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一种快速有效的氧化锆珠介导的超声策略，用于DNA碎片，最高10 kbp
材料上的特性。15最近，多层材料在表面工程社区中引起了广泛的关注，复合电极的制造也广泛用于LM电极处理。这还涉及增强电极材料的表面和界面，例如，减少金属颗粒的大小，不合适的多孔或分层结构，并与各种纳米颗粒进行修改或功能化表面（例如，，金属，金属氧化物，碳材料和离子/电子导电聚合物）。16 - 19虽然一项重要的研究集中在界面模式cation在改善金属化lms的能量存储和电性能中的作用，但它在自我修复特性方面已被很大程度上忽略了。由于其出色的电绝缘层和高导热率，可以将金属氧化物连接到聚丙烯LMS的表面上，以通过蒸气沉积形成复合的绝缘培养基。该方法不仅在适度地增加了复合lms的相对介电常数，而且在显着增强了电容器核心的热有效性方面。20,21尽管热量的快速耗散是由于电容器的介电损失或自我修复而产生的，但据信复合LMS可以防止在自我控制点附近介电lm的层间粘附，从而在自我控制过程中发挥隔离功能。22,23
共自组装单层改性 NiOx 用于稳定的倒置钙钛矿太阳能电池
[4-(3,6-二甲基-9H-咔唑-9基)丁基]膦酸 (Me-4PACz) 自组装分子 (SAM) 是解决倒置钙钛矿太阳能电池 (PSC) 中 NiO x 埋层界面问题的有效方法。但 Me-4PACz 端基 (咔唑核心) 不能强制钝化钙钛矿薄膜底部的缺陷。这里采用 Co-SAM 策略来修改 PSC 的埋层界面。Me-4PACz 掺杂氯化磷酰胆碱 (PC) 形成 Co-SAM 以提高单层覆盖率并降低漏电流。PC 中的磷酸基和氯离子 (Cl − ) 可以抑制 NiO x 表面缺陷。同时，PC 中的季铵离子和 Cl − 可以填充钙钛矿薄膜中的有机阳离子和卤素空位，使缺陷钝化。此外，Co-SAM 可以促进钙钛矿晶体的生长，协同解决埋藏缺陷问题，抑制非辐射复合，加速载流子传输，并减轻钙钛矿薄膜的残余应力。因此，Co-SAM 修饰的器件表现出高达 25.09% 的功率转换效率以及出色的器件稳定性，在单太阳照射下运行 1000 小时后，初始效率仍为 93%。这项工作展示了通过修饰 NiO x 上的 Co-SAM 来提高 PSC 性能和稳定性的新方法。
使用 TiOx 作为电阻层的电阻存储器的制造
图 3 ReRAM 特性的电极依赖性：(a) 50×50 μm 2 ，(b) 200×200 μm 2 。 5.结论我们利用 TiO x 作为电阻变化层制作了 ReRAM，并评估了其特性。在本次创建的条件下，没有观察到复位操作。这被认为是因为在复位操作过程中，由于氧气的释放，灯丝没有断裂。比较电极尺寸，50×50 μm2 的较小元件与 200×200 μm2 的元件相比，可获得更优异的特性。这被认为表明了氧化退火过程中的尺寸依赖性。 6.参考文献 [1] A. Hardtdegen 等，IEEE Transactions on Electron Devices，第 65 卷，第 8 期，第 3229-3236 页 (2018) [2] Takeo Ninomiya，基于氧化物材料设计和可靠性建模的电阻式存储器量产，名古屋大学研究生院博士论文 (2016) [3] D.Carta 等，ACS Appl. Mater. Interfaces，第 19605-19611 页 (2016) [4] D. Acharyya 等，微电子可靠性。54，第 541-560 页 (2014)。
通过...获得的非化学计量 SiOx 中的电荷传输
摘要 —当前，正在开发基于非化学计量电介质的新一代高速、信息密集型阻变存储器。非化学计量氧化硅SiO x 的电子结构由参数x 的值设定。研究发现，在氢等离子体电子回旋共振中处理热SiO 2 会导致氧化硅中富集过量的硅，从而导致SiO x 中出现电子和空穴陷阱。SiO x 的导电性是双极的：电子从负偏置硅注入，空穴从正偏置硅注入。阴极发光（CL）实验证实了SiO x 中的陷阱是由于过量的硅造成的假设。基于在电子回旋共振氢等离子体中制备非化学计量氧化物的开发程序，制备了p ++-Si（100）/SiO x /Ni忆阻器金属-电介质-半导体（MDS）结构。这种结构具有SiO x 电阻开关的特性，不需要成型操作。
DLC 薄膜上的 SiOx 顶层可用于航空航天应用中的原子氧和臭氧腐蚀防护
每年，数十亿美元被投入到太空应用的研究和开发中，包括新系统、新技术和新材料。DLC（类金刚石碳）是一种很有前途的材料，但其使用面临技术障碍，因为它会被原子氧和臭氧严重腐蚀。在本研究中，SiOx-DLC 薄膜被沉积在 Ti-6Al-4V 基材上作为类金刚石碳 (DLC) 膜的顶层，以提高对原子氧和臭氧的耐腐蚀性，并满足低地球轨道 (LEO) 卫星的使用要求。使用氧等离子体评估了薄膜的耐腐蚀性，并研究了摩擦学和机械性能。SiOx-DLC 顶层将腐蚀速率降低了两个数量级，并将临界载荷从 16.2 ± 1.5 N 提高到 18.4 ± 0.4 N。
薄膜siox，sioxny和sic ...
摘要。目标。确保可植入设备的寿命对于它们的临床实用性至关重要。这通常是通过密封在不可渗透的外壳中密封敏感的电子产品来实现的，但是，这种方法限制了微型化。另外，有机硅封装已显示出对植入的厚膜电子设备的长期保护。然而，当前的许多保形包装研究都集中在更刚性的涂层上，例如丙烯烯，液晶聚合物和新型无机层。在这里，我们考虑使用薄膜技术保护植入物的潜力，其特征是厚膜的33倍。方法。在血浆增强化学蒸气下沉积的钝化（Sio X，Sio X N Y，Sio X N Y + SIC）下的铝合作的梳子结构封装在医疗级硅硅酮中，共有六种钝化/硅酮组合。在连续的±5 V双相波形下，在67天的磷酸盐生理盐水中将样品在磷酸盐生理盐水中陈化多达694天。周期性的电化学阻抗光谱测量值监测了金属痕迹的泄漏电流和降解。使用傅里叶转换红外光谱，X射线光电光谱，聚焦离子束和扫描电子显微镜来确定任何封装材料变化。主要结果。在衰老过程中未观察到硅酮分层，钝化溶解或金属腐蚀。对于这些样品，唯一观察到的故障模式是开路线键。明显的能力。阻抗大于100gΩ，在铝轨道之间保持了硅胶封装和SIC钝化的封装。相比之下，Sio X的进行性水合导致其阻力减小数量级。这些结果表明，当与适当的无机薄膜结合使用时，有机硅封装对薄膜进行轨道的良好保护。该结论对应于先前的有机硅
TiOx/Pt3Ti(111)表面定向形成电子响应的氧化钨簇超分子组装体
摘要 在 Pt 3 Ti(111) 合金表面生长的高度有序氧化钛薄膜被用于纳米 W 3 O 9 团簇的受控固定和尖端诱导电场触发的电子操控。根据操作条件，产生了两种不同的稳定氧化物相 z'-TiO x 和 w'-TiO x 。这些相对 W 3 O 9 团簇的吸附特性和反应性有很大的影响，这些团簇是在超高真空条件下 WO 3 粉末在复杂的 TiO x /Pt 3 Ti(111) 表面上热蒸发形成的。发现物理吸附的三钨纳米氧化物是位于金属吸引点上的孤立单个单元或具有 W 3 O 9 封盖的六边形 W 3 O 9 单元支架的超分子自组装体。通过将扫描隧道显微镜应用于 W 3 O 9 –(W 3 O 9 ) 6 结构，单个单元经历了尖端诱导还原为 W 3 O 8 。在高温下，观察到大型 WO 3 岛的聚集和生长，其厚度被严格限制为最多两个晶胞。这些发现推动了使用操作技术在表面上实现模板导向成核、生长、网络化和功能分子纳米结构的电荷状态操控的进展。
解决 Cu-WTi-SiOx-Si 多层中各个成分的断裂特性
随着现代材料应用（例如微电子、传感器、执行器和医疗植入物）的尺寸不断减小，量化材料参数变得越来越具有挑战性。具体而言，解决系统的各个组成部分（例如多层结构中的界面或埋层）成为一个重要课题。本文展示了一种基于扫描电子显微镜中的原位微悬臂测试来评估 Cu-WTi-SiO x -Si 模型系统不同界面的断裂参数的技术。相对于感兴趣的界面定位初始缺口位置可以选择不同的裂纹路径，而额外叠加的正弦信号允许连续测量刚度变化，从而对实际裂纹扩展进行实验测量。因此，我们对 Cu 和 WTi 之间的界面、块体 WTi 以及 WTi 和 SiO x 之间的界面实现了连续的 J-D 曲线测量。这种新方法的局部性质使其普遍适用于测试特定界面。
TriOxmatic® - 溶解氧传感器
标准型号 TriOxmatic ® 700 是一款坚固耐用的溶解氧传感器，具有非常耐用的 50 微米厚的疏水膜，最小流速为 0.5 厘米/秒，平均响应时间小于 180 秒。凭借这些特点，该膜传感器非常适合市政污水处理厂生物净化阶段的任何 D.O 测量；例如控制氧合。传感器的响应可防止由于气泡上升而引起的信号干扰，从而消除错误读数并提高稳定性。这对于曝气池中的测量尤其重要。