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特刊——碳化硅材料：晶体生长，...
碳化硅和类似材料的晶体生长和综合表征方面最近取得的进展为功能应用开发提供了巨大的可能性。这期材料特刊题为“碳化硅材料：晶体生长、器件加工和功能应用”，专门讨论与碳化硅和相关材料的晶体生长、材料特性、器件制造和应用有关的所有方面，主要目的是广泛概述该领域的现状和未来前景。欢迎在该领域工作的研究人员参与讨论。潜在的兴趣主题包括但不限于以下内容： - 晶体生长； - 宽带隙半导体； - 材料特性； - 器件制造； - SiC、GaN、Ga2O3、金刚石。
在针硅二极管上的保险丝二极管整体整合，用于新的故障安全转换器拓扑
在发生内部短路的情况下，使用Dual-Fuse和Auxilariary Crowbar开关断开故障的腿，然后是备用腿（图。1，红色虚线框）自发连接，从而可以连续操作。为了提高系统的可靠性和紧凑性，可以在功率半导体[5]，[6]组件（IGBTS，MOSFET等）上单层整合使用的熔断器，如图1（Fuse-On-transistor，蓝色虚线框）。在功率上的保险丝的集成分两个步骤进行了半导体组件。首先，熔断器，称为“独立保险丝”（图1，绿色虚线盒），由硅基板上的薄铜层（18 µm）制成，以研究组件的热和电气行为。
一种新型铁电Rashba半导体
快速、可逆、低功耗操控自旋纹理对于下一代自旋电子器件（如非易失性双极存储器、可切换自旋电流注入器或自旋场效应晶体管）至关重要。铁电拉什巴半导体 (FERSC) 是实现此类器件的理想材料。它们的铁电特性使得能够通过可逆和可切换的极化对拉什巴型自旋纹理进行电子控制。然而，只有极少数材料被确定属于此类多功能材料。这里，Pb 1 − x Ge x Te 被揭示为一种新型的纳米级 FERSC 系统。通过温度相关的 X 射线衍射证明了铁电相变和伴随的晶格畸变，并通过角分辨光电子能谱测量了它们对电子特性的影响。在少数纳米厚的外延异质结构中，较大的 Rashba 自旋分裂表现出随温度和 Ge 含量变化的宽调谐范围。本研究将 Pb 1 − x Ge x Te 定义为用于自旋电子学应用的高电位 FERSC 系统。
擦除与超导体耦合的半导体量子点中的奇宇称态
量子点在 InSb 纳米线内以栅极定义，靠近 NbTiN 超导触点。随着点和超导体之间的耦合增加，传输中的奇宇称占据区域在诱导超导间隙上方和下方都变得不可辨别（被擦除）。在间隙上方，奇数库仑阻塞谷中的电导率增加，直到谷被抬起。在间隙下方，安德烈夫束缚态经历量子相变，变为奇数占有的 Kondo 屏蔽单重态基态。我们研究了在低偏置和高偏置下奇宇称状态的明显擦除在多大程度上一致。我们用数值重正化群模拟来补充实验。我们从 Kondo 屏蔽和超导之间的竞争的角度来解释结果。在擦除奇宇称机制中，量子点表现出类似于有限尺寸马约拉纳纳米线的传输特征，在偶奇点占据和偶奇一维子带占据之间形成相似性。
半导体工程和微电子设计硕士学位
半导体工程与微电子设计硕士学位（硕士学位网站）的主要目标是在集成电路、数字和模拟电路的设计和制造领域提供先进和专业的科学技术培训，重点应用于存储系统、通信系统、控制系统、计算系统、传感器和新兴设备，如二维和量子。通过这种方式，我们的目标是弥补目前此类培训专业人员的短缺，这种培训在西班牙和欧洲工业界以及半导体技术研究领域都受到高度重视。
中国半导体市场规模
中国半导体市场到2034年将达到3665.7亿美元，这是由于汽车行业的需求不断增长的驱动，中国的半导体市场的需求不断增长，这是由于国防部对先进筹码的需求不断增长所驱动的，重点是人工具系统，通信，radar，radar和自动驾驶汽车。政府已宣布2024年的国防预算为2360亿美元，这增加了7％，并连续30年增长。这占中国GDP的1.2％，低于全球平均水平1.8％。国防支出的上升与对半导体的需求不断增长密切相关，而高级筹码在增强中国的防御能力方面起着至关重要的作用。半导体在国防部门的整合具有显着提高的性能，精度和效率。关键趋势包括强调自给自足，旨在增强当地芯片生产以减少对外国技术的依赖。5G，人工智能和物联网的出现是在移动设备，汽车领域和智能技术中对高级半导体的需求。中国对先进制造业的承诺导致对最先进的半导体制造技术进行了投资，以增强其全球竞争力。汽车行业，尤其是电动汽车和自动驾驶，对传感器，电源管理和控制系统中使用的芯片产生了强烈的需求。中国半导体市场的增长显着增长，并于2023年底获得了相关专利。预计市场将在国内需求增加，政府政策和技术创新的推动下，将经历显着的增长。该行业在支持各个部门（包括汽车行业）中起着至关重要的作用，它通过为先进的驾驶员辅助系统，电动汽车和自动驾驶技术提供芯片。这些创新提高了车辆安全，性能和能源效率，使中国成为汽车行业的领导者。半导体市场还为消费电子行业提供智能手机，平板电脑，可穿戴设备和家用电器的芯片，增强性能，延长电池寿命并引入高级功能。此外，该行业通过支持自动化，机器人技术和物联网应用程序来驱动工业部门的需求，从而提高运营效率，精度和数据处理。该市场的主要参与者包括Texas Instruments Inc.，Smiciconductor Corp.，Skyworks Solutions Inc.，Renesas Electronics Corp.，Qorvo Inc.和Mediatek Inc.寻找全面的报告解决方案？我们提供一系列包装来满足您知情的决策需求。我们的捆绑包包括： *终生访问报告和分析师支持 *免费功率BI仪表板和Excel数据集 *免费分析师小时（最多100小时） *一个月的订阅，以从3、5或10个报告包中选择贸易数据库和价格数据库（仅化学品），每个报告套件，包括生命周期和分析师的支持。•涵盖的地区：广东，山东，河南，四川，江苏和其他地区。IMARC集团的报告预测中国半导体市场的显着增长，预期的复合年增长率为11.18％，从2024年到2032年。半导体是电子电路中使用的必需组件，防震，消耗较少的功率，并且具有无限的货架寿命。中国市场是由消费电子产品的增长，技术进步以及用于军用车辆和高级援助系统的半导体的推动。市场已根据行业类型，最终用户，使用的材料，功能和区域分为各种类别，包括Hisilicon（Shanghai）Technologies Co. Ltd.，Infineon Technologies AG，Micron Technology AG，Micron Technology Inc和STMicroelectronics在内的主要参与者。• Companies Involved: HiSilicon (Shanghai), Infineon Technologies AG, Micron Technology Inc, NXP Semiconductors N.V., On Semiconductor, OmniVision Technologies Inc., Samsung Electronics, SK hynix Inc, STMicroelectronics, and Tianjin zhonghuan Semiconductor Co. Ltd. • Customization Scope: 10% free customization available.•报告定价：•单用户许可证：$ 3699•五个用户许可证：US $ 4699•公司许可证：US $ 5699•支持和交付：售后分析师支持10-12周的销售分析师，包括PDF，Excel和PPT/Word中的ppt-excel和可编辑版本在内。•公司概述：IMARC集团是一家领先的市场研究公司，在全球范围内提供管理战略和市场研究，与客户合作，以确定机遇并应对挑战。•联系信息：•IMARC Group美国： +1-631-791-1145•电子邮件：sales@imarcgroup.com•网站：•Twitter：@imarcglobal
缩放栅环硅纳米线晶体管阵列中的电子传输机制
全栅环栅 (GAA) 是一种最佳器件配置，它能静电控制沟道长度最窄的晶体管 2，并最大限度地减少器件关断时的漏电流，从而使器件在每次切换时耗散更少。GAA 几何形状有多种可能，并且已经在水平 3 或垂直配置中得到验证。4 – 7 尽管技术解决方案有望最终将晶体管的栅极长度 L g 缩小到几纳米 5，但从一维（长栅极或大宽度）到全尺寸缩放的晶体管的转变对器件操作的影响仍有许多悬而未决的问题。其中，应明确解决所制造器件的质量和可能导致晶体管操作不良或电性能分散的波动源，以提出最终集成的解决方案。但是，经典的表征技术（如迁移率提取）不足以提供有关最终缩放时器件质量的信息，因为迁移率可能会在如此小的栅极长度下崩溃。 8 – 11 低频噪声可以成为一种非常精确的技术，用于表征低噪声纳米器件中的电子传输。12 , 13
引用：Nupur Sinha。等。 “印度的数字健康转型：远程医疗的进步和挑战”。美食医学科学8.2（20
引用：Nupur Sinha。等。“印度的数字健康转型：远程医疗的进步和挑战”。Medicon医学科学8.2（2025）：31-40。
对硅检测器的VUV优化涂料技术的测试
• Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensors and charge coupled devices (CCD) • Image sensor design and customization • Sensor characterization and calibration • Radiation damage effects in space • Interaction of radiation with matter, shielding • Semiconductor physics and device simulations • Cryogenics and vacuum • Electronics
IMB-CNM 的碳化硅二极管
放射治疗 (RT) 的主要挑战是向肿瘤提供足够高的治疗剂量，同时保持附近器官受到可耐受的剂量，新的治疗方式正在迅速涌现。FLASH 放射治疗提供的治疗剂量比传统 RT（0.05 Gy/s）快几个数量级（≥40 Gy/s），并且已被证明可以降低正常组织发生并发症的可能性，同时提供与传统剂量率相似或更好的肿瘤控制率，减少治疗时间和器官运动相关问题。然而，FLASH RT 的临床实施面临着重大挑战，因为它的要求使得大多数现有的剂量测定设备已过时。碳化硅 (SiC) 的物理特性使其成为一种有趣的辐射剂量测定材料。SiC 的宽带隙降低了热产生电荷载流子的速率，从而与硅相比降低了漏电流和噪声。特别值得注意的是，SiC 每 mGy 沉积的信号产量（4H-SiC 为 425 pC/(mGy · mm3)）低于硅。这使得 SiC 成为超高剂量脉冲辐射场或直接光束监测剂量测定的良好选择，其中半导体中的瞬时剂量沉积很大，可能会使传统硅二极管饱和。此外，SiC 具有更高的位移能量阈值，因此辐射硬度高于硅。如今，SiC 技术已经成熟，高质量基板可达 200 毫米，可广泛使用。在本次演讲中，我们将介绍在 IMB- CNM 设计和制造的新型碳化硅 PiN 二极管，旨在应对 FLASH RT 的技术挑战。在 PTB（德国）使用 20 MeV FLASH 电子束进行的首次表征中，这些二极管显示出其适用于高达每脉冲 11 Gy（4 MGy/s）剂量的相对剂量测定，且剂量测定性能可与商用金刚石剂量计相媲美 [doi:10.1088/1361-6560/ad37eb]。在 CMAM（西班牙）使用 7 MeV 质子测试了带有 FLASH 质子束的 SiC 二极管的性能，结果显示它们与剂量率具有良好的信号线性度，并且每脉冲剂量至少为 20 Gy 时响应可重复。最后，在 CNA（西班牙）使用高 LET、强脉冲质子束研究了二极管的抗辐射性。二极管的灵敏度在 1 MeV 质子中以 -1.34%/kGy 的初始速率逐渐下降，并且仅在接近 750 kGy 的剂量下才稳定下来。然而，即使累积剂量为几 MGy，每脉冲剂量的线性响应在很宽的剂量率范围内也能保持。所有这些测量都是在无需外部施加电压的情况下进行的。总之，在 IMB-CNM 制造的碳化硅二极管是硅和金刚石剂量计的真正替代品，适用于需要精确实时相对剂量测定的广泛应用，要求快速响应和长期稳定性。