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被动能力组件重复使用的分析
Boubakr Rahmani 1,2，Yves Lembeye 1，Maud Rio 2，Jean-Christophe Crebier 1 1 Univ。Grenoble Alps，CNRS，Grenoble INP，G2elab 38000 Grenoble，法国2 Univ。Grenoble Alps，CNRS，Grenoble INP，GSCOP，38000法国格勒布尔通讯作者：Boubakr Rahmani，Boubakr Rahmani，法国Grenoble Alps，Alpance Arvance Eco设计的静态静态转换器成为必要的，以应对日益增长的E-GASTE和环境影响，并在制造过程中发生了生命的现象，并且在制造过程中发生了境地。这项研究的重点是多细胞电源转换器，作为原始设计系统，为在整个生命周期中优化其功能用法提供了机会。本文提出了一种用于设计重用的定量方法。建议的模型依赖于在循环经济方案中多个生命周期阶段中保持组件值高的概念。1简介
新的CMOS兼容材料，用于有效红外...
尚未内置在硅IC中的一种光学组件是一种引人注目的高性能硅激光器。已经有几次尝试从硅中制造激光的尝试，但是尚未证明没有技术在商业上可行。唯一的解决方案是使用INP EEL。
膜激光和硅光子学融合技术的研究
K. Kobayashi，K。Utaka，Y。Abe和Y. Suematsu，“ CW运行1.5〜1.6M波长GainASP/INP掩埋 - 异位结构集成了带有分布的Bragg反射器的双向旋转激光器，” Electron，Electron。Lett。，卷。 17，否。 11，pp。 366-368，1981。Lett。，卷。17，否。11，pp。366-368，1981。
利用电化学技术对纳米微电子应用的半导体化合物进行工程设计
通常，半导体纳米线是通过众所周知的技术来制备的，例如多孔模板中的电化学沉积、化学传输、使用金催化种子的化学气相沉积等[3-5]，这些技术代表了自下而上的技术。在过去的二十年中，已经证明，电化学蚀刻大块半导体晶体可作为纳米结构的一种经济有效的方法[6-8]。此外，通过优化电化学参数可以制备大量垂直于晶体表面的半导体纳米线。通过阳极氧化制备纳米线具有一些优点：蚀刻时间短；阳极氧化在室温下进行；不需要昂贵的设备；电解质用量少等。此外，已经证明了通过“快速电化学蚀刻”InP半导体化合物来经济高效地制备InP纳米线的可能性[9]。使用这种方法，作者在3秒的电化学蚀刻期间制备了长度为2μm的半导体纳米线，蚀刻速率达到约40μm/min。
Pan Aurora激酶抑制剂：有希望的目标 -
1 Aix-Marseille University，Inserm，MMG，13005 Marseille，法国； jean-camille.mattei@ap-hm.fr（J.C.M.）; corinne.bouvier2@ap-hm.fr（C.B.-L。）; Richardalexandre.rochwerger@ap-hm.fr（R.A.R.）; florence.duffaud@ap-hm.fr（F.D.）; solschwang@gmail.com（s.o.）; sebastien.salas@ap-hm.fr（S.S.）2 Aphm，h [hôpital-Nord，Orthop Service and Trauma，13015 Marseille，法国Marseille，法国3 APHM，HOR，Pital de la Timone，病理解剖学和神经病理学的服务服务doriane.barets@ap-hm.fr（D.B.）; nicolas.macagno@ap-hm.fr（N.M.）4 AIX-MARSELILLE大学，CNRS，INP，INP，Inst Neurophysiopathol，13005，法国Marseille，法国； mathieu.chocry@univ-amu.fr（m.c.）; philippe.morando@univ-amu.fr（P.M.）5 Inserm，UMR 1037，31077法国图卢兹； Frederic.Chibon.fr 6 Aphm，Hortial肿瘤学服务，13005年，法国Marseille，7 Aphm，h。 13005 Marseille，法国9 APHM，生物资源中心，13005法国马赛 *通信：Carine.jiguguet-jiglaire@univ-amu.fr;这样的。： + 33-（0）49-132-4444†这些作者对这项工作也同样贡献。‡这些作者是共同的作者。
5215系列
V INP Input Voltage (100mS 1% D.C.)........................-20V to +60V T ST Storage Temperature Range.......................-65°C to +150°C VIN Input Voltage...................................................................26V T LD Lead Temperature V EN Enable Voltage.................................................. -0.3V to 26V (10 Seconds焊接）........................................................................................................................................................................................................................................................................... .................................................................................................................................................................................................................................
环氧基光刻胶薄膜纳米复合材料与碳包覆 Cu@C 纳米粒子的优异介电性能
C. L APEYRONIE 1*，MS A LFONSO 1，B. VIALA 2，J.-H. T ORTAI 1 1 格勒诺布尔阿尔卑斯大学、CNRS、CEA/LETI-Minatec、格勒诺布尔 INP、格勒诺布尔阿尔卑斯大学工程与管理学院、LTM、格勒诺布尔 F-38054、法国 2 格勒诺布尔阿尔卑斯大学、CEA、LETI、38000 格勒诺布尔、法国
第 3 天（结构放松 + NEB；PWTK）
其中 pw.file.in 是 pw.x 输入文件的名称。注意：stdin/stdout 重定向不适用于远程 mpirun ，因此您必须使用 -in（或 -inp ）选项（即，请注意使用“ < ”重定向运算符）。您不需要指定处理器数量，因为默认设置为 -np 20 。可以请求不同数量的处理器，例如 8 个，如下所示：
Montivipera bornmuelleri蛇毒液的神经和心血管活动
1 Inserm，CNRS，Mitovasc，Equipe Carme，SFR ICAT，Angers University，49000 Angers，法国； Christina.sahyoun1@gmail.com（C.S.）; cesar.mattei@univ-angers.fr（c.m.）; christian.legros@univ-angers.fr（c.l.）2 Laboratory of Applied Biotechnology (LBA3B), Azm Center for Research in Biotechnology and Its Applications, EDST, Lebanese University, Tripoli 1300, Lebanon 3 Institut de G é n é tique et de Biologie Mol é culaire et Cellulaire (IGBMC), INSERM, CNRS, Universit é de Strasbourg, 67400法国Illkirch； krezel@igbmc.fr 4 CNRS，INP，INP，神经病学研究所，AIX-MARSELILLE大学，13385法国Marseille，法国5号，5个生物学系，科学系3，米歇尔·斯莱曼（Campus Michels），米歇尔·斯莱曼（Michelse Slayman），黎巴嫩大学，黎巴嫩大学，拉多尔（Livoli）; ziad.fajloun@ul.edu.lb（Z.F.）; mohamad.rima@hotmail.com（M.R.）†当前地址：校园治疗学，校园De L'Institut Pasteur de Lille，法国59000 Lille。
使用电化学阻抗光谱范围用于农村电气化系统的第二次生命的新型铅酸电池最先进的评估方法
_____________________________________________ *通讯作者。电子邮件addre ss：maussion@laplace.univ-tlse.fr电话：+33 7 85 49 94 60 60地址：2 Rue Charles Camichel，31000 Toulouse这项工作得到了巴基斯坦高等教育委员会的部分支持。M. Mohsin，A。Picot，P。Maussion与法国图卢兹大学INP Laplace，法国ToulouseUniversiaté（电子邮件：surname.name@laplace.univ-tlse.fr）