将氢(H 2)存储为能量载体,需要开发用于提高传统储存溶液的效率和安全性,例如压缩气体(350-700 bar)和低温液体(20-30 K)。[1]固态氢存储是开发的一种替代方法,可以通过金属 - 水流中的化学键或通过物理吸附(物理吸附)到达多孔材料表面的物理吸附(物理吸附),以达到涉及较低储存压力的技术储存密度。[2]在固态方法中,物理吸附显示了更快的动力学,用于充电和放电和完全可逆性。[3,4]使用吸附剂进行氢存储需要低温温度(冷冻吸附),通常在液氮的沸点周围,即77 K,以实现与高压或液态氢罐可比的实用重量和大量能力。[5–11]
Benjamen P. Reed* 1 , David J. H. Cant 1 , Steve J. Spencer 1 , Abraham Jorge Carmona-Carmona 2 , Adam Bushell 3 , Alberto Herrera-Gómez 2 , Akira Kurokawa 4 , Andreas Thissen 5 , Andrew G. Thomas 6 , Andrew J. Britton 7 , Andrzej Bernasik 8 , Anne Fuchs 9 , Arthur P. Baddorf 10 , Bernd Bock 11 , Bill Theilacker 12 , Bin Cheng 13 , David G. Castner 14 , David J. Morgan 15 , David Valley 16 , Elizabeth A. Willneff 17 , Emily F. Smith 18 , Emmanuel Nolot 19 , Fangyan Xie 20 , Gilad Zorn 21 , Graham C. Smith 22 , Hideyuki Yasufuku 23 , Jeffery Fenton 24 , Jian Chen 20 , Jonathan D. P. Counsell 25 , Jörg Radnik 26 , Karen J. Gaskell 27 , Kateryna Artyushkova 16 , Li Yang 28 , Lulu Zhang 4 , Makiho Eguchi 29 , Marc Walker 30 , Mariusz Hajdyła 8 , Mateusz M. Marzec 8 , Matthew R. Linford 31 , Naoyoshi Kubota 29 , Orlando Cortazar- Martínez2,Paul Dietrich 5,Riki Satoh 29,Sven L. M. Schroeder 7,Tahereh G. Avval 31,Takaharu Nagatomi 32,Vincent Fernandez 33,Wayne Lake 34,Wayne Lake 34,Yasushi Azuma 4,Yasushi Azuma 4,Yusuke Yusuke Yoshikawa 355,36,and Alexander G./alexander G.
将氢(H 2)存储为能量载体,需要开发用于提高传统储存溶液的效率和安全性,例如压缩气体(350-700 bar)和低温液体(20-30 K)。[1]固态氢存储是开发的一种替代方法,可以通过金属 - 水流中的化学键或通过物理吸附(物理吸附)到达多孔材料表面的物理吸附(物理吸附),以达到涉及较低储存压力的技术储存密度。[2]在固态方法中,物理吸附显示了更快的动力学,用于充电和放电和完全可逆性。[3,4]使用吸附剂进行氢存储需要低温温度(冷冻吸附),通常在液氮的沸点周围,即77 K,以实现与高压或液态氢罐可比的实用重量和大量能力。[5–11]
1 1技术创新中心国家市场法规,国家计量学研究所(NIM),北京,100029,中华民国2中,中国吉利安格大学,杭州大学,辛吉安,辛吉安吉安,310018材料科学,国家计量与测试国家实验室(LNE),29 Avenue Roger Hennequin,F-78197,F-78197,法国5号,5个国家测量研究所(NMIA),布拉德菲尔德路36号,新南威尔士州Lindfield,新南威尔士州2070年,澳大利亚2070年,澳大利亚6号研究中心,国民研究委员会(NRC),加拿大研究委员会(NRC)。 0R6, Canada 7 Bruno Kessler Foundation, Sensors and Devices Center, Micro Nano Facility Unit ( MNF ) , Trento I-38123, Italy 8 National Institute of Metrology ( Thailand ) ( NIMT ) , 3 / 4-5 Moo 3, Klong 5, Klong Luang, Pathumthani, Thailand 9 Danmarks Nationale Metrologiinstitut ( DFM ) , Kogle Allé 5 D-2970 Hørsholm Danmark 10 National Institute of Metrology, Quality and Technology ( INMETRO ) , Duque de Caxias RJ, Brazil 11 Center for Measurement Standards, Industrial Technology Research Institute ( CMS / ITRI ) , Hsinchu 30011, Chinese TaiPei, People ' s Republic of China 12 Swinburne University of Technology, John Street, Hawthorn, VIC 3122 Australia1技术创新中心国家市场法规,国家计量学研究所(NIM),北京,100029,中华民国2中,中国吉利安格大学,杭州大学,辛吉安,辛吉安吉安,310018材料科学,国家计量与测试国家实验室(LNE),29 Avenue Roger Hennequin,F-78197,F-78197,法国5号,5个国家测量研究所(NMIA),布拉德菲尔德路36号,新南威尔士州Lindfield,新南威尔士州2070年,澳大利亚2070年,澳大利亚6号研究中心,国民研究委员会(NRC),加拿大研究委员会(NRC)。 0R6, Canada 7 Bruno Kessler Foundation, Sensors and Devices Center, Micro Nano Facility Unit ( MNF ) , Trento I-38123, Italy 8 National Institute of Metrology ( Thailand ) ( NIMT ) , 3 / 4-5 Moo 3, Klong 5, Klong Luang, Pathumthani, Thailand 9 Danmarks Nationale Metrologiinstitut ( DFM ) , Kogle Allé 5 D-2970 Hørsholm Danmark 10 National Institute of Metrology, Quality and Technology ( INMETRO ) , Duque de Caxias RJ, Brazil 11 Center for Measurement Standards, Industrial Technology Research Institute ( CMS / ITRI ) , Hsinchu 30011, Chinese TaiPei, People ' s Republic of China 12 Swinburne University of Technology, John Street, Hawthorn, VIC 3122 Australia
Benjamen P. Reed* 1 , David J. H. Cant 1 , Steve J. Spencer 1 , Abraham Jorge Carmona-Carmona 2 , Adam Bushell 3 , Alberto Herrera-Gómez 2 , Akira Kurokawa 4 , Andreas Thissen 5 , Andrew G. Thomas 6 , Andrew J. Britton 7 , Andrzej Bernasik 8 , Anne Fuchs 9 , Arthur P. Baddorf 10 , Bernd Bock 11 , Bill Theilacker 12 , Bin Cheng 13 , David G. Castner 14 , David J. Morgan 15 , David Valley 16 , Elizabeth A. Willneff 17 , Emily F. Smith 18 , Emmanuel Nolot 19 , Fangyan Xie 20 , Gilad Zorn 21 , Graham C. Smith 22 , Hideyuki Yasufuku 23 , Jeffery Fenton 24 , Jian Chen 20 , Jonathan D. P. Counsell 25 , Jörg Radnik 26 , Karen J. Gaskell 27 , Kateryna Artyushkova 16 , Li Yang 28 , Lulu Zhang 4 , Makiho Eguchi 29 , Marc Walker 30 , Mariusz Hajdyła 8 , Mateusz M. Marzec 8 , Matthew R. Linford 31 , Naoyoshi Kubota 29 , Orlando Cortazar- Martínez2,Paul Dietrich 5,Riki Satoh 29,Sven L. M. Schroeder 7,Tahereh G. Avval 31,Takaharu Nagatomi 32,Vincent Fernandez 33,Wayne Lake 34,Wayne Lake 34,Yasushi Azuma 4,Yasushi Azuma 4,Yusuke Yusuke Yoshikawa 355,36,and Alexander G./alexander G.