摘要:SiGe BiCMOS 技术可用于生产超快、低功耗硅像素传感器,即使没有内部增益机制,也能提供最先进的时间分辨率。开发此类传感器需要确定可能降低计时性能的主要因素,并表征传感器时间分辨率对放大器功耗的依赖性。使用 IHP Microelectronics 公司采用 SG13G2 技术生产的原型传感器的 90 Sr 源进行测量,结果显示,在放大器电流为 7 µA 时,时间分辨率为 140 ps,在更高功耗时,时间分辨率为 45 ps。完整模拟表明,用于校正时间游动的信号超阈值时间测量分辨率是影响计时性能的主要因素。
摘要:SIGE BICMOS技术可用于生产超快速的低功率硅像素传感器,即使没有内部增益也可以提供最新的时间分辨率。此类传感器的开发需要识别和控制主要因素,这些因素可能会降低正时性能以及传感器时间分辨率对放大功率消耗的依赖性的表征。IHP微电子学中SG13G2技术在SG13G2技术中产生的原型传感器的90 SR源的测量表明,在7μA的放大电流下,在150μpS的放大电流下的时间分辨率为145 ps,功率为150μA。用于校正时间步行的信号时阈值测量的分辨率是影响该原型的时机性能的主要因素。
简介和背景 虚拟区块控制 (VBC) 概念描述了低能见度条件下机场地面控制程序,必须将其视为普通区块控制(也称为程序控制)的增强。当应用程序控制时,机场塔台的 ATC 会将飞机放行到机场活动区内可视位置,例如中间等待位置 (IHP)。一系列可视位置形成所谓的控制区块,其中每次只有一架飞机滑行,以防止碰撞并提高低能见度下的运行安全性。飞行员在到达控制区块的净空限制时报告飞机位置。虽然这种操作可以被认为是安全的,但它会降低活动区的机场容量以及滑行吞吐量 [10]。
摘要:SIGE BICMOS技术可用于生产超快速的低功率硅像素传感器,即使没有内部增益也可以提供最新的时间分辨率。此类传感器的开发需要识别和控制主要因素,这些因素可能会降低正时性能以及传感器时间分辨率对放大功率消耗的依赖性的表征。用IHP微电子学中SG13G2技术产生的原型传感器的90 SR源的测量结果显示,在7 µA的放大电流下,在150 µA的功率消耗下的放大电流时的时间分辨率为140 ps。用于校正时间步行的信号时阈值测量的分辨率是影响该原型的时机性能的主要因素。
摘要 - 我们提出了Lenzen,Fuegger,Kinali和Wiederhake的电压下垂校正电路的基于闩锁的无PLL设计[1]。这样的电路会动态修改VLSI系统的数字时钟的时钟频率。我们的电路在两个时钟周期内做出响应,并将同步器链的长度减半,而同步链的长度与先前的设计相比。此外,我们引入了一种基于差异传感器的设计,用于掩盖闩锁,以替代[1]所需的设计,但仍未指定。使用闩锁而不是阈值改变的触发器改变了我们设计的时序特性,因此伴随其设计伴随的正确性证明了我们在此处提出的修改。该设计已成功实施,在IHP 130 nm过程技术上。实验测量结果将在随后的出版物中讨论。
摘要本文在222-270 GHz的气体光谱中介绍了带有Bowtie-Antenna和硅透镜的发射器(TX)和一个接收器(RX),它们是在IHP的0.13 µM SIGE BICMOS技术中制造的。TX和RX使用两个集成的本地振荡器,用于222 - 256 GHz和250 - 270 GHz,可用于双波段操作。由于其大约27 dbi的定向性,带有硅透镜的单个集成的Bowtie-Antenna可以使TX的EIRP约为25 dbm,因此与先前报道的系统相比,2频段TX的EIRP更高。通过Y因子方法测量的Rx的双边噪声温度为20,000 K(18.5 dB噪声图)。气态甲醇的吸收光谱被用作用TX-和RX模块的气体光谱系统性能的量度。
2. 等离子体 180 GBd 4:1 MUX-驱动器-发射器 图 1(a) 所示的 EPIC 发射器组件由一个 1.5x3 mm 2 SiGe BiCMOS 芯片组成,该芯片带有单片集成等离子体调制器,安装在一个 5x7 cm 2 PCB 上。电子层堆栈由 IHP 采用改进的 SG13G2 工艺制造。电光层由 ETH 采用基于电子束光刻的工艺制造。有关该工艺的更多详细信息,可参见 [10]。使用的有源电光材料 BAHX 是最近报道的高性能 BAH13 材料 [11, 12] 的可交联变体,该材料经过静电极化和交联 [13]。该组件与 RF 连接器、带状电缆、光纤和无源散热器连接。图 1(e) 给出了输出级的放大图。
近年来,公共资助研究项目(第三方资助项目)的收购框架条件发生了变化。随着“地平线2020”框架计划的出台,欧盟改变了其资助条件。自此以后,管理费用不再按实际金额报销,而是仅按合格支出的 25% 的固定费率报销。此外,各种国家和欧盟资助计划都要求受助人做出贡献。这代表着一个特殊的挑战,因为与例如 IHP 相比,例如,弗劳恩霍夫研究所不允许以成本为基础提供这些项目,而只能在额外支出的基础上提供。在国家和地区的资助计划中,即使是按支出方式计费,也要求机构作出贡献的计划有所增加。
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1彼得·格伦伯格研究所(PGI 10),福斯申斯特鲁姆·尤里奇(ForschungszentrumJülich),威廉 - 约翰·斯特拉斯(Wilhelm-Johnen-Straße),尤里奇(Jülich)52425,德国2 IHP - 莱布尼兹(Leibniz) - 莱布尼兹(Leibniz ElmshöherAllee 71,Kassel 34121,德国4分校技术研究所(IHT),Stuttgart,Pfaffenwaldring 47,Stuttgart 70569,德国5伊布尼兹水晶增长研究所,麦克斯 - 斯特拉斯2,柏林12489,德国7 Dipartimento di Scienze,Universit`roma tre,Viale G. Marconi 446, I-00146,罗马,意大利 8 实验物理和功能材料,BTU Cottbus-Senftenberg,Erich-Weinert-Str。 1,03046,科特布斯,德国