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8-CPTS-操作说明-1-1.pdf - 预算尘埃
本操作说明 (OI) 是根据 AFI 33-360《出版物和表格管理》制定的。它定义并实施第 8 审计中队的所有政策和程序，适用于分配到该中队的所有现役军人和文职雇员。8CPTS/CSS 是负责中队任命书和操作说明的主要责任办公室 (OPR)。使用 AF IMT 表格 847《出版物变更建议》将建议的变更和有关本出版物的问题提交给 OPR。确保根据本出版物中规定的流程创建的所有记录均按照 AFMAN 33-363《记录管理》进行维护，并按照位于 https://afrims.amc.mil 的空军记录处置时间表 (RDS) 进行处置。本出版物中使用任何特定制造商、商业产品、商品或服务的名称或标记并不意味着空军的认可。
1 型糖尿病儿童和青少年的动脉壁增厚和硬化
目的：评估颈总动脉 (CCA) 的结构和功能特征（早期颈动脉粥样硬化的标志），并研究其与 1 型糖尿病儿童和青少年的代谢和人体测量参数的关系。材料和方法：对 45 名 1 型糖尿病患者和 33 名对照者进行了无创超声测量。患者和对照者的年龄、性别和体重指数相匹配。我们研究了 CCA 的内膜中层厚度 (IMT)、顺应性、扩张性、舒张期壁应力 (DWS) 和增量弹性模量 (IEM)。评估了血清脂质、血浆糖基化血红蛋白、体重指数、腰臀比和血压等代谢和人体测量参数。结果：糖尿病患者的 CCA-IMT 明显高于对照组（0.48 0.06 毫米对 0.33 0.07 毫米；p < 0.001）。糖尿病儿童的 DWS 值（1.18 0.29 mmHg 10 2 比 0.81 0.25 mmHg 10 2 ；p < 0.001）和 IEM 值（1.26 0.57 mmHg 10 3 比 0.77 0.28 mmHg 10 3 ；p < 0.001）均显著高于对照组。患者和对照组之间的动脉顺应性和扩张性差异并不显著（p > 0.05）。在所有受试者的多元回归模型中，糖尿病状态是 IMT（p < 0.001）、DWS（p < 0.001）和 IEM（p = 0.001）的最佳预测因素。结论：我们的研究结果表明，患有 1 型糖尿病的儿童和青少年患者与 CCA 结构和功能的早期损伤有关，糖尿病状态可能是 CCA 壁变硬和增厚的主要危险因素，这值得高度关注，因为这可能是动脉粥样硬化形成的早期事件。# 2006 Elsevier Ireland Ltd. 保留所有权利。
基于莫特绝缘体的新型电子产品
经过半个世纪的微型化，微电子技术面临着两大问题，即缩小尺寸极限和能耗。为了克服这些挑战，新策略的探索包括寻找新材料、新物理和新架构。在此背景下，量子材料引起了广泛关注。特别是，作为一类广泛的量子材料的莫特绝缘体，根据传统的能带理论预计是金属的，但由于现场电子-电子排斥而具有绝缘性。在这样的系统中，电子掺杂或外部压力可能会驱动绝缘体到金属的转变 (IMT)，并导致高 Tc 超导或巨磁电阻等显著特性。在过去的几十年里，莫特绝缘体中的填充或带宽控制 IMT（即莫特转变）一直是基础研究的热门话题 [1]。然而，由于一个非常简单的原因，这些 IMT 在应用中的使用仍然相当稀少。事实上，在实际设备中，压力或掺杂并不是容易控制的参数。我们 IMN 的研究小组证明，电场是破坏莫特绝缘状态并诱导绝缘体向金属转变的有效参数 [2]。我们首先证明了单晶上的非挥发性和可逆性转换，并进一步在多晶薄层上验证了莫特绝缘体家族的几个成员的转换 [3]。这种现象被称为“电莫特转变”(EMT)，在微电子应用方面前景广阔，并可能为基于莫特绝缘体的新型电子器件打开大门，称为 Mottronics [4]。进一步的研究表明，这种 EMT 是由大量热电子的产生引起的，导致丝状导电路径内发生电子雪崩 [5]。我们证明了这种机制正在驱动具有不同化学成分的多种莫特绝缘体中的 EMT，例如硫族化物 AM 4 Q 8（A=Ga、Ge；M=Nb、V、Ta、Mo；Q=S、Se、Te）和 Ni(S、Se) 2、氧化物 (V 1-x Cr x ) 2 O 3 和分子系统 Au(Et-thiazdt) 2 [6]。非挥发性 EMT 的特性适合于信息存储：“莫特存储器”与基于金属氧化物 (OxRAM) 或相变材料 (PCRAM) 的 ReRAM 相比显示出明显的优势 [7]。此外，我们还表明，受到一连串电脉冲作用的莫特绝缘体可能基于挥发性 EMT 表现出泄漏集成和起火行为。因此，莫特绝缘体可以复制人类大脑中神经元的主要功能，这使得它们可能适合构建人工神经元和硬件人工神经网络 [8]。一个有趣的颠覆性解决方案确实是用节能的人工神经元和突触“硬件”网络（即基于莫特绝缘体的构建块）取代能源密集型的软件网络。从长远来看，我们最近基于超快激光的研究表明，在基于 Mott 绝缘体的电光或全光设备中，可以实现皮秒范围内的最终切换时间 [9]。本演讲将首先回顾电 Mott 跃迁以及此特性所实现的新功能。然后，它将介绍一些 Mottronics 设备的示例，特别是用于数据存储和人工智能应用的示例。
利用低通 NGD 数字电路预测分钟级时间推进下的热波变化
Blaise Ravelo 1，IEEE 会员，Mathieu Guerin 2，IEEE 会员，Jaroslav Frnda 3,4，IEEE 高级会员，Lala Rajaoarisoa 5，IEEE 会员，以及 Wenceslas Rahajandraibe 2，IEEE 会员 1 南京信息工程大学电子信息工程学院，江苏南京 210044 2 艾克斯-马赛大学、法国国立科学研究院、土伦大学，IM2NP UMR7334，13007 马赛，法国 3 日利纳大学交通运输与通信运营与经济学院定量方法与经济信息学系，01026 日利纳，斯洛伐克 4 奥斯特拉发 VSB 技术大学电气工程与计算机科学学院电信系，70800 奥斯特拉发，捷克共和国 5 IMT Nord Europe，里尔大学，数字系统中心，F-59000 里尔，法国
国际电联 6G 愿景和框架：场景、能力和推动因素
摘要 —随着第五代 (5G) 无线网络的标准化和商业化以意想不到的速度完成，学术界和工业界的研究人员、工程师和高管将注意力转向了可以支持下一代无线网络的新候选技术，以便在新兴场景中实现更先进的功能。明确地说，第六代 (6G) 地面无线网络旨在为未来十年及以后的用户和机器类型设备提供无缝连接。本文介绍了国际电信联盟无线电通信部门 (ITU-R) 正式将 6G 称为“面向 2030 年及以后的国际移动通信 (IMT)”的进展。具体来说，讨论了使用场景、其代表性能力、支持技术和频谱，并强调了研究机遇和挑战。
使用 GATE 和 Geant4-DNA 蒙特卡洛模拟评估天然放射性矿泉中微生物的辐射剂量
1 克莱蒙物理实验室 (LPC) - UMR6533，法国克莱蒙奥弗涅大学 CNRS/IN2P3，奥比埃，法国，2 LTSER “Zone Atelier Territoires Uranif è res”，克莱蒙费朗，法国，3 微生物：基因组环境实验室 (LMGE) - UMR6023，法国克莱蒙费朗克莱蒙奥弗涅大学 CNRS，4 物理和环境地理实验室 (GEOLAB) - UMR6042，法国克莱蒙费朗克莱蒙奥弗涅大学 CNRS，5 亚原子物理和相关技术实验室 (SUBATECH) - UMR6457，法国南特大学 CNRS/IN2P3/IMT Atlantique，法国南特，6 新陈代谢、微藻分子工程及应用、生物生物学实验室、压力、环境健康、IUML FR3473、法国国家科学研究院、勒芒大学、勒芒、法国
CAS 2007计划CAS 2024程序
关于会议的前言，由美国国家研究与发展研究所微型技术研究所每年举办国际半导体会议（CAS） - IMT Bucharest于2024年在其第47版。在过去的几十年中，会议已成为一个享有声望的平台，用于介绍电子和微技术和纳米技术的最新研究。最初被称为年度半导体会议，CAS于1991年成为国际会议，并于1996年采用了当前名称。在1995年，在IEEE EDS的支持下，Cas正式成为了IEEE赞助的活动。 CAS会议多年来一直致力于半导体设备和材料（包括集成电路）的物理，设计，技术和应用。 自1997年以来，会议概况逐渐扩展到微技术和纳米技术，包括微型和纳米电子，微型和纳米系统，以及纳米结构以及纳米结构材料。在1995年，在IEEE EDS的支持下，Cas正式成为了IEEE赞助的活动。CAS会议多年来一直致力于半导体设备和材料（包括集成电路）的物理，设计，技术和应用。自1997年以来，会议概况逐渐扩展到微技术和纳米技术，包括微型和纳米电子，微型和纳米系统，以及纳米结构以及纳米结构材料。
Fanuc印度培训日历从1月至3月2025年3月
b =班加罗尔； M = Manesar; CN = Chennai; cb = coimbatore;每门课程的课程费用如FA11，FA21，FA41，RB31（5天课程）：30,000卢比+RB32的18％GST，RB33（3天课程）：Rs.18,000+RBS（3天课程）的GST+18％的GST（3天）：10,000,000+18％+18％的GST+RB41，RM12（RM12），RM12（RM12），RM12（RM12），RM12（RM12）。 FA22，FA42（2天课程）：12,000卢比+18％的GST培训场所：BLR：Fanuc India Pvt。Ltd.，155，Kiadb工业区，Bommasandra，Bangalore-560099。 MSR：Fanuc India Pvt。 ltd.，图号。 401，部门 - 8，IMT Manesar，Dist。 古尔冈 - 122050。 CBE：Fanuc India Pvt。 Ltd.，2/327-1A，库鲁巴帕拉扬，尼兰巴尔，哥印拜陀641062。 CHN：Fanuc India Pvt。 Ltd.，地块编号 K43，服装公园，钦奈602117的Irungattukottai的Sipcot工业公园1 St Main Road。 可以在灵活的日期进行现场/独家课程。Ltd.，155，Kiadb工业区，Bommasandra，Bangalore-560099。MSR：Fanuc India Pvt。 ltd.，图号。 401，部门 - 8，IMT Manesar，Dist。 古尔冈 - 122050。 CBE：Fanuc India Pvt。 Ltd.，2/327-1A，库鲁巴帕拉扬，尼兰巴尔，哥印拜陀641062。 CHN：Fanuc India Pvt。 Ltd.，地块编号 K43，服装公园，钦奈602117的Irungattukottai的Sipcot工业公园1 St Main Road。 可以在灵活的日期进行现场/独家课程。MSR：Fanuc India Pvt。ltd.，图号。401，部门 - 8，IMT Manesar，Dist。古尔冈 - 122050。CBE：Fanuc India Pvt。 Ltd.，2/327-1A，库鲁巴帕拉扬，尼兰巴尔，哥印拜陀641062。 CHN：Fanuc India Pvt。 Ltd.，地块编号 K43，服装公园，钦奈602117的Irungattukottai的Sipcot工业公园1 St Main Road。 可以在灵活的日期进行现场/独家课程。CBE：Fanuc India Pvt。Ltd.，2/327-1A，库鲁巴帕拉扬，尼兰巴尔，哥印拜陀641062。CHN：Fanuc India Pvt。 Ltd.，地块编号 K43，服装公园，钦奈602117的Irungattukottai的Sipcot工业公园1 St Main Road。 可以在灵活的日期进行现场/独家课程。CHN：Fanuc India Pvt。Ltd.，地块编号K43，服装公园，钦奈602117的Irungattukottai的Sipcot工业公园1 St Main Road。可以在灵活的日期进行现场/独家课程。
从硬件/软件架构和相关环境的角度评估和模拟数据中心的能源影响
首先，我要衷心感谢我的论文导师 Jean-Marc MENAUD 教授，感谢他对整个研究过程和相关研究的持续支持。他教会了我什么是科学研究，并为我提供了很多与相应学术领域的教授、博士生和博士后交流的机会。我还要对论文的联合指导老师 Orange Labs 的 David NÖRTERSHÄUSER 博士和 Stéphane LE MASSON 博士表示深深的谢意，感谢他们在研究工作期间提供的专业知识、热情的鼓励、激励和有用的建议。我很感激他们给了我以博士生身份加入 GDM/ICE 团队的机会。如果没有 Orange Labs 和 IMT Atlantique 大学的资金支持，这项研究就不可能实现。我要向 Orange Labs ICE 团队的所有成员表示衷心的感谢，特别是：Dominique BODÉRÉ、Bertrand LE LAMER、Alain RINGNET、Olivier FOUCAULT、Jacky GAUTIER 和 Pascal BODIOU。作为一名外国学生，他们帮助我融入法国的工作和生活。我尤其要感谢 M. Philippe LEVASSEUR，感谢他的善意以及对我实验工作的宝贵技术支持。此外，我不会忘记与我交流的朋友们：Kanza SALALIQI、Simon RICORDEAU、Chafika YAHIA CHERIF、Antoine DONALIES、Paul Arnaud 等。与另一个部门的同事的交流也让我深受启发：Roland PICARD、Benoit HERARD 和 Joel PENHOAT。我还要衷心感谢 IMT Atlantique 的博士后研究员 Jonathan PASTOR 先生。我非常感谢他对集群实验的技术指导、有用的建议和支持，我真的很享受我们一起工作的日子。此外，我还要感谢 Anne-Cécile ORGERIE 博士和 Patricia STOLF 博士，他们是我论文的 CSI 成员。我还要感谢我的评审团成员：Romain ROUVOY 教授、Noël DE PALMA 教授和 Hamid GUALOUS 教授。最后但并非最不重要的是，我要感谢我的父母和同伴 Yiru，他们在整个研究期间都给予我爱和精神上的支持。