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第14届Jena Laser会议
在此贡献中，提出了向金属透明材料的超快激光焊接。探索了将硼曲叶玻璃B33与Ti/Al6/V4连接到Ti/Al6/V4的激光脉冲能量，扫描速度和燃烧延迟依赖性，并实现了最大的剪切连接强度> 6 MPa，从而可以预见各种应用。探索对热周期的电阻率，将样品加热到不同的温度，并在冷却后测量残留的剪切连接强度。对于超过120°C的温度，连接的故障被发现。接下来证明了将融合二氧化硅与具有适应性疗法膨胀系数的金属相连的金属，以提高热周期稳定性。高点这种连接方法的普遍适用性，在此显示了半导体对金属的焊接，此处用硅和铜进行了说明。在窄带间隙半导体材料中，需要考虑使用高强度激光脉冲的非线性传播来优化界面处的沉积能量并增强所得连接。实现了最大的剪切连接强度> 2 MPa，证明了工业兼容性。
X 波段 epi-BAW 谐振器 - Debdeep Jena
滤波器是通信系统中的核心无源元件，随着 5G 技术、物联网、传感器和自动化的兴起，通信系统中的滤波器市场预计还会不断扩大。1 – 3 虽然表面声波 (SAW) 滤波器由于制造简单而在 2 GHz 以下占据主导地位，但它们在更高频率下的性能受到低表面声波速度、光刻复杂性和低品质因数的限制。1、4 与体声波 (BAW) 滤波器相比，窄叉指换能器 (IDT) 手指中的电迁移损伤和 SAW 的不均匀电流分布导致其功率处理能力较差。1 由于厚度延伸波的速度高于表面声波，因此 BAW 滤波器在 1.5 至 6 GHz 的较低 5G 频段占主导地位。高品质因数和高功率处理能力使 BAW 滤波器可以扩展到更高的频率，同时保持高 RF 性能。 1 由于这种电声滤波（因为声波的波长比相同频率的电磁波小得多）而带来的小型化优势，在毫米波范围（30 – 300 GHz）的较高频率下，其收益会逐渐减少。对于如此高的频率，使用基片集成波导 (SIW) 和腔体滤波器在光域中进行直接滤波占主导地位。5 – 9
在弗里德里希·利夫勒·伊斯蒂特（Friedrich-Loeffler-Institut Jena）的大多数职位（...
研究所和位置弗里德里希·利弗勒·伊斯蒂特（FLI）（FLI）是世界领先的动物疾病，福利，饲养，营养和农用动物遗传学领域的领先研究机构之一。这是德国联邦食品和农业部的投资组合的一部分，并在这些地区为联邦政府提供了通知和建议。
耶拿大学 - 内部新闻 1 25
1 月 29 日下午 6 点，《自由的面貌》系列第三次小组讨论将聚焦“记忆中的历史——我们允许哪种过去？”这一主题。纽约的 Omri Boehm 教授和特拉维夫的 Natan Sznaider 教授将与耶拿当代历史学家 Stefanie Middendorf 教授和耶拿东欧历史学家 Joachim von Puttkamer 教授讨论以下问题：我们是忘却了历史，还是沉迷于历史？过去是否为现在提供了普遍的教训？在德国的记忆文化受到批评的同时，历史修正主义正在全球范围内兴起。与此同时，大屠杀和殖民主义的记忆似乎是不可调和的。冲突很多，这意味着可以期待一场非常有趣的双语小组讨论，这也是第一次“耶拿当代历史讲座”。需要注册。
Debdeep Jena 的简历 - 康奈尔大学
他的研究小组的研究成果发表在 500 多篇期刊论文上，包括《科学》、《自然》、《物理评论快报》、《应用物理快报》和《电子设备快报》。作为 APS 和 IEEE 的研究员，他曾获得 2012 年 ISCS 青年科学家奖、2014 年 MBE 青年科学家奖、2024 年 Art Gossard MBE 创新者奖以及业界研究奖，如 2012 年 IBM 教师奖和 2020 年英特尔杰出研究奖。他曾在多个国家中心担任领导职务，例如 ME Commons NITRIDER、SRC/DARPA JUMP 中心、DOE EFRC、NSF DMREF 和 NSF EFRI。他的研究工作获得了多项专利和两家衍生公司（Soctera、Gallox）。耶拿的录制讲座已被观看超过 250,000 次，他 2022 年编写的教科书《半导体材料和器件的量子物理学》已被多所大学用作本科生和研究生的课程。
认可参数列表 Oncoscreen Jena v5.xlsx
Oncomine Comprehensive Assay v3 DNA 组：AKT1、AKT2、AKT3、ALK、AR、ARAF、ARID1A、ATM、ATR、ATRX、AXL、BAP1、BRAF、BRCA1、BRCA2、BTK、CBL、CCND1、CCND2、CCND3、CCNE1、CDK12、CDK2、CDK4、CDK6、CDKN1B、CDKN2A、CDKN2B、CHEK1、CHEK2、CREBBP、CSF1R、CTNNB1、DDR2、EGFR、ERBB2、ERBB3、ERBB4、ERCC2、ESR1、EZH2、FANCA、FANCD2、FANCI、FBXW7、FGF19、FGF3、FGFR1、FGFR2、FGFR3、FGFR4、FLT3、 FOXL2、GATA2、GNA11、GNAQ、GNAS、H3-3A、HIST1H1E、HNF1A、HRAS、IDH1、IDH2、IGF1R、JAK1、JAK2、JAK3、KDR、KIT、KNSTRN、KRAS、MAGOH、MAP2K1、MAP2K2、MAP2K4、MAPK1、MAX、MDM2、 MDM4、MED12、MET、MLH1、MRE11A、MSH2、MSH6、MTOR、MYC、MYCL、MYCN、MYD88、NBN、NF1、NF2、NFE2L2、NOTCH1、NOTCH2、NOTCH3、NRAS、NTRK1、NTRK2、NTRK3、PALB2、PDGFRA、PDGFRB、PIK3CA、 PIK3CB, PIK3R1、PMS2、POLE、PPARG、PPP2R1A、PTCH1、PTEN、PTPN11、RAC1、RAD50、RAD51、RAD51B、RAD51C、RAD51D、RAF1、RB1、RET、RHEB、RHOA、RICTOR、RNF43、ROS1、SETD2、SF3B1、SLX4、SMAD4、SMARCA4、SMARCB1、SMO、SPOP、SRC、STAT3、STK11、TERT、TOP1、TP53、TSC1、TSC2、U2AF1、XPO1
博士Biranchi Jena Sir 节目手册
前任团队领导兼项目经理 NOVARTIS & NOVO NORDISK，欧洲 ______________________________________ Biranchi Jena 博士是一位专职项目管理和服务交付绩效管理专家，通过高级分析、流程再造、业务战略和业务发展，对运营效率有着丰富的经验。Jena 博士在全球领先的组织担任领导职务超过 25 年，包括班加罗尔健康管理研究所 (IIHMR) 主任和 TATA TRUSTS 顾问。
BIKASH KUMAR JENA 博士，FRSC（英国）- 布巴内斯瓦尔
BIKASH KUMAR JENA 博士，FRSC（英国） 印度布巴内斯瓦尔 CSIR 矿物与材料技术研究所材料化学系高级首席科学家 印度科学与创新研究院 (AcSIR) 化学科学院教授 电子邮件：bikash@immt.res.in；bikash.immt@gmail.com www：https://www.bikashkjena.com/ 学术记录 博士学位：印度理工学院 Kharagpur 分校化学系博士学位（2008 年获奖） 博士后: 美国华盛顿大学化学系博士后研究员 (2010-2011) 访问科学家：德国慕尼黑工业大学 (TUM) 化学系 (2014) 荣誉与奖项 催化人才 2023 – ChemCatChem, Wiley-VCH 入选美国斯坦福大学发布的“世界前 2% 科学家”名单 (2023) MRSI 奖章-印度材料研究学会 2023 印度金属研究所奖 (布巴内斯瓦尔分会)-2022 英国伦敦皇家化学学会研究员-2022 CRSI-铜牌-印度化学研究学会-2021 Samanta Chandra Sekhar 奖-Odisha Bigyan Academy-2021 入选印度国家科学院院士（NASI）-2021 青年科学家白金禧年奖-印度国家科学院（NASI）-2014 青年科学家奖-Odisha Bigyan Academy-2013 印度电分析化学学会青年科学家奖-2013 印度科学与工业研究理事会（CSIR）青年科学家奖-2011 印度科学大会协会青年科学家奖-2009 R. C. Tripathy 教授纪念奖（青年科学家），奥里萨邦化学学会-2008 Utkal Pratibha Sanman 2023（ODM 教育集团授予“ Utkal Pratibha Sanman
SiC 基板上的 15 GHz 外延 AlN FBAR - Debdeep Jena
摘要 — 展示了 SiC 衬底上的外延 AlN 薄膜体声波谐振器 (FBAR)，其一阶厚度扩展模式为 15-17 GHz。对于 15 GHz epi-AlN FBAR，其品质因数 Q max ≈ 443、机电耦合系数 k 2 eff ≈ 2 . 3 % 和 f · Q ≈ 6 . 65 THz 品质因数在 Ku 波段 (12-18 GHz) 中名列前茅。具有高品质因数的干净主模式使此类 epi-AlN FBAR 可用于具有干净频带和陡峭抑制的 Ku 波段声波滤波器。由于这种外延 AlN FBAR 与 AlN/GaN/AlN 量子阱高电子迁移率晶体管 (QW HEMT) 共享相同的 SiC 衬底和外延生长，因此它们非常适合与 HEMT 低噪声放大器 (LNA) 和功率放大器 (PA) 进行单片集成。