XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemjunction
与整个行业共同前进
Archer 正在继续前进 Archer Materials 正在继续推进其 12CQ 和 Biochip 的研发阶段，它的大多数同行也是如此。Archer Materials 的现金管理得很好，两年内没有筹集任何资金，截至 2024 年 3 月 31 日，银行账户中有 2000 万澳元。24 年度的一大亮点是成功制造了 Biochip 石墨烯场效应晶体管 (gFET) 设计，该设计通过由该公司在西班牙的代工合作伙伴 Graphenea 运营的 6 英寸整片晶圆完成。Graphenea 生产了 145 个芯片。这将有助于 Archer Materials 推进制造工艺，以大规模生产 gFET 芯片。2024 年 5 月中旬，我们亲眼目睹了其中的一些情况，参观了悉尼纳米科学中心研究和原型铸造厂 (RPF)，Archer Materials 与其他公司共享该工厂以开发其技术。这将是本报告的重点。澳大利亚政府的量子赌注应会吸引更多投资 当一些投资者听到媒体报道政府正在投资 PsiQuantum 时，他们感到失望，他们不可避免地希望 Archer 自己获得投资。这是澳大利亚和昆士兰州政府与 PsiQuantum 合作对量子计算能力进行的一项更广泛的投资——它并不完全是一项股权发行交易。我们相信这笔交易将带来更多像 RPF 这样的设施，并可能带来更多来自成熟技术公司的投资，更广泛的澳大利亚量子计算生态系统将从这项投资中受益，进而受益于 Archer。
双旋转磁性隧道接线设备的微磁建模
自旋转移扭矩磁盘磁盘随机访问存储器（STT-MRAM）已成为一种有希望的非挥发记忆技术，与闪存相比，可提供可扩展性，高耐力和更快的操作[1，2]。它与SRAM竞争的能力有可能彻底改变未来信息存储。MRAM电池的核心是由COFEB磁参考层（RL），MGO隧道屏障（TB）和COFEB游离磁性层（FL）组成的磁性隧道连接（MTJ）。具有垂直磁化的FL和RL（PMTJ）的设备可实现大量的足迹，并为高密度MRAM溶液打开了路径。一直在不断努力提高STT-MRAM设备的切换性能，目的是实现子纳秒（子NS）切换时间。虽然自旋 - 轨道扭矩（SOT）设备显示了子NS开关性能，但与STT设备的两端结构相比，从技术的角度来看，它们的三端设备结构并不理想[3]。在PMTJ设备中掺入钼（MO）已显示出胜过常规TA的PMTJ，而TA则用垂直磁各向异性（PMA），热耐受性和开关性能作为COFEB电极的缓冲/帽/帽[4]。双磁隧道连接（DMTJ），具有额外RL和第二个TB的MTJ，已被研究为常规MTJ设备的有效替代方案，最多两倍的开关效率提高了开关效率[5，6]。但是，结构导致TMR值较低，到期
在空间选择性p型掺杂掺杂，用于通过低能量氮离子植入
摘要在二维（2D）半导体制造过程中，侧向P-N连接的构建非常重要，而且具有挑战性。先前的研究表明，垂直P-N连接可以通过垂直堆叠2D材料来制备。但是，界面污染和较大面积的可扩展性是垂直堆叠技术难以克服的挑战。构建2D横向P-N同型结是解决这些问题的有效策略。在空间选择性p型掺杂2D半导体的掺杂有望构建侧面P-N均匀结构。在这项工作中，我们开发了一种低能离子植入系统，将植入能量降低至300 eV。低能植入可以形成浅植入深度，这更适合调节2D材料的电气和光学特性。因此，我们利用低能量离子植入将氮离子直接涂成几层WS 2，并成功实现了WS 2的精确调节，其电导率类型从N型转换为双极性甚至P型传导。此外，通过将其扩展到其他2D半导体（包括WSE 2，SNS 2和MOS 2）来证明该方法的普遍性。基于这种方法，横向WS 2 p-n同型被制造出来，具有显着的直径特征。还准备了基于P-N结的光电探测器，并准备了光伏效应，开路电压可以达到0.39V。这项工作为可控掺杂2D半导体提供了有效的方法。
三端约瑟夫森连接中普遍二极管效应的理论
我们从理论上研究了三端约瑟夫森连接中的超导二极管效应。超导系统中的二极管效应通常与在相反方向流动的电流的临界电流存在差异有关。我们表明，在多末端系统中，这种效果自然发生，而无需任何自旋相互作用，这是由于携带超恒星的Andreev结合状态之间存在相对移位的结果。在一个三末端交界处的示例中，我们证明了一个超导接触中的非重点电流可以通过对其他触点的适当相位偏置来诱导，前提是系统中至少有两个Andreev绑定状态，并且系统的对称性被打破。在描述短期和长时间连接的数值模型中证实了此结果。通过优化连接点的几何形状，我们表明已实现的超导二极管的效率超过35％。我们将预测与对多末端连接的最新实验相关联，在该实验中，观察到非相互超电流。
隧道结中约瑟夫森谐波的观察
开发大规模超导量子处理器的方法必须应对固态设备中普遍存在的大量微观自由度。最先进的超导量子比特采用氧化铝 (AlO x ) 隧道约瑟夫森结作为执行量子操作所需的非线性源。对这些结的分析通常假设一种理想化的纯正弦电流相位关系。然而，这种关系预计仅在 AlO x 屏障中透明度极低的通道极限下成立。在这里，我们表明标准电流相位关系无法准确描述不同样品和实验室中 transmon 人造原子的能谱。相反，通过非均匀 AlO x 屏障的介观隧穿模型预测了更高约瑟夫森谐波的百分比级贡献。通过将这些包括在 transmon 哈密顿量中，我们获得了计算和测量能谱之间数量级更好的一致性。约瑟夫森谐波的存在和影响对于开发基于 AlO x 的量子技术（包括量子计算机和参数放大器）具有重要意义。例如，我们表明，经过设计的约瑟夫森谐波可以将传输量子比特中的电荷分散和相关误差降低一个数量级，同时保持其非谐性。
二极管效应在约瑟夫森连接处具有单个磁...
Martina Trahs，Larissa Melikek，Jacob F. Steinen Tammena，Nils Bogs，Nils Bagram Gamed，Kixtix Vend，Casharina Frank
异质结双极晶体管 pdf
自 1950 年代以来，研究人员一直在研究晶体管的特性和行为，特别关注宽禁带发射极。发表在各种会议和期刊上的论文探讨了异质结构双极晶体管 (HBT)、集成电路和 Si/SiGe 外延基晶体管等主题。研究还检查了温度对晶体管性能的影响，包括在高达 300°C 的温度下的直流和交流性能。研究人员调查了各种材料系统，包括应变层异质结构及其在 MODFET、HBT 和激光器中的应用。研究了 SiGe HBT 中寄生能垒的行为，以及热电子注入对高频特性的影响。其他研究集中于渐变层和隧穿对 AlGaAs/GaAs 异质结双极晶体管性能的影响。已经开发出突变半导体-半导体异质结处隧道电流的解析表达式，并提出了异质结界面处热电子发射电流的新物理公式。本文讨论了有关异质结双极晶体管 (HBT) 的各种研究论文，这种半导体器件兼具双极晶体管和场效应晶体管的优点。这些论文涵盖的主题包括热电子发射、电荷控制模型、器件建模以及基极分级、合金化和应变对 HBT 性能的影响。研究探索了不同材料的使用，包括 GaAs/AlGaAs、InP、Si-Ge 合金和应变层异质结构。这些论文讨论了了解这些材料的电子特性（例如有效质量、带隙和价带不连续性）的重要性。文章还涉及 HBT 中的非平衡电子传输，这对高频性能至关重要。研究人员研究了各种生长技术，包括分子束外延 (MBE) 和化学气相沉积 (CVD)，以创建高质量的 HBT 器件。研究论文中的一些主要发现和结论包括：* 了解异质结材料电子特性的重要性* 应变对 HBT 性能和器件特性的影响* 需要先进的生长技术，如 MBE 和 CVD，以创建高质量的 HBT 器件* Si-Ge 合金和应变层异质结构在提高 HBT 性能方面的潜力总体而言，本文中介绍的论文展示了正在进行的研究工作，旨在提高异质结双极晶体管的性能和特性。本文讨论了有关硅锗 (Si/Si1-x Gex) 异质结构的各种研究和研究论文，重点介绍了它们的特性及其在微电子器件中的应用。一项研究使用导纳谱分析了由 Si/Si1-x Gex 异质结构制成的 MOS 电容器。另一篇论文研究了在硅衬底上生长的无应变和相干应变 Si1- x Gex 的电子漂移迁移率。文章还讨论了用于高频应用的碳掺杂 SiGe 异质结双极晶体管 (HBT) 的开发，以及针对低温操作的 HBT 技术的优化。此外，研究人员还探索了应变和重掺杂对 Si/Si1-x Gex 合金间接带隙的影响。论文还涉及各种主题，例如外延 Si 和 SiGe 基双极技术的设计和优化、UHV/CVD SiGe HBT 中集电极-基极结陷阱的影响以及 Ge 分级对 SiGe HBT 偏置和温度特性的影响。总体而言，研究重点是了解 Si/Si1-x Gex 异质结构在微电子器件（包括 HBT 和其他半导体技术）中的特性和应用。本文讨论了 SiGe 基双极晶体管和 III-V 异质结双极晶体管 (HBT) 研究的进展。目标是优化这些器件以用于高性能电子应用，包括高速数字集成电路、模拟电路、微波集成电路和 RF 器件。1993 年至 2002 年期间发表的研究文章探讨了 SiGe HBT 的各个方面，例如针对高电流密度的优化、屏障效应、渡越时间建模和紧凑的电流-电压关系。这些研究旨在提高这些器件的性能和效率。另一个研究领域侧重于 III-V HBT，包括基于 GaAs 的 HBT、AlGaN/GaN HBT 和 GaN HBT。目标是开发用于微波应用的新技术并克服建模和模拟这些器件的挑战。这些研究还调查了不同生长技术的使用，例如金属有机化学气相沉积 (MOCVD)，并探索 AlGaN/GaN HBT 选择性区域生长的潜力。总体而言，该研究旨在突破 SiGe 基双极晶体管和 III-V HBT 的可能性界限，从而开发出适用于广泛应用的高性能电子设备。过去几十年来，异质结双极晶体管 (HBT) 的研究得到了广泛的开展。各种研究都探索了它们的潜在应用、优势和局限性。在 2001 年发表在 IEEE Transactions on Electron Devices 上的一篇文章中，研究人员讨论了 HBT 在高频应用中的能力。同一出版物还介绍了 Shigematsu 等人在 1995 年的另一项研究，该研究提出了一种具有改进特性的自对准 InP/InGaAs HBT 的新设计。此外，Low 等人在 1999 年发表的一篇文章。固态电子学杂志探讨了 InGaP HBT 技术在射频和微波仪器中的应用。研究人员强调了它的潜在优势，包括与硅双极晶体管相比更快的开关速度。一些研究也集中于 HBT 的设计和制造。Gao 等人在 1992 年发表在 IEEE 电子器件学报上的一篇文章介绍了一种用于功率应用的异质结双极晶体管设计。在同一期刊上发表的另一项研究中，Gao 等人 (1991) 研究了发射极镇流电阻设计和 AlGaAs/GaAs 功率 HBT 的电流处理能力。微波多指 HBT 中的崩塌现象也得到了广泛的研究。Liu 等人 (1993 年和 1994 年) 在 IEEE 电子器件学报上发表的研究检查了高功率密度对这些器件中电流增益崩塌的影响。此外，Chou 和 Ferro 在 1997 年的会议论文集中概述了异质结双极晶体管，重点介绍了它们的应用和优势。研究人员探索了用于红外光子探测的先进半导体器件概念和技术，旨在提高 III-V 器件的性能。研究人员还致力于通过引入碳掺杂基极来提高 AlGaAs/GaAs 异质结双极晶体管的预期寿命。该研究讨论了工艺技术对自对准 HBT、栅极定义和亚微米栅极长度干蚀刻制造方案的影响。此外，还进行了高温偏压应力测试，以评估具有台面蚀刻结构的 HBT 的可靠性，揭示了它们在各种工作条件下性能的潜在改进。本研究讨论了工艺技术对自对准 HBT、栅极定义和亚微米栅极长度干蚀刻制造方案的影响。此外，还进行了高温偏压应力测试，以评估具有台面蚀刻结构的 HBT 的可靠性，揭示了其在各种操作条件下性能的潜在改进。本研究讨论了工艺技术对自对准 HBT、栅极定义和亚微米栅极长度干蚀刻制造方案的影响。此外，还进行了高温偏压应力测试，以评估具有台面蚀刻结构的 HBT 的可靠性，揭示了它们在各种操作条件下性能的潜在改进。
有效5/1/2024 63G-2-802禁令 - 律师费和费用。 （1）在本节中使用的“捍卫方”的意思是：
（a）地方法院可以评估卫冕方合理的律师费和与司法呼吁有关的合理产生的费用，以确定请求者是否有权根据记录请求访问记录，如果请求者占有一定的胜利。（b）在确定是否要根据本节授予律师费或费用时，法院应考虑：（i）案件获得的公共福利； (ii) the nature of the requester's interest in the records; and (iii) whether the defending party's actions had a reasonable basis.（c）如果诉讼的目的主要是为了使请求者的财务或商业利益受益，则通常不得授予律师费和费用。(4) Neither attorney fees nor costs may be awarded for fees or costs incurred during administrative proceedings.（5）尽管第（3）款，法院才能根据第63G-2-2-404（2）款在向地区法院提出上诉而造成的律师费和费用，仅当律师费和费用是在请求后20或更多天出现的20或更多天的时间时，法院的费用和费用是在申请后的20天或更多天出现的： proceeding; （b）向政府实体，政治细分或请求者寻求授予律师费和费用的其他人。（6）除了第63G-7-301（2）（e）小节中免疫的放弃，本条规定的律师费或费用的索赔不受第7章的约束，即犹他州的政府免疫法。
补充材料“可控的奇数库珀对在多杀手约瑟夫森连接处”
因此，可以通过执行各个量子数交换的所有可能组合来获得允许的对振幅（eqs。（S2）和（S3）），填充反对称条件等式。（S1）。这样做，我们发现八个允许尊重反对称条件的对对称类别，其中4对应于奇数相关性，请参见表S1。特定相关性是超导索引（sup。索引）在扩大允许的对对称性方面起着至关重要的作用。表S1在主文本的“ jjs中的us频间振幅”部分中显示为表1。在没有任何自旋粘合字段的情况下，出现对的相关性的自旋对称性与母体超导体的自旋对称性相同。因此，在我们的研究中允许的对对称类别（不存在旋转式粘合字段）是ESEE和OSOE对对称类别：它们对应于超导体指数中的偶数（奇数频率）旋转（奇数）均匀（奇数）旋转单元（奇数），甚至对应于超导器指数。通过包括一个自旋混合字段，可以获得表S1中对应于OTEE和OTOO对对称类别的奇数自旋 - 三个三角对振幅，可以用作超导阶段高度可控制的旋转源，从而可以使超导性旋转旋转的超导量。由于我们在主文本中提出的结果中没有自旋混合字段，因此其中的对对称性表现出父母超导体的自旋对称性，即自旋单旋。这是在主文本的“ JJS中的persupconductor对振幅”部分中特别讨论的。