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高性能计算应用中带 HBM 的 FO-MCM 组装技术
随着行业向超摩尔时代迈进，下一代封装技术也朝着高密度芯片或芯片分割封装集成方向发展。尤其是对于高性能计算应用，先进封装技术通过硅或有机中介层集成多个芯片芯片，从而提供经济效益。有机中介层是芯片到芯片互连的替代接口之一。FO-MCM 以同质封装集成概念应用于芯片集成和 ASIC 到 Serdes 芯片集成而闻名。由于人工智能计算和 HPC 市场增长的推动，将封装的 HBM 集成到封装模块中作为异构集成封装 (HIP) 的趋势已经形成。近年来，两种平台（以硅中介层为基础的 2.5D 和以部分桥接芯片为互连介质的 FO-EB）已投放市场。还讨论了采用纯有机中介层的 FO-MCM 应用于异构集成领域的可行性。全有机中介层可以为 HPC 产品提供多个 RDL 层和线路/空间的灵活设计。本研究旨在解决采用纯有机中介层的 FO-MCM 平台实现集成 HBM 的异质封装。FO-MCM 中的芯片最后方法具有控制 RDL 质量和采用“已知良好的 RDL”以节省顶层芯片成本的优势。扇出型 RDL 配置为 4 层，最小 L/S 为 2/2um。在验证过程中，基于模拟分析，通过材料和底部填充选择优化了翘曲和应力。组装结果表明，翘曲和可靠性验证通过了 MSL4、TCT700x、uHAST96 和 HTST1000hrs 条件。关键词 扇出型 MCM；芯片最后；异质集成；芯片分区；高性能计算；HBM
开发板EPC9144快速入门指南
EPC9144 开发板主要用于驱动激光二极管，其高电流脉冲总脉冲宽度短至 1.2 ns，电流高达 28 A。该板是围绕 EPC2216 增强型 (eGaN®) 场效应晶体管 (FET) 设计的。EPC2216 是一款符合 AEC-Q101 汽车标准的 15 V FET，能够产生高达 28 A 的电流脉冲。EPC9144 随附 EPC9989 插入器板。EPC9989 是一组可分离的 5 mm x 5 mm 方形插入器 PCB，具有用于不同激光器、RF 连接器的占用空间，以及一组用于试验不同负载的其他占用空间。使用插入器可以安装许多不同的激光器或其他负载，同时仍可以使用 EPC9144。激光二极管或其他负载不包括在内，必须由用户提供。
找到一种快乐媒介的异质缓存集成
对于高性能计算，希望从整体SOC中分解缓存存储器，并通过异源集成技术重新整合它。将缓存从整体SOC中重新定位会导致降低晚期硅死模尺寸，从而导致较高的产量和较低的成本。在这项研究中，我们评估了使用DECA模制的M-Series™嵌入式缓存扇出溶液之间高端3D硅互连解决方案和低端基板溶液之间差距的方法。deca的M系列芯片首先面对FOWLP平面结构是一个理想的平台，用于构建嵌入式插入器，用于处理器芯片，缓存内存和深沟槽电容器的异质集成。deca的自适应模式®允许扩展到处理器chiplet和缓存内存之间的高密度互连。考虑了嵌入式缓存插波器的三种不同配置。垂直堆叠的面对面配置最小化处理器和高速缓存之间的互连长度，而横向配置为铜堆积的铜堆积提供了铜的互连，从而可以进一步缩放互连间距。这两种配置都有其特定的好处和缺点，这些作品在这项工作中详细描述了。关键词自适应图案，嵌入式缓存插入器，扇出晶圆级包装，异质集成，高性能计算，M系列
请注意，海报演示...
TSV/晶圆级包装交互式介绍II（12月5日下午3:00至4：00p ong ong jun wei Jun Javier Microectronics Institute（IME），新加坡新加坡新加坡1360寄生表面耐受的调查调查2.5d/3d杂物互动的寄生表面对Interposer对Interposer效果的效果3 i II（预期）II（预期） 4：00p ng Yong Chyn微电子学研究所（IME），新加坡新加坡1143 1143晶圆级制造嵌入式冷却溶液在加热设备上使用TSV互连TSV/WAFER级别包装交互式互动式展示II（12月5日3:00 PM至4：00P BOON LONG LONG LONG INTRORE SINTERITE of MICROAPS INTREAPS MICREAPSICERS（MICEAPERES）（IMEAP）（IM）使用计算机视觉进行芯片测量进行芯片到磁力混合键合应用智能制造和设备技术交互式演示II（12月5日3:00 pm至4：00p Rahul Reddy komatireddi应用材料印度1403开发机器人支持的型树脂的开发，用于包装式销售量和设备的热模制工艺，以销售3个启示式智能和设备的热模型（in II）智能和设备的热模型（ind）智能智能式技术（约定） 4：00P Eun-JI GWAK韩国机械和材料研究所韩国1238丝网扫描优化，具有模具工艺模拟（虚拟DOE）智能制造和设备技术交互式演示II（12月5日3:00 PM至4：00p Submanian N.R.
HZO-LNOI集成的铁电气调节器和内存的首次演示以启用可重新配置的光子系统Zefeng Zefeng Xu 1,2,6†
†同等贡献；电子邮件：aaron.thean@nus.edu.sg摘要 - 我们首次成功证明了创新的后端（beol）兼容的电磁调节器和内存（Eomm）基于niobate基于绝缘体（LNOI）的niobate（lnoi）Micro-Ring Rings Resonator（MRR）的5 ZRRING 0. ZRRICTRRICRICRICRICRICRICRICTRRICRICTRICTRICTRICRICRICTRRICRICTRICRICRICTRICTRICTRICTRICTRICRICRONE （HZO）非挥发性模拟记忆。高的非易失性记忆和调制性能都在单个紧凑型装置中实现，高灭绝比为13.3 dB，出色的效率为66 pm/v，稳定的九态开关，创纪录的耐力超过10 9个循环。这是通过利用LNOI中的Pockels效应来实现的，这是由残留的HZO铁电偏振的电场效应引起的。我们研究了由Eomm和Hybrid热光调制的Eomm启用的可重新配置的Chiplet-interposer光子互连的系统实现。我们的模型显示出与常规电气插座互连相比，潜在的70％能效提高。我们还测试了Eomm与Poet Technologies的400G TX/RX光学插入器芯片的集成，并研究了Eomm设备的有限规模演示。
技术和可靠性
• 为提高性能，晶圆工艺技术的快速发展推动了 HKMG 和 FinFET 等可靠性极限。 • 晶圆上新材料的加速引入：铜、超低 k ILD、气隙、氮化氧化物、高 K 栅极电介质和新互连 • 先进的封装和凸块技术：fcBGA、fcCSP、WLCSP、无铅凸块、铜柱、铜线、微凸块、多层 RDL、TSV/Interposer、3D/2.5D、FanOut WLP 封装和 SiP • 新封装材料：增材制造基板、超低损耗电介质、底部填充材料、塑封材料、基板表面处理、无铅和铜凸块等 • 多级应力相互作用使可靠性失效机制变得复杂 • 日益严格的客户要求和应用 • 快速上市需要可靠性设计以减少认证/批量生产时间
用于多芯片 GPU 的晶圆光子网络
在过去十年中，图形处理单元 (GPU) 的进步推动了人工智能 (AI)、高性能计算 (HPC) 和数据分析领域的重大发展。要在这些领域中的任何一个领域继续保持这一趋势，就需要能够不断扩展 GPU 性能。直到最近，GPU 性能一直是通过跨代增加流式多处理器 (SM) 的数量来扩展的。这是通过利用摩尔定律并在最先进的芯片技术节点中使用尽可能多的晶体管数量来实现的。不幸的是，晶体管的缩放速度正在放缓，并可能最终停止。此外，随着现代 GPU 接近光罩极限（约 800 平方毫米），制造问题进一步限制了最大芯片尺寸。而且，非常大的芯片会导致产量问题，使大型单片 GPU 的成本达到不理想的水平。GPU 性能扩展的解决方案是将多个物理 GPU 连接在一起，同时向软件提供单个逻辑 GPU 的抽象。一种方法是在印刷电路板 (PCB) 上连接多个 GPU。由于提供的 GPU 间带宽有限，在这些多 GPU 系统上扩展 GPU 工作负载非常困难。封装内互连（例如通过中介层技术）比封装外互连提供更高的带宽和更低的延迟，为将 GPU 性能扩展到少数 GPU 提供了一个有希望的方向 [1]。晶圆级集成更进一步，通过将预制芯片粘合在硅晶圆上，为具有数十个 GPU 的晶圆级 GPU 提供了途径 [2]。不幸的是，使用电互连在长距离上以低功耗提供高带宽密度从根本上具有挑战性，从而限制了使用电中介层技术进行 GPU 扩展。在本文中，我们提出了光子晶圆网络 (NoW) GPU 架构，其中预先制造和预先测试的 GPU 芯片和内存芯片安装在晶圆级中介层上，该中介层通过光子网络层连接 GPU 芯片，同时将每个 GPU 芯片与其本地内存堆栈电连接，如图 1 所示。光子-NoW GPU 架构的关键优势在于能够在相对较长的晶圆级距离（高达数十厘米）内以低功耗实现高带宽密度。本文的目标是展示光子-NoW 的愿景
用于模块封装的陶瓷中介层的制造
引言 低温共烧陶瓷 (LTCC) 用于高频应用、集成冷却系统和嵌入式无源元件 [1-3]，以及通过集成整体系统部件来提高系统密度 [2, 4]。LTCC 还被用于制造双面电力电子模块的中介层 [5-9]。双面模块具有互感最小化、双面冷却能力和更高功率密度等优点。然而，它们的设计和制造也存在一些挑战。考虑到功率模块的合理厚度，功率模块顶层和底层之间的绝缘是设计阶段必须首先仔细考虑的关键设计问题之一。另一个挑战是整个功率模块的机械支撑。在没有底板的双面功率模块中，直接键合铜 (DBC) 基板和冷却附件的整个重量可能会直接施加在半导体裸片上。这会给功率半导体芯片及其电气互连带来巨大的应力和应变，最终可能导致功率模块故障。印刷电路板 (PCB) 被用作中介层 [10]，但 PCB 和功率芯片之间的热膨胀系数 (CTE) 失配远高于陶瓷基材料。LTCC 的 CTE (̴ ~4.4 ppm/°C) 非常接近碳化硅器件的 CTE (4.0 ppm/°C)。因此，这提高了模块的可靠性 [7]。此外，LTCC 结构内的嵌入通孔和电气互连使 LTCC 成为功率模块应用的多功能中介层。