XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemiC
副研讨会：2025春季由...
虚拟犯罪经济学（VICE）研讨会系列特征是与犯罪行为和刑事司法政策有关的经验研究。1小时的研讨会包括作者的35分钟演示文稿和25分钟的疑问/讨论。它在周四的Zoom上进行，美国东部时间1：00-2：00。
碳化硅纳米线场效应晶体管在集成电路和传感应用方面的进展
摘要。块体碳化硅 (SiC) 的优越物理特性以及一维 (1D) 纳米结构特定物理特性的预期增强，激发了一系列针对纳米线 (NW) 制造和特性以及其在器件中的应用的研究。SiC 纳米线场效应晶体管 (NWFET) 是研究 SiC NW 在外部刺激（如电场）（集成电路中的应用）或 NW 表面上存在力或化学/生物物种（传感器中的应用）时在不同温度下的电特性的理想器件概念。SiC NW 量子传输建模的初步报告揭示了实现与 Si 基 NWFET 相当性能的前景。然而，实验性的 NWFET 演示表现出较低的载流子迁移率、I ON /I OFF 比和跨导 (gm ) 值，这对其进一步发展构成了障碍。低性能主要源于高度无意掺杂和未优化的 SiO 2 /SiC NW 界面。事实上，由于缺乏对 SiC NW 自下而上的生长过程的严格控制，导致非常高的载流子浓度（主要源于无意掺杂）接近退化极限。高密度陷阱和固定电荷的低界面质量导致栅极电场屏蔽，并表明需要进一步研究 SiO 2 /SiC NW 界面。由于这两种影响，即使在非常高的栅极电压下也无法实现器件关断。目前，只有在源/漏极 (S/D) 区域具有肖特基势垒 (SB) 的背栅极 NWFET 才表现出明确的关断和改进的性能，这要归功于通过全局栅极作用间接调制漏极电流，从而调节 S/D 区域的 SB 透明度。
由原位固定在 SiC 泡沫中的 TiC 纳米晶体制成的先进纳米复合材料，具有增强的光谱选择性
区域（2.5-25 毫米）。这将有助于实现适当的光谱选择性（a/e），这是评价 SSA 组成材料的参数。4 第二个要求是它的工作温度。事实上，目前 SSA 的最大工作温度限制在 600 1 C，因为超过此温度其组件就会退化。5 这严重限制了 CSP 对太阳辐射光热转换的充分利用。更高的工作温度（通常为 900 1 C ）将提高发电系统的热电转换效率，而该效率受卡诺效率的限制；Zc=1Tc/Th，其中 Th 是工作温度，Tc 是环境温度6，6 从而提高了 SSA 的效率。碳化硅 (SiC) 为高温应用提供了独特的特性，可与其他 CSP 系统的工作条件兼容。 7 它重量轻，导热系数高，抗热震性能优良，强度高，氧化时能形成钝化氧化层，具有抗氧化性能，热稳定性可达B 1400 1 C。7-9
一种生产 NiCrAlY 粘合涂层的新方法 - ...
本研究首次研究了通过选择性激光熔化 (SLM) 直接在由 SLM 生产的 IN625 基体上生产 NiCrAlY 粘结涂层材料的可行性。通过改变激光功率 (P) 和扫描速度 (v) 进行了典型参数优化。对 15 种不同的 P/v 条件进行了单线扫描轨迹和双层涂层分析。定义了几个标准来选择合适的 SLM 参数。结果表明，底层基体发生了明显的重熔，这是 SLM 制造的典型特征。这导致了中间稀释区的形成，其特征是 IN625 高温合金基体和 NiCrAlY 粘结层之间发生了大量混合，表明冶金结合优异。最佳加工条件为 P = 250 W 和 v = 800 mm/s。它产生了一个致密的 242 μm 厚的粘结层，其中包括一个 36% 的稀释区。 SLM 加工的 <NiCrAlY- IN625> 系统呈现出平滑的显微硬度分布，从粘结层的 275 Hv 略微增加到基材的 305 Hv。在系统中发现相之间的 Al 浓度分布逐渐增加，残余应力水平较低。这表明 SLM 可能是一种有价值的替代制造工艺，用于粘结层系统，从而促进高温应用中的出色附着力。
封装器件 SiC 结的参数纳米电分析
摘要 — 在晶圆级上对电力电子器件芯片结构进行精确而准确的电气特性分析对于将器件操作与设计进行比较以及对可靠性问题进行建模至关重要。本文介绍了一种分立封装商用碳化硅 MOSFET 的二维局部电气特性参数分析。在横截面样品上，使用扫描电子显微镜 (SEM) 中的电子束感应电流 (EBIC) 来定位体二极管的 pn 结，评估电子束能量对该区域成像的影响。采用基于原子力显微镜 (AFM) 的扫描电容显微镜 (SCM) 分析封装碳化硅 MOSFET 器件的结区。提出了一种参数方法来揭示 MOSFET 中所有层的局部电气特性（n 型、p 型、掺杂 SiC 外延层的低、中、高掺杂水平以及 SiC 衬底和硅栅极）。本文的目的是揭示 EBIC 和 SCM 对 SiC 封装器件进行全面特性分析的潜力。研究了 SCM 采集期间施加的电压（V DC 和 V AC ）的影响，以量化它们对 MOSFET SiC 掺杂层分析的影响。尖端/样品纳米 MOS 接触的 TCAD 模拟支持纳米电气实验，以确认碳化硅芯片 AFM 图的掺杂水平解释。
生命周期评估（LCA）的最佳实践（LCA）的碳去除和存储（BICRS）技术
生命周期分析/评估（LCA）是现有的框架，非常适合评估二氧化碳去除碳（CDR）的环境影响。通过设计，LCA对不同生命周期阶段的产品或过程的潜在环境影响提供了整体观点。这包括通过生命终止提取原材料。对环境的排放（空气，水和土地）被转化为从气候变化到人类健康的各种潜在影响。两个国际标准化组织（ISO）标准提供了进行LCA的原理和框架（14040）以及要求和准则（14044）（ISO 2006a，2006b）。单独的标准ISO 14067专门针对产品的碳足迹（CFPS）的报告（ISO 2018）。它主要基于ISO 14040/14044，但更狭窄地关注与气候变化有关的潜在影响。不仅可以使用LCA来帮助确定净CO 2 e去除CDR方法，而且还可以帮助评估具有其他环境影响的潜在权衡。即使在ISO标准中对LCA的方法进行了整理，我们也认识到需要为这些标准中的主观要素建立特定的最佳实践，以协调数据和方法，以允许对CDR方法进行一致的评估。本文档专门针对CDR方法的一个子集，生物量碳去除和存储（BICR）。这是一系列文档中的第二个，旨在支持CDR方法的全生日温室气体排放量的强大核算。1.1目的美国能源部（DOE）为LCA发表了最佳的LCA，直接捕获使用存储（DACS）（Cooney 2022），这是一种引起了浓厚兴趣的CDR技术。本文档的重点是BICRS技术，这是CDR方法的一部分，可以通过持久存储碳来提供脱碳益处，该碳源自具有或不产生能量或生物产品的生物量，以取代化石碳衍生的对应物。鲁棒和整体LCA对于评估气候益处的潜力和跟踪BICRS技术的进步至关重要。它也是建立跨BICRS技术比较的基础，更广泛地是其他CDR方法，这些方法促进了在监管，市场和其他环境中摄入BICRS技术的基础。这项工作的目的是提供针对BICRS系统实施ISO标准的特定最佳实践，以在LCA的四个阶段中实现一致，稳健的LCA：目标和范围定义，生命周期库存分析，生命周期影响评估和解释。我们设想本文档的受众包括技术开发商，联邦资助获奖者，州和联邦级别的政策制定者和监管机构，实体（公司，组织，组织，个人）有兴趣评估BICRS采购以及BICRS技术的潜在托管社区。虽然本文档提到了当前提出的途径的示例，但它并非仅适用于这些途径。所讨论的原则通常应用于提供相同功能的任何工程BICRS系统。这不是法律文件，因此根据美国能源部及其国家实验室的经验提供了最佳实践建议。本文档并非旨在使或取消任何特定的BICRS途径资格，而是为如何以强大且一致的方式进行这些方法提供最佳实践。doe认识到，在科学理解，强大的监测，报告和验证方法（MRV）以及商品化信用的市场创造方面，更广泛的CDR景观（包括BICR）正在快速发展。这些发展可能会随着时间的推移对最佳实践进行修改。该文档是将LCA应用于BICRS方法的初步建议。另外，如此
欧洲参考网络 EpiCARE 对特定罕见癫痫临床实践的调查
托比亚斯·鲍姆加特纳 1 |马尔卡雷尼奥 2,3 |罗德里戈·罗卡莫拉 4 |弗朗西斯卡·比苏利 5 |安东内拉·博尼 5 |巴西米兰 6 |奥德雷·霍拉克 7 |达娜粉笔 8 |克里斯蒂娜·佩雷拉 9 |伦佐·格里尼 10 |维多利亚圣安东尼奥-阿尔塞 2,11 |安德烈亚斯·舒尔茨-博纳赫格 11 | Sameer M. Zuberi 12 | Tove Hallbook 13 |雷塔·卡尔维宁 14 |列文拉盖 15 |西尔维·阮 16 |索菲亚金塔斯 17 |安娜·弗兰科 17 | J.海伦克罗斯 18 |马修沃克 19 |亚历克西斯·阿尔齐马诺格鲁 2,20 |西尔万·莱姆斯 21 | Tiziana 石榴石 22 |劳拉·卡纳福利亚 23 | Cecilie Johannessen 地标 24 |阿琼森 25 |罗希尼·拉蒂哈利 26 |里玛·纳波特 27 |埃琳娜·塔塔拉 28 |曼努埃拉桑托斯 29 |鲁伊·兰格尔 29 |帕维尔·克尔塞克 30 |彼得·马鲁西奇 30 |尼古拉镜子 31 |选择 PJ Brown 32 |帕特里夏·斯迈耶斯 33 |维森特·维拉纽瓦 33 |卡塔日娜·科图尔斯卡 34 |雷納西涌浪 1
Connecticare预授权要求（商业）
所有非紧急运输都需要事先授权。（例如A0140，A0380，A0390，A0424，A0425，A0426，A0428，A0428，A0430，A0431，A0431，A0435，A0436）如果成员需要非紧急运输以从急性护理到下一个较低级别的care请求，请访问PAC的情况下，请访问下一个较低的级别，请访问PAC的情况下。
SiC MOSFET 在特定低栅源电压偏置下具有重复短路能力，可实现更强劲的极端操作
摘要 — 本文介绍了商用碳化硅 (SiC) MOSFET 器件在高漏源电压下重复性短路应力下的短路 (SC) 性能。研究了两种方案来评估栅源电压 (V GS ) 去极化和短路持续时间 (T SC ) 减少的影响。V GS 去极化可降低功率密度，并允许在增加短路持续时间 T SCmax 的情况下保持安全故障模式 (FTO：开路故障)。结果表明，SiC MOSFET V GS 去极化不会降低 T SCmax 下的短路循环能力。但是，使用 V GS 去极化可以使性能接近 IGBT 稳健性水平，在 T SC =10 µ s 下循环近 1000 次。短路测试期间芯片温度变化的模拟表明，性能下降仍然归因于短路循环期间结温 (TJ ) 的升高，这导致顶部 Al 融合，从而导致厚氧化物中出现裂纹。
财务常务委员会 - Agricord提交
通过其本地领导的气候行动以Fos为导向和驱动，并在Agricord的成员农业技术援助的支持下，Agricord指出，明显的需要需要支持气候智能和自然积极的扩展服务，投入和方法论。农业生态，性质阳性或再生农业的采用率，这些农业被认为会增加适应性，并且经常在缓解方面具有共同利益，但仍在增加，但仍然只有20-30％的农民。这表明需要进行更大的投资来使其具有适当的扩展能力，但也需要进行更多的研究以了解低采用率背后的根本原因。阻碍因素之一是农民对农业生态学和知识潜在益处的认识