隔离相结合，为运行安全提供了重大优势。发生故障时，转换器的输入和输出端子将电气分离，并且接触线电压绝不会直接施加到电池上。此外，使用 SiC MOSFET 可以获得具有高开关频率的出色效率。本文第一部分介绍了基本 TESS 模块的主要特性，第二部分针对 1.5 kV 直流线路的典型情况提出了一种尺寸确定方法，该方法表明了使用 TESS 增强电源的局限性。最后，介绍了基本模块原型的实验结果。
大气中子诱导的单个事件倦怠的失败分析
摘要。必须研究用于陆地环境中高可靠性应用的电子设备，必须研究中子引起的单个事件效应。在本文中，在ISIS-Chipir辐射后，对包装商业SIC Power MOSFET的大气样中性诱导的单事件倦怠（SEB）进行了实验性观察。建立了SEB在MOSFET的电性能中的影响，并通过扫描电子显微镜观察到SIC损坏的区域。基于在模具级别的失败分析，可以定义SEB机制期间的不同阶段。敏感体积，其中二级粒子沉积了足够的能量以触发SEB机制，并位于SIC N-Drift外延层附近附近的SIC N-Drift外延层中。
SiC MOSFET 软故障模式和硬故障模式
摘要 — 本文首先讨论了在短路电热应力下 1200 V SiC 功率 MOSFET 中产生短路故障或开路故障特征的判别现象。由于开路故障行为与应用特别相关，本文接着提出了对一些商用器件的基准测试，确定了一款产品，该产品在偏置电压高达额定值的至少 50% 的情况下，能够提供一致的开路故障特性。对于该特定器件，我们将提供全面的功能和结构特性。具体而言，本文表明：栅极电流是短路应力下随后发生的退化的有效监测器，可用于评估损伤积累以及器件退化的可逆性或永久性；开路故障特征与栅极结构的退化有关，在距离有源单元相对较远且不涉及场氧化物的区域中，栅极和源极端子之间会产生短路。该发现与分立器件和多芯片功率模块（包括多个并联连接的芯片）的应用相关。
SiC-MOSFET阈值电压漂移的测量与分析
法国里昂 摘要 碳化硅功率 MOSFET 在许多研究中用于提高电力电子转换器的效率或性能。然而，栅极氧化物技术弱点是碳化硅 MOSFET 晶体管的主要可靠性问题。阈值电压漂移是解决工业电源应用可靠性的关键现象。更好地理解栅极阈值电压漂移中隐含的现象非常重要。在此背景下，本文提出了一种基于 JEDEC 标准的静态老化测试，并研究和讨论了由此产生的栅极氧化物应力。进行了补充测试，包括动态可靠性和栅极氧化物特性，例如电荷泵技术。获得的结果用于为当前有关 SiC MOSFET 稳健性的讨论增添见解。此外，还详细介绍了测试台和测量协议。 * 通讯作者 quentin.molin@supergrid-institute.com 电话：+33 6 68 30 16 52 1. 简介 由于 SiC 具有比硅更优越的电气性能，因此它是一种很有前途的高压高温器件材料。然而，仍有许多可靠性问题有待解决，例如氧化物退化 [1]、阈值电压不稳定性 [2]、[3] 和短路行为 [4]、[5] 和 [6]。其中一些关键点对于开发用于工业应用的可靠功率器件至关重要 [7]。
重复短路应力下 SiC MOSFET 栅极老化规律预测
b IRT Saint-Exupéry，图卢兹，法国 摘要 本文提出了 SiC MOSFET 栅极在重复短路应力下的老化规律。基于分析研究、物理形式和预处理数据，提出了基于应力变量 T j、T 脉冲栅极损伤 % 和 E sc 的数值拟合。对老化规律的准确性和预测能力进行了评估和比较。结果提出了一种基于 T Al_Top 金属源的新老化规律。该规律的拟合精度最高。最后，直接基于短路能量 E sc 的老化规律似乎具有最佳的预测能力。 1. 简介 SiC MOSFET 提高了功率转换器效率 [1]。如今，必须保证意外极端操作中的可靠性和稳健性。然而，由于平面结构中的电流密度更高和通道更短，SiC MOSFET 的短路 (SC) 耐受时间 (T SCWT @2/3 x V DSmax ) 低于硅器件，t SCWT = 2μs，而 Si IGBT 的 t SCWT = 10μs。最近，人们投入了大量精力来研究短路测试下的专用 SiC MOSFET 故障机制 [2,3]。高温变化导致栅极区域和 Al 源金属周围产生累积热机械应力。这些通常导致 SiC MOSFET 无法超过源自硅标准的 1000 次重复短路循环阈值。在 SiC MOSFET 栅极损坏之前，对其允许的短路循环次数的预测目前尚不为人所知，但这却是运行阶段主要关注的问题。在 [4] 中，提出了威布尔分布和直接 T j Coffin-Manson 老化定律，但漏源电压偏置降低至 200V，并使用栅极沟槽器件。在 [5] 中，作者通过实验证实了栅极老化与 T j 应力的依赖关系，但未拟合 Coffin-Manson 参数，因此未提出预测能力。在本文中，进行了重复的 SC 研究，以建模并提出一组 SiC MOSFET 上的预测分析栅极老化定律