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基于磁隧道结换能器的缩放多数逻辑合成自旋电子电路的基准测试
摘要 — 自旋电子逻辑器件最终将用于混合 CMOS-自旋电子系统，该系统通过传感器在磁场和电域之间进行信号相互转换。这强调了传感器在影响此类混合系统整体性能方面的重要作用。本文探讨了以下问题：基于磁隧道结 (MTJ) 传感器的自旋电子电路能否胜过其最先进的 CMOS 同类电路？为此，我们使用 EPFL（洛桑联邦理工学院）组合基准集，在 7 nm CMOS 和基于 MTJ 传感器的自旋电子技术中合成它们，并在能量延迟积 (EDP) 方面比较这两种实现方法。为了充分利用这些技术的潜力，CMOS 和自旋电子实现分别建立在标准布尔门和多数门之上。对于自旋电子电路，我们假设域转换（电/磁到磁/电）是通过 MTJ 执行的，计算是通过基于域壁 (DW) 的多数门完成的，并考虑了两种 EDP 估计方案：(i) 统一基准测试，忽略电路的内部结构，仅将域传感器的功率和延迟贡献纳入计算，以及 (ii) 多数-反相器-图基准测试，还嵌入了电路结构、相关关键路径延迟和 DW 传播的能量消耗。我们的结果表明，对于统一情况，自旋电子路线更适合实现具有少量输入和输出的复杂电路。另一方面，当也通过多数和反相器综合考虑电路结构时，我们的分析清楚地表明，为了匹配并最终超越 CMOS 性能，MTJ 传感器的效率必须提高 3-4 个数量级
基于新型RB的卤化物双钙晶合金的第一原理计算用于旋转和光电应用
The outcomes of computational study of electronic, magnetic and optical spectra for A 2 BX 6 (A = Rb; B = Tc, Pb, Pt, Sn, W, Ir, Ta, Sb, Te, Se, Mo, Mn, Ti, Zr and X = Cl, Br) materials have been proceeded utilizing Vanderbilt Ul- tra Soft Pseudo Potential (US-PP) process.RB 2 PBBR 6和RB 2 PBCL 6被发现是一个（）半导体，能量差距分别为0.275和1.142 eV，使它们成为有前途的光伏材料。已证实了RB 2 BX 6（B = TC，W，W，IR，TA，MN，SB，MO）的材料的金属材料，显示了进行谱系的出席率。发现介电函数靠近紫外线区域（3.10-4.13 eV）。RB 2 BX 6的灭绝系数具有用于侵犯的能力。状态的带结构和密度确保磁性半导体的性质2 Mn（Cl，Br）6个钙钛矿。RB 2 MNCL 6和RB 2 MNB 6的总计算磁矩为3.00μβ。先进的自旋技术需要室温的铁磁性。目前的工作证实，溴和氯的双钙钛矿对光伏和光电设备具有极大的吸引力。
光子和旋转的手性金属卤化物
图1 |手性卤化物钙钛矿的光学和自旋表征的示例[1]。（S -HP1A）2 PBBR 4的晶体结构，具有4 3和4 1对称元素的插图。b（S -HP1A）2 PBBR 4和（R -HP1A）2 PBBR 4的薄膜的圆形二色性和 - s斑谱光谱。C磁性原子力M- croscopy（MC-AFM）测量的示意图。 d在（S -HP1A）2 Pbbr 4（红色）和（R -HP1A）2 PBBR 4（蓝色）中的自旋极化的平均值。C磁性原子力M- croscopy（MC-AFM）测量的示意图。d在（S -HP1A）2 Pbbr 4（红色）和（R -HP1A）2 PBBR 4（蓝色）中的自旋极化的平均值。
外部磁性无磁性的旋转terahertz strong ...
1个网络科学技术学校，北京大学，北京100191，中国。2北京大学北京大学电子和信息工程学院，中国。3中国科学院物理研究所北京国家凝结物理实验室，中国北京100190。4材料科学与光电工程中心，中国科学院，北京100049，中国。5 Zhangjiang实验室，20120年上海，中国。6 Songshan Lake Materials Laboratory，Dongguan 523808，中国广东。 7物理和应用物理学，新加坡Nanyang Technological University的物理和数学科学学院，新加坡637371。 8上海大学上海大学物理科学技术学院，2011年，中国。6 Songshan Lake Materials Laboratory，Dongguan 523808，中国广东。7物理和应用物理学，新加坡Nanyang Technological University的物理和数学科学学院，新加坡637371。8上海大学上海大学物理科学技术学院，2011年，中国。8上海大学上海大学物理科学技术学院，2011年，中国。
探索be1-XCRXSE合金用于Spintronics和...
H。Ambreen A，S。Saleem A，S。A. Aldaghfag B，M。Zahid C，S。Noreen C，M。Ishfaq A，M。Yaseen A，*一种自旋 - 呼吸链球化学和铁 - 毛线 - 毛发（软）材料和设备材料和设备实验室，物理学系，Budriculture of Fystricant of Fystricant byrive of Falthricant of Falthican bysalabad 3804040404004040404040404040年404040404040404040年。科学，努拉·宾特·阿卜杜勒拉赫曼公主，P。O。Box 84428，Riyadh 11671，沙特阿拉伯C化学系，农业大学Faisalabad，Faisalabad 38040，巴基斯坦在这项研究中，旋转极化密度功能理论（DFT）实施以预测BE 1-X CR x SE的物理特征，x se x se x se（x = 6.5％），12.5％，12.5％，12.5％。纯BESE化合物的电子特性显示出半导体的行为，但在Cr掺杂bese阐明了所有掺杂浓度的BESE半金属铁磁（HMF）。结果阐明了每CR -ATOM的总磁矩M TOT为4.0028、4.0027、4.0021和4.0002μb，分别为6.25％，12.5％，18.75％，25％的浓度，磁性浓度和磁性主要来自杂质的磁性旋转旋转密度的d- state。此外，还计算了光学参数，以确定掺杂对材料对能量跨度的响应的影响，从0到10 eV。光学研究表明，所研究的系统在紫外线范围内具有最大的吸光度和光导率，并具有最小的反射。总体结果表明，CR掺杂的硒化氏酵母（BESE）是用于旋转和光电设备的有前途的材料。在1983年，De Groot等人观察到了HMF行为。（收到2024年2月29日； 2024年4月29日接受）关键词：Spintronics，DFT，磁密度，光学参数1.从过去几十年来的引入中，对新兴的化合物组进行了密集的实验和理论工作，该化合物被认为是稀磁半导体（DMS）。DMS已在自旋产业和多功能电子设备（光电，气体传感器，现场发射设备，非挥发性存储器设备和紫外线吸收器）中使用[1-6]。DMS基于III – V和II – VI二元化合物，这是铁磁（FM）和半导体特性的组合。DMS是通过在宿主材料矩阵[7]中掺入过渡金属（TM）来实现的，该矩阵[7]由于电子特征的变化而改变了宿主系统的E G [8]，从而导致一半金属铁磁材料，导致金属和半导性行为，显示金属和半导向行为。是第一次研究半赫斯勒化合物的带结构，例如PTMNSB和NIMNSB [9]。在理论上和实验上都预测了几位研究人员，HMF在各种材料中的行为，例如钙钛矿化合物LA 0.7 SR 0.7 SR 0.3 MNO 3 [10]，Heusler Alloys Co 2 Mnsi [11] [11] v掺杂的MGSE/MGTE [15]，Bete [16]，Znse [17]和Znte [18]。
PH-xxx 课程名称：自旋电子技术简介
主题代码：PH-xxx 课程名称：自旋电子技术简介 LTP：3-0-0 学分：3 主题领域：OEC 大纲：磁学基础知识：磁学类型、自旋轨道相互作用、偶极相互作用、交换相互作用、磁各向异性 自旋相关传输：异常霍尔效应、各向异性磁阻 (AMR)、巨磁阻 (GMR)、隧道磁阻 (TMR)、自旋阀 (SV)、磁隧道结 (MTJ)、磁场传感器（硬盘读取头、生物传感器） 磁化动力学：自旋转移扭矩 (STT)、自旋霍尔效应 (SHE)、自旋轨道扭矩 (SOT)、轨道霍尔效应 (OHE)、磁化切换、磁性 skyrmions 自旋电子器件：磁阻随机存取存储器 (MRAM) 技术 - STT-MRAM、SOT-MRAM、自旋扭矩和自旋霍尔纳米振荡器（STNO 和 SHNO）、自旋量热器、赛道存储器基于自旋的计算：纳米磁逻辑、自旋逻辑、基于振荡器的神经形态计算、自旋波计算。科目代码：PH-xxx 课程名称：太空探索 LTP：3-0-0 学分：3 学科领域：OEC 大纲：不同国家太空探索的历史、对太空技术的需求、对空间科学知识的需求、近地空间的等离子体、大气中的波、其他行星的大气/电离层、空间测量：主动和被动遥感和现场测量、轨道：开普勒行星运动定律、轨道类型、霍曼转移轨道、卫星通信和导航、空间技术的应用。
TALEN 介导的 HSPC 内含子编辑可以
（未经同行评审认证）是作者/资助者。保留所有权利。未经许可不得重复使用。此预印本的版权所有者此版本于 2024 年 3 月 5 日发布。；https://doi.org/10.1101/2024.03.05.583596 doi：bioRxiv preprint
用于超级分辨率的自旋发射器
我们使用Spintronic Thz发射器研究了局部THZ场的生成，以增强微米大小的成像的分辨率。远面成像，波长高于100 l m，将分辨率限制为该数量级。通过使用光学激光脉冲作为泵，可以将Thz Field Genert固定在激光束聚焦的区域。由于激光束聚焦而引起的生成的THZ梁的差异要求成像的物体在THZ场波长以下的距离处靠近生成位。我们根据自旋电流在COFEB/PT异质结构中通过FS-LASER脉冲产生THZ辐射，并通过商业低温种植-GAA（LT-GAAS）Auston Switches检测到它们。通过应用具有电动阶段的2D扫描技术来确定THZ辐射的空间分辨率，从而可以在子微米计范围内进行台阶尺寸。在近距离限制内，我们在千分尺尺度上在激光斑点大小的尺寸上实现空间分辨率。为此，在由300 nm SiO 2间隔层隔开的旋转发射器上蒸发了金测试模式。将这些结构相对于飞秒激光斑点（生成THZ辐射）允许测定。刀边方法在1 THz时产生的全宽半宽度梁直径为4：9 6 0：4 l m。在简单的玻璃基材上沉积自旋发射器异质结构的可能性使它们在许多成像应用中具有近距离成像的候选者。
剪接靶向药物强调内含子保留是晚期前列腺癌的一个可操作弱点
摘要背景晚期前列腺癌 (PC) 的特点是对雄激素剥夺疗法和化疗不敏感，导致大多数患者的预后不良。因此，晚期 PC 迫切需要新的治疗策略。越来越多的证据表明剪接失调是晚期 PC 的标志。此外，药物抑制剪接过程正在成为治疗这种疾病的一个有希望的选择。方法通过使用代表性的雄激素不敏感 PC 细胞系 (22Rv1)，我们研究了三种剪接靶向药物：Pladienolide B、indisulam 和 THZ531 产生的细胞毒作用背后的全基因组转录组效应。进行了生物信息学分析以揭示对这些治疗的转录和剪接调控敏感性背后的基因结构特征。通过基因本体分析注释了这些治疗改变的生物途径，并通过细胞模型中的功能实验进行了验证。结果尽管 Pladienolide B、indisulam 和 THZ531 对晚期 PC 细胞具有相似的细胞毒作用，但它们会调节特定的转录和剪接特征。药物敏感性与受调控的外显子和内含子中不同的基因结构特征、表达水平和顺式作用序列元素有关。重要的是，我们确定了与 PC 相关的基因 (即 EZH2、MDM4)，其药物诱导的剪接改变会对细胞存活产生影响。此外，计算分析发现剪接靶向药物对内含子保留有广泛影响，并且在与前 mRNA 3' 端加工有关的基因 (即 CSTF3、PCF11) 中富集。与此相符的是，晚期 PC 细胞对裂解和多聚腺苷酸化复合物的特定抑制剂表现出高度敏感性，这增强了已经用于治疗这种癌症的化疗药物的效果。结论 我们的研究发现内含子保留是晚期前列腺癌的一个可操作弱点，可以利用它来改善这种目前无法治愈的疾病的治疗管理。关键词 晚期前列腺癌、剪接抑制剂、可变剪接、内含子保留、3'-末端 mRNA 加工、转录组学
从自旋电子学到神经形态
• 通过溅射或 MBE 在 bcc CoFe 或 Fe 磁性电极上，或在非晶态 CoFeB 电极上生长，然后进行退火以重结晶电极，从而形成质地非常好的 MgO 屏障。