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用于 2D 晶体管的原生高 k 氧化物 - IuE
过去 60 年，集成电路中晶体管数量的迅猛增长推动了电子技术的进步。因此，现代电子芯片包含数十亿个场效应晶体管 (FET)，而最先进的硅 FET 由薄至 7 纳米（相当于 13 个原子层 1 ）的结构构成。然而，像硅这样的三维材料在进一步减小厚度时，迁移率会急剧下降。此外，非晶态和粗糙的沟道/氧化物界面（也存在于先进的高 k 技术中，如二氧化铪，HfO 2；k，介电常数）的影响变得越来越有害。因此，仅仅依靠标准硅技术进一步缩小现代电子设备的体积正在慢慢停滞 2 。继续缩小设备体积最有希望的解决方案之一是使用具有原子级厚度的二维 (2D) 沟道 3、4 的 FET，它们本质上提供亚纳米级的沟道厚度。然而，2D 技术缺乏能像二氧化硅 (SiO 2 ) 与硅一样有效的绝缘体。理想情况下，这种绝缘体必须能够扩展到等效氧化物厚度 (EOT；与某种替代绝缘体产生相同电容的 SiO 2 厚度) 的单个纳米以下，并且质量足够高以保持低漏电流。此外，绝缘体应该与通道具有明确的界面，绝缘体缺陷数量少，并且介电稳定性高。Hailin Peng 和同事在《自然电子学》上撰文，表明高迁移率 2D 半导体 Bi 2 O 2 Se 可以共形氧化为原子级薄的天然氧化物亚硒酸铋 (Bi 2 SeO 5 )，随后可用作 FET 5 中的栅极绝缘体。目前，六方氮化硼 (hBN) 被广泛认为是二维电子器件最有前途的绝缘体，因为它是结晶的，并且具有干净的范德华界面 6 。然而，hBN 不太可能满足低漏电要求
无人驾驶飞机传输缺陷检测
由于电网大小的持续增长，传输线的抽象缺陷识别已成为确保当前传输系统正确运行的关键步骤。这项研究主要涉及当前无人机传播缺陷检测的缺点，尤其是在图像质量和其他相关问题方面。为了响应，已经提出了基于边缘计算的无人机传播缺陷检测系统。该系统采用边缘计算网络和轻巧的改进，最后，通过对实验数据的分析，验证了系统的性能和检测有效性。结果表明，用于检测绝缘体的研究模型的准确性比其他模型高0.05。该系统在检测正常绝缘体和异常绝缘子方面更有效。该系统在检测传输线图像中的误差比其他算法低0.18，与其他模型误差值相比，平均百分比误差低0.20。这表明研究中使用的系统能够改善传输线的检测，并提高了检测到的图像的质量。这是一本出色的手册，可在将来增强无人机输电线路缺陷精度。
在高熵氧化物Ruddlesden – Popper Cuprate膜中寻找超导性
和SR +2以已知诱导超导性超导性的浓度，ND 2 CUO 4和LA 2 CUO 4。Electron doped (La 0.185 Pr 0.185 Nd 0.185 Sm 0.185 Eu 0.185 Ce 0.075 ) 2 CuO 4 and hole doped (La 0.18 Pr 0.18 Nd 0.18 Sm 0.18 Eu 0.18 Sr 0.1 ) 2 CuO 4 are synthesized and shown to be single crystal, epitaxially strained, and highly uniform.传输测量表明，所有生长的薄膜都在绝缘，而不是掺杂。退火研究表明，可以通过修饰氧气化计量和诱导金属性但没有超导性来调整电阻率。这些结果反过来又连接到扩展的X射线吸收良好的结构结果，表明高熵库层中缺乏超导性可能起源于Cu – O平面内的大变形（σ2>0.015Å2），这是由于A-部位阳离子阳离子尺寸变化引起的，这驱动了载货者本地化的本地化。These findings describe new opportunities for controlling charge- and orbital-mediated functional responses in Ruddlesden – Popper crystal structures, driven by balancing of cation size and charge variances that may be exploited for functionally important behaviors such as superconductivity, antiferromagnetism, and metal-insulator transitions while opening less understood phase spaces hosting doped Mott insulators, strange metals, quantum临界，伪胶囊和有序的电荷密度波。
支持信息 用于纳米图案化的自刷
8. Mazur, MM；Pianaro, SA；Portella, KF；Mengarda, P.；Bragança, MDOGP；Ribeiro Junior, S.；Santos de Melo, JS；Cerqueira, DP，使用脉冲直流磁控溅射在陶瓷电绝缘体上沉积并表征 AlN 薄膜。表面与涂层技术 2015，284，247-251。https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2015.06.082。
通过光总和规则检测价频段浮游功能的传播
半导体和绝缘子中价频段的函数的扩散是一种特征性的特性，可以粗略估计材料的绝缘性。我们阐述的是，由于它们等于在动量上集成的价值带状态的量子指标，因此可以从光学电导率和吸光度中从光学电导率和吸光度中从实验中提取量规不变部分。由于量子度量进入光导率的矩阵元素，因此可以从介电函数的假想部分的频率整合中获得价频段散布函数的扩散。我们实际上是为SI和GE等典型的半导体以及拓扑绝缘子（如BI 2 TE 3）进行了证明。在2D材料中，可以从吸光度除以频率，然后在频率上积分的吸光度中获得Wannier函数的扩散。将此方法应用于石墨烯，揭示了由固有的自旋轨道耦合引起的有限扩散，这可以通过微波范围的吸光度检测到。毫米波范围内扭曲的双层石墨烯的吸光度可用于检测板的形成并量化其量子度量。最后，我们将我们的方法应用于六边形过渡金属二进制MX 2（M = MO，W; X = S，SE，TE），并演示了Excitons和Emalligh Energe Bangs（例如Excitons and Emally Energe Bangs）如何影响Strier功能的传播。
物理座谈会
对表现出非类量子效应的新型材料的探索继续带来许多惊喜。最近，例如，二维Moiré异质结构已成为中心阶段 - 最突出的双层石墨烯。在扭曲的双层石墨烯的最令人兴奋的特征中，观察到的强相关状态的出现，包括莫特绝缘子，超导性等。通常，二维材料的堆叠仅通过门掺杂或调谐扭曲角提供了前所未有的目标访问，以操纵电子性能。因此，它们能够对非常规的物质量子状态进行受控的工程，这不仅为强相关系统的基本方面开辟了新的观点，而且还构成了一种非常有希望的新型材料功能化的途径。在我的演讲中，我将介绍扭曲的双层石墨烯和相关Moiré异质结构的物理和最新发展。此外，我将解释在这种材料的复杂多体物理学的理论描述中必须应对的挑战。我将讨论现代功能方法如何提供一种多功能的工具包，以与密切相关的Moiré异质结构的许多通用和非宇宙方面联系，包括描述竞争相关性的描述，费米语表面的不稳定性，量子关键行为，以及Chern Insululators和Chern Insululators和Chern Insoluctators and topoldogical ofdodicaldodictive的可能出现。
材料物理性质，第三版
12. 电学性质................................................................................................321 12.1 简介...............................................................................................321 12.2 金属、绝缘体和半导体：能带理论....................................321 12.2.1 金属.......................................................................................324 12.2.2 半导体.................................................................................325 12.2.3 绝缘体.......................................................................................328 12.3 电导率的温度依赖性....................................................................328 12.3.1 金属.......................................................................................329 12.3.2 本征半导体.......................................................................330 12.4 非本征（掺杂）半导体的性质....................................................335 12.5 使用非本征（掺杂）半导体的电气设备.....................................336 12.5.1 p,n 结.....................................................................................336 12.5.2 晶体管................................................................................342 12.6 电介质...............................................................................................344 12.7 超导性...............................................................................................347 12.8 温度测量：教程��������������������������������������������������������������������������������352
绝缘范德华铁磁体中的拓扑自旋纹理
鉴于拓扑自旋纹理在信息存储技术中的潜在应用，其生成和控制是现代自旋电子学最令人兴奋的挑战之一。特别令人感兴趣的是磁绝缘体，由于其低阻尼、无焦耳加热和减少的耗散，可以提供节能的自旋纹理平台。本文证明了样品厚度、外部磁场和光激发之间的相互作用可以产生大量的自旋纹理，以及它们在绝缘 CrBr 3 范德华 (vdW) 铁磁体中的共存。使用高分辨率磁力显微镜和大规模微磁模拟方法，证明了 T-B 相图中存在一个大区域，其中存在不同的条纹畴、skyrmion 晶体和磁畴，并且可以通过相位切换机制进行内在选择或相互转换。洛伦兹透射电子显微镜揭示了磁性纹理的混合手性，在给定条件下属于布洛赫类型，但可以通过厚度工程进一步操纵为尼尔类型或混合类型。可以通过标准光致发光光学探针进一步检查不同磁性物体之间的拓扑相变，该探针通过圆偏振分辨，表明存在激子-skyrmion耦合机制。研究结果表明，vdW磁绝缘体是一种有前途的材料框架，可用于操纵和生成与原子级设备集成相关的高度有序的skyrmion晶格。
材料科学与工程学简介
陶瓷： - 离子粘合（难治性） - 金属和非金属元素的化合物（氧化物，碳化物，碳化物，氮化物，硫化物） - 脆性，玻璃状，弹性 - 非导向（绝缘体） - Ex。氧化铝（Al 2 O 3），二氧化硅（SIO 2）复合材料： - 由两种（或更多）个单个材料组成，这些材料来自上面讨论的类别。- 复合材料旨在显示每种组件材料的最佳特征-ex.fiberglass的组合，是一个熟悉的例子，其中将玻璃纤维嵌入聚合物材料中。玻璃纤维从玻璃中获取强度和从聚合物>
改进了ufast Call of PhD申请2024/2025
我们将在高度可调的Moiré材料中探索物质及其量子相变的外来量子状态。示例包括分数Chern和分数拓扑绝缘子，非常规的超导性，激子冷凝物和量子自旋液体。我们将使用广泛的实验工具研究这些物质，包括纳米型，光学显微镜和光谱，量子传输测量，扫描探针显微镜和热力学探针。作为一个实验组，我们也有兴趣开发新的纳米级设备平台和测量技术来解决特定的感兴趣问题。