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Maxicom MK808BT Pro_user Manual_en v1.4
有各种程序，技术，工具和零件，为车辆提供服务，以及从事工作的人的技能。由于可以使用此设备进行测试的产品的大量测试应用程序和变化，因此我们不可能预料或提供建议或安全消息来涵盖每种情况。了解经过测试的系统是汽车技术员的责任。使用适当的服务方法和测试程序至关重要。必须以适当且可接受的方式进行测试，不会危害您的安全，工作区域中其他人的安全，所使用的设备或正在测试的车辆。
Maxicom MK808S_USER MANUAL_EN 202404
有各种程序，技术，工具和零件用于维修车辆，以及从事工作的人的技能。由于可以使用此设备进行测试的产品的大量测试应用程序和变化，因此我们不可能预料或提供建议或安全消息来涵盖每种情况。了解经过测试的系统是汽车技术员的责任。使用适当的服务方法和测试程序至关重要。必须以适当且可接受的方式进行测试，不会危害您的安全，工作区域中其他人的安全，所使用的设备或正在测试的车辆。
maxicom mk900-bt_user手动_en
有各种程序，技术，工具和零件，为车辆提供服务，以及从事工作的人的技能。由于可以使用此设备进行测试的产品的大量测试应用程序和变化，因此我们不可能预料或提供建议或安全消息来涵盖每种情况。了解经过测试的系统是汽车技术员的责任。使用适当的服务方法和测试程序至关重要。必须以适当且可接受的方式进行测试，不会危害您的安全，工作区域中其他人的安全，所使用的设备或正在测试的车辆。
第4个Sicomb通讯
SIC是（Opto）电子应用的发展场中的关键组成部分，尤其是SIC-ON-ON-on-On-on-On-on-On-on-On-on-On-on-On-on-On-on-On-On-on-On-on-On-on-On-On-on-On-On-on-On-On-on-On-On-on-On-On-On-On-On-On-On-On-On-siC底物可以开发创新的光子应用和电气开关的新设备。因此，SICOI的制造引起了极大的关注，并且已经在1200°C以上的温度下进行了证明。为了维持互补的金属 - 氧化物 - 氧化型兼容性并避免埋入的SiO2层的扩散，需要低于1200°C的工艺温度。在项目的最后几个月中，FAU在1120°C在SI和SOI底物上通过CVD制造3C-SIC的FAU取得了显着结果。使用带有非水冷却的内部设置的水平冷壁CVD反应器实现了3C-SIC的外延生长。硅烷和丙烷在氢气中稀释，用作硅和碳源的前体气体。对SI底物进行了各种测试后，与高于1200°C的温度相比，由于较低温度下的碳种类分裂的降低，因此选择了6.8的C/Si比为6.8。底物之间的唯一区别是扩展冷倒入周期，这对于防止外延层从SOI底物中分层是必要的。