免责声明 - 本信息按“原样”提供,不作任何陈述或保证。Imec 是 IMEC International(根据比利时法律成立的法人实体,名称为“stichting van openbaar nut”)、imec Belgium(由弗兰德政府支持的 IMEC vzw)、imec the Dutch(Stichting IMEC Nederland,由荷兰政府支持的 Holst Centre 的一部分)、imec Taiwan(IMEC Taiwan Co.)、imec China(IMEC Microelectronics (Shanghai) Co. Ltd.)、imec India(Imec India Private Limited)、imec Florida(IMEC USA 纳米电子设计中心)活动的注册商标。
摘要 - 在本文中,我们提出了一个基于性能,稳定性,稳定性,稳定性,稳定性,稳定性之间的折叠式晶体管晶体管(CNT)效果晶体管(CNFET)基于基于5-NM技术节点的静态静态随机访问mem-Ory(SRAM)设计。除了尺寸优化外,还评估并对CNFET SRAM性能改善(包括CNT密度,CNT直径和CNFET频率)在内的物理模型参数进行了评估和优化。优化的CNFET SRAM与基于亚利桑那州立大学的最先进的FinFET SRAM细胞[ASAP 7-nm FinFET预测技术模型(PTM)]库进行了比较。我们发现,与FinFET SRAM细胞相比,所提出的CNFET SRAM细胞的读取,编写EDP和静态功率分别提高了67.6%,71.5%和43.6%,其稳定性稍好。CNT互连都被认为是组成全碳基SRAM(ACS)阵列,该阵列将在本文的第二部分中进行讨论。实现并使用具有铜互连的7 nm FinFET SRAM单元进行比较。
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Sara Iraci 等人在本文中,我们介绍了一种基于 NbxTi(1-x)N (NbTiN) 的超导双金属级 (2ML) BEOL 单元工艺,该工艺是在 imec 的 300 毫米试验线上使用半镶嵌流程和 193i 光刻技术开发的。该单元工艺的特点是直接金属蚀刻线的最小临界尺寸 (CD) 为 50 nm,浅平面化通孔的最小 CD 为 80 nm,沉积温度为 420 °C,与 CMOS BEOL 电介质兼容。50 nm NbTiN 线的归一化线电阻表明,95% 的器件符合预期电阻 800-1200 Ω/µm,与覆盖膜电阻率一致。低温测量表明,NbTiN 导线和通孔的临界温度为 12-13.5 K,临界电流密度为 80- 113mA/µm2。▪ 低电阻堆叠通孔金属化用于未来的互连,Marleen H. van
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第一个提出的网格架构是用于纯病房的网格,其中光在一组输入波导端口和一组脱离波导端口之间向一个方向流动。正确尺寸后,此类网格可以生成输入中光的任何可能的线性组合。如果输入端口处的光波的振幅和相位代表复数的向量,则电路本身将实现矩阵 - 向量乘法(MVM),其结果由光学输出波的振幅和相表示。这种近乎实用的算术是开发程序Mable光子学的主要驱动因素之一,因为MVM操作位于许多神经网络和机器学习算法的核心。相同的网格体系结构也证明对量子信息处理非常有价值,当与单个光子一起使用时,它们的组件充当潜在的量子逻辑门。
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