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一种定量方法，用于确定在离子辐照的金属中空隙肿胀期间不受注入的间隙和表面影响影响的区域
Figure 1 Cross-sectional TEM micrographs of Fe irradiated at 475 C to (a-1) 50 peak dpa by 5 MeV Fe ions, (a-2) 50 peak dpa by 3.5 MeV ions, (a-3) 50 peak dpa by 2.5 MeV ions, (a-4) 50 peak dpa by 1 MeV ions, (b-1) 100 peak dpa by 5 MeV ions, (b-2) 100 peak DPA乘以3.5 MeV，（B-3）100峰值DPA乘以2.5 MeV，（B-4）100峰值DPA乘以1 MeV离子。箭头指示梁照射方向。红色实心曲线是SRIM计算的DPA曲线，黑色虚拟曲线是植入的Fe曲线。在每个显微照片的底部显示了表面空隙的裸露区域的宽度。
研究电离辐射对聚酰胺6的特性的研究
用纤维胶加固的聚合物在家庭行业的转换中变得越来越普遍。这些化合物对撞击和目前使用的湿度吸收具有良好的抗拉力抵抗力，并且在引擎盖下方的一部分，尤其是在散热器框架下的汽车行业中。这项工作的目的是研究用纤维类增强的电离辐射对聚酰胺6的性质的影响，并接受了不同的照射剂量。样品被制备并在JOB 188加速器上进行辐照，其电子束能量为1.5 meV，空气中的剂量不同，剂量率为27.99 kgy/h。之后，评估了非辐照和辐照的聚酰胺6中使用纤维类加固的特性。r 2007 Elsevier Ltd.保留所有权利。
辐射效率、对比度和...的测定
未来几年，我们将掌握临界尺寸在 30 纳米 - 150 纳米数量级的纳米电子和光子微结构。电子和离子光刻技术可以满足进一步电子设备小型化挑战的要求。定量估计光刻胶改性参数 [I] 是优化电子和离子光刻曝光以及相关的显影过程的重要一步。由于光刻胶层的聚合物分子发生交联或断裂，溶解率在辐照后会发生变化。经过适当溶剂（显影剂）的适当显影过程后，可以观察到光刻胶层中的浮雕微结构。在显影过程中，正光刻胶的辐照区域和负光刻胶的相反区域（未辐照区域）被去除。辐照点的溶解率变化取决于所使用的曝光剂量。聚合物光刻胶对辐射（电子束和离子束）的敏感度是通过曝光图像显影过程中的最小剂量 Do 来衡量的。光刻胶的敏感度由辐射粒子的辐射效率决定，辐射效率可以用吸收能量每单位（即电子伏特）的平均化学事件数（断链或破坏）来表征。在高分辨率电子束和离子束光刻领域，非常重要的一点是
伽玛射线对双极结特性的影响
本文介绍了60 Coγ辐射硬度对双极结型晶体管特性和参数的影响，以分析核领域中使用的单个器件的性能变化。双极结型晶体管（BJT）的类型为（BC-301）（npn）硅，晶体管用60 Co源以不同剂量（1、2、3、4和5）KGy进行γ辐射辐照。使用带稳压电源的晶体管特性仪研究了辐照前后双极结型晶体管的特性和参数。结果表明，由于晶体管增益下降和硅电阻率增加，双极结型晶体管的饱和电压V CE（sat）降低。受电离辐射影响的双极结型晶体管的另一个参数是集电极-基极漏电流，电流的大幅增加是由结附近的累积电荷引起的。1.引言
自旋 - 轨道扭矩驱动的多级开关Inhe+ ...
我们已经研究了带有垂直磁各向异性的w/cofeb/mgo大厅杆中的自旋 - 轨道扭矩驱动的磁化切换。通过掩模的离子辐照已用于在大厅交叉处局部减少局部有效的垂直方向异性。异常的大厅效应测量与KERR显微镜相结合表明，开关过程由辐照区域中的域壁（DW）成核支配，然后在当前密度低至0.8 mA/cm 2的快速域传播，辅助平面磁性磁力纤维。多亏了DW在辐照区和非辐照区域之间的过渡时实施的强钉，引起了中间大厅的电阻状态，这通过有限元模拟进一步验证。使用He h He him hion辐照控制电气电阻的这种方法在实现神经形态和Memristor设备方面具有巨大的潜力。